氧化钨

摘要： 氧化钨(WO_(3))一直是太阳能驱动CO_(2)减排领域的一种备受关注的催化剂.作为一种无毒、廉价的n型半导体,WO_(3)可以吸收大约12%的太阳光,因此被认为是最具吸引力的光催化候选材料之一.然而,WO_(3)的红外响应性能受到带宽(Eg=2.5‒2.8 eV)的限制,从而影响其光热催化条件下CO_(2)的还原活性.因此,在太阳能驱动的WO_(3)催化CO_(2)还原反应中,主要生成C1产物(包括CO,CH_(4)),很少有C2烃类产物的报道.本文采用一锅法合成了WO_(3‒x)纳米片,并利用X射线衍射、X射线光电子能谱、透射电镜、电子自旋共振和拉曼光谱表征了其基本结构.光致发光光谱表明,WO_(3‒x)比WO_(3)有更强的光生载流子分离能力和更弱的载流子复合能力,这与WO_(3‒x)更强的光电流响应和更小的阻抗一致.此外,CO_(2)吸附和程序升温脱附结果表明,氧空位的存在使WO_(3‒x)具有更强的CO_(2)吸附能力和更弱的CO_(2)脱附能力,这为CO_(2)高效参与反应并实现C‒C偶联生成C2产物提供了条件.另一方面,氧空位的引入有效地拓宽了WO_(3)材料的光响应范围,漫反射光谱结果表明,WO_(3‒x)材料对红外光的吸收能力更强.由此造成的热效应通过热成像数据显示出来,WO_(3)的光热平衡温度为92.3°C,WO_(3‒x)的平衡温度可达177°C.在光热协同催化下,辐照4 h后,WO_(3‒x)产生的C_(2)H_(4)和C_(2)H_(6)分别达到5.30和0.93μmol·g^(–1),生成C2产物的选择性大于34%.采用光热催化CO_(2)还原生成产物的产量远高于同样温度下热催化反应结果,说明WO_(3‒x)较好的CO_(2)还原性能得益于光诱导的光热催化性能.最后,通过原位傅里叶红外光谱以及理论计算,进一步考察了WO_(3‒x)光热催化得到C2产物的反应路径:催化剂吸附CO_(2)后,光生电子还原CO_(2)得到-COOH,-CHO,-CH3中间体,WO_(3)上的中间体容易发生脱附,并生成CH4和CO产物;而WO_(3‒x)表面存在的大量氧空位为-CH2/-CH3进一步偶联生成C_(2)H_(4)/C_(2)H_(6)提供了条件.具体反应路径为:CO_(2)→COOH→CHO→CH2/CH3→C2H4/C2H6.综上,本文采用WO_(3‒x)光热催化CO_(2)还原可高效制备C2产物,分析了反应机理,为设计太阳能驱动的高活性CO_(2)还原C‒C偶联催化剂提供了新思路.

摘要： 钨金属硬度高,熔点高以及耐磨性优良,抗电子迁移能力强,广泛应用于工业的各个领域。目前工业上制取钨粉的方法普遍为氧化钨氢还原法,该方法清洁简单,但由于影响因素的繁杂和氢分子的难以检测,其还原机理特别是氢还原氧化钨的动力学机理尚待研究,制取均匀粒度超细钨粉技术参数的确定也有待科研者的努力。本文总结了氧化钨的氢还原现阶段的热力学、动力学机理和适用的动力学模型,并展望了利用计算机模拟技术进一步探究动力学机理和微观机理的方法。

摘要： 采用原位合成法制备AgBr-WO_(3)/GO复合可见光催化剂,制备的AgBr-WO_(3)/GO表现出比WO_(3)和WO_(3)/GO更强的可见光吸收。AgBr-WO_(3)/GO的表观光催化降解2,4,6-三氯苯酚的速率常数k为0.677 h^(-1)。可见光光照4 h后,2,4,6-三氯苯酚的去除率达到94%以上,明显优于WO_(3)和WO_(3)/GO。实验结果表明,Ag、AgBr、WO_(3)和GO之间的界面载流子转移增强显著提高催化剂的可见光降解活性。所得AgBr-WO_(3)/GO具有良好的光化学稳定性和重复使用性能。

摘要： 本研究通过水热合成法并结合表面浸渍过程制备了Co_(3)O_(4)/WO_(3)复合催化剂,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱等测试技术对Co_(3)O_(4)/WO_(3)复合物的结构组成与微观形貌进行系统表征,在室温可见光照射下研究了Co_(3)O_(4)/WO_(3)对甲烷转化制甲醇的催化性能。结果表明,复合Co_(3)O_(4)可显著提升甲烷光催化转化性能,最优催化剂3.0%Co_(3)O_(4)/WO_(3)在可见光照射2 h时的甲烷转化量为2041μmol/g,对应的甲醇产生量及其选择性为1194μmol/g和58.5%,分别为单一WO_(3)的4.03倍和2.39倍,优于多数文献报道的甲烷转化异相光催化剂,且具有良好的循环稳定性。结合瞬态光电流与电子顺磁共振测试结果,揭示了引入Co_(3)O_(4)增强复合催化剂甲烷转化性能的内在机理,对设计光驱动甲烷转化制甲醇催化剂具有重要理论指导意义。

摘要： 通过直接焙烧钨酸铵制得WO_(3)纳米粉体,继而以其为载体,采用吸附-化学还原工艺制备了一系列负载型Ru纳米催化剂。使用X-射线衍射、X-射线光电子能谱、拉曼光谱、扫描电镜、透射电镜等技术对所制催化剂进行了表征分析,考察了它们对氨硼烷(AB)水解释氢反应的催化性能,并进行了相应的动力学研究。结果表明,Ru最佳负载质量分数为2.0%。得益于多孔结构、WO_(3)的氧缺陷及Ru纳米粒子的高分散,所制最佳催化剂Ru/WO_(3)呈现出优于诸多文献所报道的催化性能。在Ru/WO_(3)催化作用下,该水解反应对于Ru和反应底物浓度的反应级数分别为0.67和0.87级,表观活化能为34.93 kJ/mol。在碱性溶液中,相应的转化频率达到445.1 min^(-1)。

摘要： 氧化钨纳米材料具有多种独特的功能特性,能够满足光学、建筑,交通,医学、环境保护等多行业领域的需求。本文从氧化钨纳米材料的制备方法与应用研究两个方面对其进行了综述,同时探讨了其最新的研究发展路线,预测了这种新型材料在未来的发展前景。

摘要： 在氧化钨氢还原过程中,很难避免一些杂质元素(例如还原舟皿或炉管中的Fe,Cr,Co和Ni等特征合金元素)进入粉末中;另外,为了改善钨相关材料(例如W粉末、WC粉末、W基合金及WC基合金等)的性能,也会在仲钨酸铵(ammonium paratungstate,APT)或氧化钨粉末中预掺杂合金元素,很明显这些合金元素会影响氧化钨的氢还原过程,进一步也会影响钨相关材料的性能。详细综述了合金元素(包括其初始状态、含量、存在状态、分布等)对氧化钨氢还原过程和还原钨粉末性能的影响。通过分析氢还原过程中合金元素与氧化钨的化学反应过程(包括形成WO_(x)·n Me_(2)O或Me_(2)O、难挥发性钨酸盐、挥发性合金氧化物及钨固溶体等,以及合金元素对氧化钨的还原),对钨颗粒(晶粒)的生长机制进行了分类。通过分析合金元素的作用机理(包括:强化机理、相转变机理、晶粒生长机理及界面结构形成机理等),详细总结了合金元素对最终粉末冶金钨相关材料组织与性能的影响。期望能对钨相关材料及产品的实际生产起到理论指导作用。

摘要： 本文以二水合钨酸钠为主要原料,通过水热方法将单斜相氧化钨原位生长在六方相氧化钨表面,从而构建了单斜相/六方相“异相结”氧化钨光催化剂(m/h-WO_(3))。XRD、Raman和SEM的结果表明,通过控制反应溶液的浓度,可以实现m/h-WO_(3)“异相结”中单斜相/六方相的组成调控。可见光下降解罗丹明B的实验结果表明,相较于单斜相和六方相WO_(3),m/h-WO_(3)具有更高的光催化活性,而且m/h-WO_(3)中六方相和单斜相的组成是影响光催化性能的主要因素之一,5%m/h-WO_(3)展现了显著的光催化降解能力,降解速率分别为六方相和单斜相WO_(3)的7.6倍和5.0倍。SPV表征结果表明,m/h-WO_(3)“异相结”,特别是具有合适晶相组成的m/h-WO_(3)可以显著提高光生电子和光生空穴的分离效率,从而提高光催化性能。

摘要： 为了制备具有良好活性的光催化剂,以偏钨酸铵水合物为原料,进行焙烧,制得氧化钨(WO_(3))纳米颗粒;以三聚氰胺、均苯四甲酸酐和升化硫为前驱体,合成硫掺杂聚酰亚胺(SPI);采用固相热聚合法合成新型半导体光催化材料WO_(3)/SPI。以所制WO_(3)/SPI对甲基橙的降解率为标准,对其进行光催化活性测试,同时进行了XRD、UV-Vis、BET表征;根据表征结果分析样品的微观结构及光吸收性质,证明掺杂材料的最佳掺杂比为0.5%,且其光催化活性得到了很大改进。

摘要： 作为一种有害性气体,三乙胺的检测备受关注。实际上,研究人员近年来已开发出基于多种敏感材料的三乙胺传感器。然而,梳理发现,现有三乙胺传感器的工作温度普遍偏高,且对低浓度三乙胺的检测潜力有限。借助静电纺丝法和高温煅烧工艺,成功制备出金担载的氧化钨纳米线。利用X射线粉末衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜等手段对样品的微观结构和形貌进行了详尽表征。气敏测试表明,金担载的氧化钨对20×10^(-6)三乙胺的最佳检测温度较纯氧化钨降低了40°C,响应值却提升了4倍。最后给出了相应的敏感机理。

摘要： 合成气作为有效利用转化甲烷的途径之一,具有广阔的发展前景.但是如何降低甲烷活化温度、提高甲烷利用效率是甲烷转化的关键.本文以先进的化学链技术代替传统重整或氧化过程中所需的水蒸气或纯氧,使用廉价固态金属氧化物氧载体中的晶格氧将燃料高效转化为高纯度的合成气.选择高熔点、高合成气选择性的WO3基的载氧体作为氧源,采用金属镍对WO3进行体相和表面改性,有效解决了其释氧能力较弱、甲烷反应活性较低的问题.实验结果表明,掺杂到WO3体相的镍物种可以明显削弱W-O键,提高晶格氧扩散速率,而表面掺杂的镍物种则显著加速了甲烷分子的活化速率,催化了表面反应的发生.整体的甲烷转化率和合成气收率提升了近2.7倍.同时,通过Raman/XRD/CH4-pulse/CH4-TPR MS和in situ DRIFTS等表征技术探究了镍改性的氧化钨基载氧体和甲烷分子的反应机理,并提出了可能的反应路径.从而进一步证实了体相和表面改性是一种调控金属氧化物晶格氧活性有效可行的手段,对于强化甲烷转化具有重要意义.

摘要： 研究了高纯金属专用发射光谱仪测定氧化钨中A1、As、Bi、Ca、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、 Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Si、Sn、Ti、V等19中元素的方法.用碳粉、碳酸锂、氧化镓作为光谱缓冲剂稳定弧焰,促进杂质元素的蒸发.各元素选取各自特征曝光时间提高分析性能.方法灵敏度高、分析速度快、操作简便,加标回收率为86％～120％.

摘要： 本课题组前期报道了水热法合成沿[110]轴生长的六方相、棒状单晶W03。该单晶对有机染料具有较好的吸附性，但光催化性能较差。本文通过简单方法在氧化钨纳米棒的基础上引入石墨烯，研究了石墨烯与W03的结合方式对吸附-光催化性能的影响。样品WO3为纳米棒状单晶，由于NH4+的存在下，NH4+选择性的吸附在(001)上，致使W03沿着[110]轴生长，暴露较多(001)和(1(I)0)面。负载石墨烯之后，石墨烯以特殊的包裹方式紧密的包裹在纳米棒的表面，而且通过调节石墨烯的投入量可以有效的调节包裹厚度。经石墨烯修饰后的WO3在可见光照射下有较好的吸附-光催化性能，通过降解无色染料废水也同样发现该材料具有较好的可见光活性。通过进一步研究石墨烯存在方式以及负载量对材料降解活性的影响发现，石墨烯紧密包裹具在WO3表面上，且当石墨烯负载量为5%时，复合材料显示出最佳的吸附-光催化性能。主要原因可归因于，(1)特殊的包裹方式保留了材料的吸附能力，有利于反应过程的传质;(2)石墨烯的引入，增强了光生电子-空穴对的分离能力，拓展了WO3的可见光吸收，提高光催化效率。这为开发高性能WO3可见光催化剂提供了新思路。

摘要： 以光催化材料WO3为研究对象，采用溶胶-凝胶法制备纳米La2O3-WO3复合光催化材料.采用多孔泡沫陶瓷为壁材骨料将其附载。并通过SEM 能谱分析、X射线衍射(XRD)和紫外-可见分光光度法对纳米掺杂氧化钨的结构和光吸收性能进行了表征，通过甲醛、甲苯、苯的一次通过净化率对净化陶瓷材料进行了表征。

摘要： 采用氧化钨粉为细集料掺混制备了Φ10.5cm×6cm规格圆柱形水泥基材料样品,通过PTW UNDOS标准计量仪和60Co、137Cs源组成的实验系统测试了样品对γ射线的屏蔽性能.实验结果表明,随着氧化钨含量的提高,含钨水泥基材料对伽马射线屏蔽性能增强.针对平均能量1.25MeV的伽马射线,随着蓝色氧化钨掺量从0vol％增加至30vol％,6cm厚度下穿透率从54.3％下降为41.5％;黄色氧化钨掺量从0vol％增加至20vol％,6cm厚度下穿透率则从54.3％下降为37.0％.

摘要： 单斜晶型BiVO4和WO3的禁带宽度和价带位置分别为:BiVO4Eg≈2.4eV,EVB≈2.4V vs.RHE;WO3Eg≈2.7eV,EVB≈3.4V vs.RHE,光生载流子在两种材料体相的转移距离均大于100nm,故两种半导体都是具有可见光响应的光催化剂.前期研究表明,单斜晶型BiVO4表面存在一定数量的Bi-O悬空键,单斜晶型WO3表面存在一定数量的W-O悬空键,这些悬空键会诱导两种光催化剂形成高表面态,易引起光生电子—空穴在其表面的高复合率,影响材料的光催化活性.In3+的离子半径约0.8(A),其与Bi3+的离子半径相近(1.03(A)),如果In3+定向掺杂取代单斜晶型BiVO4中的部分Bi3+位点,可使BiVO4晶型结构发生扭曲,进而可能改变BiVO4高表面态.另一方面,无定形TiO2表面含有大量的电子缺陷位点,若与单斜晶型WO3发生耦合接触时,可形成TiO2(O2-)-WO3(W6+)相互作用,进而可能改变WO3高表面态.

摘要： 单斜晶型BiVO4和WO3的禁带宽度和价带位置分别为:BiVO4Eg≈2.4eV,EVB≈2.4V vs.RHE;WO3Eg≈2.7eV,EVB≈3.4V vs.RHE,光生载流子在两种材料体相的转移距离均大于100nm,故两种半导体都是具有可见光响应的光催化剂.前期研究表明,单斜晶型BiVO4表面存在一定数量的Bi-O悬空键,单斜晶型WO3表面存在一定数量的W-O悬空键,这些悬空键会诱导两种光催化剂形成高表面态,易引起光生电子—空穴在其表面的高复合率,影响材料的光催化活性.In3+的离子半径约0.8(A),其与Bi3+的离子半径相近(1.03(A)),如果In3+定向掺杂取代单斜晶型BiVO4中的部分Bi3+位点,可使BiVO4晶型结构发生扭曲,进而可能改变BiVO4高表面态.另一方面,无定形TiO2表面含有大量的电子缺陷位点,若与单斜晶型WO3发生耦合接触时,可形成TiO2(O2-)-WO3(W6+)相互作用,进而可能改变WO3高表面态.

摘要： 单斜晶型BiVO4和WO3的禁带宽度和价带位置分别为:BiVO4Eg≈2.4eV,EVB≈2.4V vs.RHE;WO3Eg≈2.7eV,EVB≈3.4V vs.RHE,光生载流子在两种材料体相的转移距离均大于100nm,故两种半导体都是具有可见光响应的光催化剂.前期研究表明,单斜晶型BiVO4表面存在一定数量的Bi-O悬空键,单斜晶型WO3表面存在一定数量的W-O悬空键,这些悬空键会诱导两种光催化剂形成高表面态,易引起光生电子—空穴在其表面的高复合率,影响材料的光催化活性.In3+的离子半径约0.8(A),其与Bi3+的离子半径相近(1.03(A)),如果In3+定向掺杂取代单斜晶型BiVO4中的部分Bi3+位点,可使BiVO4晶型结构发生扭曲,进而可能改变BiVO4高表面态.另一方面,无定形TiO2表面含有大量的电子缺陷位点,若与单斜晶型WO3发生耦合接触时,可形成TiO2(O2-)-WO3(W6+)相互作用,进而可能改变WO3高表面态.

摘要： 单斜晶型BiVO4和WO3的禁带宽度和价带位置分别为:BiVO4Eg≈2.4eV,EVB≈2.4V vs.RHE;WO3Eg≈2.7eV,EVB≈3.4V vs.RHE,光生载流子在两种材料体相的转移距离均大于100nm,故两种半导体都是具有可见光响应的光催化剂.前期研究表明,单斜晶型BiVO4表面存在一定数量的Bi-O悬空键,单斜晶型WO3表面存在一定数量的W-O悬空键,这些悬空键会诱导两种光催化剂形成高表面态,易引起光生电子—空穴在其表面的高复合率,影响材料的光催化活性.In3+的离子半径约0.8(A),其与Bi3+的离子半径相近(1.03(A)),如果In3+定向掺杂取代单斜晶型BiVO4中的部分Bi3+位点,可使BiVO4晶型结构发生扭曲,进而可能改变BiVO4高表面态.另一方面,无定形TiO2表面含有大量的电子缺陷位点,若与单斜晶型WO3发生耦合接触时,可形成TiO2(O2-)-WO3(W6+)相互作用,进而可能改变WO3高表面态.

摘要： 单斜晶型BiVO4和WO3的禁带宽度和价带位置分别为:BiVO4Eg≈2.4eV,EVB≈2.4V vs.RHE;WO3Eg≈2.7eV,EVB≈3.4V vs.RHE,光生载流子在两种材料体相的转移距离均大于100nm,故两种半导体都是具有可见光响应的光催化剂.前期研究表明,单斜晶型BiVO4表面存在一定数量的Bi-O悬空键,单斜晶型WO3表面存在一定数量的W-O悬空键,这些悬空键会诱导两种光催化剂形成高表面态,易引起光生电子—空穴在其表面的高复合率,影响材料的光催化活性.In3+的离子半径约0.8(A),其与Bi3+的离子半径相近(1.03(A)),如果In3+定向掺杂取代单斜晶型BiVO4中的部分Bi3+位点,可使BiVO4晶型结构发生扭曲,进而可能改变BiVO4高表面态.另一方面,无定形TiO2表面含有大量的电子缺陷位点,若与单斜晶型WO3发生耦合接触时,可形成TiO2(O2-)-WO3(W6+)相互作用,进而可能改变WO3高表面态.

摘要： 本发明提供了一种三氧化钨/聚噻吩/三氧化钨电致变色电容双功能材料及制备方法。本发明电致变色电容双功能材料有序空心球阵列具有多孔分级结构和网络状结构，制备时以FTO导电玻璃为基底，基底表面依次制备空心三氧化钨纳米球阵列并包覆聚噻吩层和三氧化钨层。本发明实现了三氧化钨空心纳米球于基底上分布均匀、聚噻吩为多孔结构均匀包覆在空心纳米球表面，最外层的三氧化钨提升了材料整体的稳定性，本发明在纳米尺度上实现了三氧化钨无机材料和聚噻吩有机材料的结合，大大提高了电致变色和电容性能，实现了优势互补，同时增加了双功能材料的比表面积，显著增强了反应的动力学过程。

摘要： 本发明提供了一种金属相氧化钨的制备方法，包括以下步骤：A)将聚乙烯亚胺、钨源和水进行水热反应，得到沉淀；B)将所述沉淀烘干后煅烧，得到WO3粉末；C)将所述WO3粉末与金属粉末混合后再与锂盐溶液混合，反应，得到Li‑WO3。本申请在金属相氧化钨的制备过程中，通过将锂离子引入WO3晶格中，造成材料内部自由电子浓度上升，最终诱发绝缘相至金属相的相转变过程，使得锂化后的Li‑WO3能带间隙消失，从而能够提升材料对红外光的响应范围，改善材料的近红外光热性能。

摘要： 一种利用三氧化钨变色性能制备三氧化钨/Pt纳米复合材料的方法，涉及一种WO3/Pt纳米复合材料的制备方法。是要解决现有合成WO3/Pt纳米复合材料的方法步骤繁琐、能耗大的问题。方法：一、预处理：将WO3纳米孔材料作为工作电极，以石墨作为对电极，以Ag/AgCl作为参比电极，施加负电压；二、沉积：移除参比电极和对电极，将电解液倒出，加入沉积液，置于暗处静置；三、清洗干燥：将WO3纳米孔材料取出，冲洗，吹干，即得到WO3/Pt纳米复合材料。本发明方法的步骤简单，沉积时间短暂，制备的WO3/Pt纳米复合材料具有更加优异的电催化性能。本发明用于制备WO3/Pt纳米复合材料。

摘要： 本发明公开了一种晶态三氧化钨/钛掺杂非晶态氧化钨纳米线阵列，其具有核壳结构，其中晶态三氧化钨纳米线为核，采用溶剂法获得；非晶态钛掺杂氧化钨薄膜为壳，采用可变温的磁控溅射法获得；晶态三氧化钨纳米线长度为300‑1000nm，直径为20‑50nm；钛掺杂非晶态氧化钨纳米壳层被均匀地包覆在晶态氧化钨纳米线上，复合后直径在30‑150nm范围内调控。本发明利用磁控溅射方法将钛掺杂氧化钨薄膜均匀沉积在三氧化钨纳米线表面，得到核壳结构电致变色材料，该结构具有优异的电致变色性能，具有良好的稳定性，并且对比度高、转换速度快。

摘要： 本发明涉及化学洗液技术领域内洗除氧化钨的洗液及清洗附着有氧化钨生产工具的方法，本发明的洗除氧化钨的洗液，包括如下质量组成的组分：双氧水0.1%‑3%，IA族金属氢氧化物0.1%‑3%，氨水0.1%‑3%，一元醇0.1‑3%，余量为水，所有组份的质量百分量之和为100%。本发明的清洗液中，氧化钨于水中少量溶解生成钨酸，IA族金属的氢氧化物和氨水均能与钨酸反应生成钨酸盐或偏钨酸盐，通过此双物料反应，可以提高反应速度和效率。加入双氧水，可提高三氧化钨稳定性，避免三氧化钨转化为低价氧化钨，避免产生不溶解的副产物；加入一元醇，主要作用为表面活性剂，通过其羧基的极性，加快物质的溶解使得整个反应速度更快，最终可使此清洗液在常温下快速有效的去除三氧化钨附着污物。

摘要： 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种溶剂热法制备荧光氧化钨量子点的方法及其制备而成的荧光氧化钨量子点和应用。具体步骤包括：将二硫化钨粉末分散到醇类溶剂中，得到二硫化钨的分散液；在分散液中加入双氧水，搅拌混合均匀，得到混合液；将得到的混合液转移至反应釜中密封，进行高温反应；将得到的反应液进行真空抽滤，收集滤液进行透析；将收集得到的透析液经过冰冻后进行真空冷冻干燥，得到氧化钨量子点粉末。本发明提供的制备方法简单、绿色环保、原料易得、可控性高，所得到的氧化钨量子点尺寸均匀、易分散，荧光稳定性好，且荧光发射光谱具有激发波长依赖性，因此可广泛应用在生物成像、生物标记及发光传感器件等领域中。

摘要： 一种多孔结晶态氧化钨薄膜及其采用电极电喷涂制备多孔结晶态氧化钨薄膜的方法，它属于电极制备技术领域，具体涉及一种多孔氧化钨氧化钨薄膜及其制备方式。本发明的目的是要解决现有结晶态氧化钨薄膜调剂能力差，且太阳光谱波段调制能力差的问题。多孔结晶态氧化钨薄膜以钨粉、过氧化氢溶液和羧酸制成钨前驱体粉末，以乙醇作为分散剂，采用电极电喷涂制成多孔结晶态氧化钨薄膜。制备方法：一、制备钨前驱体粉末；二、电极电喷涂，得到多孔结晶态氧化钨薄膜。优点：实现了多孔结晶态氧化钨薄膜的制备，提高了氧化钨电致变色薄膜的性能，在透过率调制能力、循环稳定性和着色时间上具有显著优势。本发明主要用于制备多孔结晶态氧化钨薄膜。

摘要： 本发明提供了一种金属相氧化钨的制备方法，包括以下步骤：A)将聚乙烯亚胺、钨源和水进行水热反应，得到沉淀；B)将所述沉淀烘干后煅烧，得到WO3粉末；C)将所述WO3粉末与金属粉末混合后再与锂盐溶液混合，反应，得到Li‑WO3。本申请在金属相氧化钨的制备过程中，通过将锂离子引入WO3晶格中，造成材料内部自由电子浓度上升，最终诱发绝缘相至金属相的相转变过程，使得锂化后的Li‑WO3能带间隙消失，从而能够提升材料对红外光的响应范围，改善材料的近红外光热性能。

摘要： 本发明提供了一种三氧化钨/聚噻吩/三氧化钨电致变色电容双功能材料及制备方法。本发明电致变色电容双功能材料有序空心球阵列具有多孔分级结构和网络状结构，制备时以FTO导电玻璃为基底，基底表面依次制备空心三氧化钨纳米球阵列并包覆聚噻吩层和三氧化钨层。本发明实现了三氧化钨空心纳米球于基底上分布均匀、聚噻吩为多孔结构均匀包覆在空心纳米球表面，最外层的三氧化钨提升了材料整体的稳定性，本发明在纳米尺度上实现了三氧化钨无机材料和聚噻吩有机材料的结合，大大提高了电致变色和电容性能，实现了优势互补，同时增加了双功能材料的比表面积，显著增强了反应的动力学过程。

摘要： 一种利用三氧化钨变色性能制备三氧化钨/Pt纳米复合材料的方法，涉及一种WO3/Pt纳米复合材料的制备方法。是要解决现有合成WO3/Pt纳米复合材料的方法步骤繁琐、能耗大的问题。方法：一、预处理：将WO3纳米孔材料作为工作电极，以石墨作为对电极，以Ag/AgCl作为参比电极，施加负电压；二、沉积：移除参比电极和对电极，将电解液倒出，加入沉积液，置于暗处静置；三、清洗干燥：将WO3纳米孔材料取出，冲洗，吹干，即得到WO3/Pt纳米复合材料。本发明方法的步骤简单，沉积时间短暂，制备的WO3/Pt纳米复合材料具有更加优异的电催化性能。本发明用于制备WO3/Pt纳米复合材料。