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基于激光掺杂制备发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法

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本发明公开了一种基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，该方法是在旋涂有硼酸的n型基体上用全激光面扫描的方法制备发射极，随后采用Al

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-03-05

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20120307 申请日:20111111

发明专利申请公布后的驳回
2012-04-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20111111

实质审查的生效
2012-03-07

公开

公开

1. 基于激光掺杂制备发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法 [P] . 中国专利： CN102368510A . 2012-03-07
2. 一种基于掺杂多晶硅锗薄膜的N型晶体硅太阳电池及其制备方法 [P] . 中国专利： CN109065643A . 2018-12-21
3. METHOD FOR MANUFACTURING PV CELLS WITH SELECTIVE EMITTER / BSF BY LASER ANNEAL AND DESORPTION OF IMPLANTED DOPANTS [P] . 法国专利： FR3089064A1 . 2020-05-29

机译：激光退火制备选择性发射极/ BSF光伏电池的方法及掺杂掺杂的脱附。
4. Preparation of a solar cell emitter region using N-type doped silicon nanoparticles [P] . 德国专利： DE112013006061T5 . 2015-08-27

机译：使用N型掺杂的硅纳米粒子制备太阳能电池发射极区
5. METHOD FOR PREPARING DOPING-TYPE CARBON MATERIAL BASED ON DEHALOGENATION REACTION OF MACROMOLECULE AND USE OF DOPING-TYPE CARBON MATERIAL IN ELECTROCHEMISTRY [P] . 世界知识产权组织专利： WO2016197420A1 . 2016-12-15

机译：基于高分子的脱卤反应制备掺杂型碳材料的方法及电化学中掺杂型碳材料的使用