极化强度

摘要： h-LuFeO3是一种窄带隙铁电半导体材料,已被证明在铁电光伏领域有较好的应用前景.然而,较低的极化强度使光生电子-空穴对复合率大,限制了h-LuFeO3基铁电光伏电池效率的提高.为改善h-LuFeO3的极化强度,提高光吸收性质,本文利用第一性原理计算方法研究了In原子在h-LuFeO3不同位置的掺杂形成能,得到最稳定的掺杂位置,比较了h-Lu1–xInxFeO3(x=0,0.167,0.333,0.667)的带隙、光吸收性能及极化强度等性质.计算结果表明,随着In掺杂比例的增加,h-LuFeO3的晶格常数c/a比不断增大,铁电极化强度得到提高.当In:Lu=2:1时,材料杂质能级出现,Fe-O轨道杂化得到增强,提高了h-LuFeO3的光吸收性能.此工作证明了In掺杂是改善h-LuFeO3极化强度和光吸收系数的有效方法,对铁电光伏性能的提高提供一种新途径.

摘要： 军事职业活动涉及到多种高难度的任务,对现役人员身体能力要求广泛且多变。军事职业活动可对人体产生极大应激,因此,现役人员需进行日常训练、提高和强化基本任务能力,同时提高机体适应能力,从而确保成功完成多种作业任务。目前,如何最佳化发展现役人员身体方面的适应能力是当前训练和研究的重点问题之一。鉴于军事职业活动本身任务需求的多样性以及健康方面的长期需求,活动方式更类似于古人类的身体活动方式:低强度的身体活动,中间穿插高强度的身体活动。而训练方案与人类早期身体活动模式越相似,适应性和后续表现就越强。因此,人类早期极化的生存模式可能是发展军事职业人员身体方面的能力及保持机体健康的一个有效途径,但缺少直接的证据,尚需要进一步研究。

摘要： 基于唯象理论得到的反铁电体电滞回线的温度关系,系统地研究了二阶相变反铁电体在增加和撤消电场过程中能量释放的温度关系.研究结果显示,反铁电体所释放的能量密度在温度谱有两个峰,高温的大峰在顺电相,其温度略高于居里温度;在反铁电相的低温区还存在一个小峰:当温度从居里温度下降时释放的能量密度会逐步增大到峰的顶点,之后缓慢下降.该结论与大量的实验结果一致.吉布斯自由能的两个参数对可逆能量密度峰的温度宽度和高度均有重要影响:极化强度二次方的系数越小能量密度峰的温度宽度越宽;四次方的系数越小能量密度峰的高度越高;它们支配了反铁电体的极化强度、能量特性和介电常数.本文研究了热力学参数对介电常数峰与能量密度峰的综合影响,并发现两者存在密切的关联效应.

摘要： 军事职业活动涉及到多种高难度的任务,对现役人员身体能力要求广泛且多变.军事职业活动可对人体产生极大应激,因此,现役人员需进行日常训练、提高和强化基本任务能力,同时提高机体适应能力,从而确保成功完成多种作业任务.目前,如何最佳化发展现役人员身体方面的适应能力是当前训练和研究的重点问题之一.鉴于军事职业活动本身任务需求的多样性以及健康方面的长期需求,活动方式更类似于古人类的身体活动方式:低强度的身体活动,中间穿插高强度的身体活动.而训练方案与人类早期身体活动模式越相似,适应性和后续表现就越强.因此,人类早期极化的生存模式可能是发展军事职业人员身体方面的能力及保持机体健康的一个有效途径,但缺少直接的证据,尚需要进一步研究.

摘要： 建立了铁电/铁磁双层膜模型,铁电层的电矩用连续标量描述,而铁磁层的自旋应用经典矢量描述.利用蒙特卡罗方法模拟了体系的热力学性质和极化、磁化行为.给出了零场下体系的内能、比热、极化和磁化随温度变化的关系,并分别研究了体系在外磁场和外电场下的极化和磁化行为.模拟结果表明,双层膜体系的内能、比热、极化和磁化性质因层间耦合系数的不同而明显不同,当界面耦合较弱时,双层膜表现出各自的热力学性质,当层间耦合增强到一定程度时,双层膜耦合为一个整体,表现出统一的热力学性质.该双层膜在外场中形成电滞回线和磁滞回线,并表现出偏置特性,界面耦合强度和温度影响滞后回线和偏置现象.

摘要： 稀土掺杂层状钙钛矿结构的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有居里温度高,自发极化大,耐疲劳性好的特点,适用于制作铁电储存器.由于Bi4Ti3O12铁电薄膜的自发极化矢量靠近a轴,近a轴生长的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有大的剩余极化强度.对比研究了随机取向Bi4Ti3O12铁电薄膜和a/b轴择优取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的回线动力学标度.结果 表明a/b轴高择优取向度的Bi4Ti3O12铁电薄膜的标度关系为:低频段∝f0.043E00.8;高频段∝f-0.21E00.8.a/b轴低择优取向度的Bi4Ti3O12铁电薄膜的标度关系为:∝f-0.05E0.917.随机取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的标度关系在高频和低频统一为∝ f-0.07E01.31.

摘要： 本文首次根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出电晕极化的PVDF铁电聚合物驻极体的极化强度.实验结果说明:PVDF铁电聚合物驻极体在180MV/m极化电场下可能形成约35mC/m2的高极化强度.电晕充电组合反极性电晕补偿充电法是研究极性驻极体材料电极化的一种有效方法.

摘要： 微波化学是研究微波与化学反应体系相互作用的一个新兴学科.化学反应体系作为一个典型的非平衡态系统,因此有必要将传统经典的电磁场问题发展到非平衡和非线性领域,对迄今已沿用百年的经典电磁理论进行突破性发展和完善.本文通过对电场作用下化学反应体系的极化和化学反应体系中的波动方程这两个方向进行研究，从宏观角度入手对经典电磁理论就行发展突破，创新性的得到了化学反应体系中极化强度的一般表达，从理论上得到了旋转扩散向量和组份浓度向量，给出了反应体系介电函数适用条件，同时基于表达式基础上发展获得了非平衡态系统的电磁波传播的衰减常数和相位常数，实现了微波作用非平衡态系统的传播特性计算，发现了化学反应体系与电磁波相互作用下的特殊效应。其次从分子角度利用分子动力学模拟和实验，分析了微波场对分子间弱相互作用的影响机制，证明了非热效应的存在性。该研究不仅进一步发展了经典电磁理论，使其适用于分析化学反应为代表的非平衡态动力系统，也为进一步提高微波作用效果提供理论依据与支持，将为我国节能环保的重大需求提供强有力的支持。

摘要： 研究了退火处理对PZT-5H陶瓷铁电、压电性能以及抗老化和抗电疲劳性能的影响。结果表明,250°C退火处理可以有效地提高PZT-5H铁电陶瓷的饱和和剩余极化强度、压电常数和抗老化性、抗电疲劳性性能。分析表明,PZT-5铁电陶瓷性能的改善可能与热处理改变晶粒微区状态和消除内应力等因素有关。

摘要： 氧空位的相对移动及在电极/铁电薄膜界面的捕获是引起铁电薄膜器件产生疲劳的一个重要原因。本文在明确相关疲劳机理的基础上,采用sol-gel和磁控溅射的方法在Si衬底上成功制备了PbZrTiO/BaPbO/Pt异质结构。与在传统的Pt底电极上的PZT铁电薄膜器件相比。在BaPbO/Pt电极上制备的PZT薄膜器件具有更为优良的铁电性能。剩余极化强度为26μC/cm,矫顽电场为86KV/cm。在经过10次极化反转后,极化强度值基本保持不变,显示了优良的抗疲劳特性。

摘要： 应用射频磁控溅射方法，利用快速热退火（RTA）工艺，制备出了具有良好铁电性能的(Ba0.7Sr0.3)TiO3（BST) 铁电薄膜。通过对BST 铁电薄膜的厚度、XRD 图谱、SEM 图像和电滞回线进行分析，优化了制备BST 铁电薄膜的工艺条件。研究表明要想得到单一钙钛矿结构的BST 铁电薄膜，退火温度要高于800°C。氧气气氛的通入有利于降低BST 薄膜的矫顽场强并提高其饱和和剩余极化强度,提高铁电性能。

摘要： 将辅助微分方程（auxiliary differential equation，ADE）法用于线性半导体材料的色散研究。讨论了在线性条件下，半导体材料存在色散时介电率的频域响应表达式，并据此给出极化率的频域响应表达式，运用辅助微分方程（ADE）法,将原来极化率的频域响应表达式转化为极化强度在时域的二阶微分方程；结合麦克斯韦方程，用时域有限差分（FDTD）法中心差分的思想，对麦克斯韦方程作时域有限差分，在半导体材料中存在两个谐振频率时，得到了色散条件下极化强度P、电场E 和磁场H 的递推公式。

摘要： 采用金属有机物热分解(MOD)法制备了锆钛酸铅(PbzrTiOPZT压电薄膜,应用高功率脉冲激光作用在PZT薄膜上,研究脉冲激光的热冲击对PZT薄膜性能的影响.发现经过激光作用后,PZT薄膜的铁电性能发性变化,剩余极化强度值变小,矫顽电压基本不变,疲劳性能变化不大.最后讨论分析了产生这种现象的微观机理.

摘要： 在Pt／Ti／SiO／Si衬底上，用Sol-gel方法制备PZT（40／60）铁电薄膜，选择不同的后期退火温度和时间，研究其对薄膜的微结构、铁电性能的影响，建立了合适的退火条件。对于厚度2200埃的PZT（40／60）铁电薄膜，剩余机化强度Pr＝19.698μc＼cm可转向极化强度ΔP=32.511μC/cm。

摘要： 铁电材料的电卡效应可应用于固态致冷领域，具有节能、高效，环保的优点，有着广阔的应用前景.该文简要叙述了电卡效应的基本原理与发展，总结了国内外关于电卡效应材料的研究成果,分析了影响电卡效应的因素，并对电卡效应的研究前景进行了展望.

摘要： 铁电材料的电卡效应可应用于固态致冷领域，具有节能、高效，环保的优点，有着广阔的应用前景.该文简要叙述了电卡效应的基本原理与发展，总结了国内外关于电卡效应材料的研究成果,分析了影响电卡效应的因素，并对电卡效应的研究前景进行了展望.

摘要： 本发明公开了一种高密度激发极化溶洞探测方法及高强度铜陶镶嵌不极化电极，该方法采用若干等距间隔布置的不极化电极组成的测量系统对待测地段进行密集探测，通过探测获得的数据绘制极化率断面图，根据极化率断面图确定溶洞位置及尺寸。本发明可有效探测充水、充泥和填土溶洞，对较大的空溶洞也有明显反应，探测工作效率高、无遗漏，可广泛应用于中浅层岩溶勘探工作。

摘要： 本发明涉及检测设备领域，尤其涉及一种基于5G双极化天线的强度检测设备，包括底板，所述底板的上端面固定安装有安装架与固定架体，所述固定架体位于安装架的前方，所述固定架体的前端面安装有V型架，所述固定架体的内侧安装有上压机构与下托机构，所述上压机构与下托机构通过安装在固定架体内侧的驱动机构沿竖向相互靠近或者远离，本发明可以进行天线的接线在冬季雨水环境下，表面结冻后的抗性，同时模拟空气流动对此过程的影响，可以协助接线形成安装时的布置方式，以提升检测的精准程度，可以有效检测天线在冬季表面结冻后的抗性，达到测试天线在冬季使用时的稳定性的目的。

摘要： 一种高磁化强度和极化强度的铁酸铋钛酸钡固溶体复合材料的制备方法，制备BiY2Fe5O12粉体和0.7BiFeO3-0.3BaTiO3粉体；将0.7BiFeO3-0.3BaTiO3粉体和BiY2Fe5O12粉体混合均匀后加入PVA粘合剂得到所需复合材料的混合粉末；将复合材料的混合粉末按需要压制成型，加热排除粘合剂PVA，然后烧结成瓷，得到高磁化强度和极化强度的铁酸铋钛酸钡固溶体复合材料。本发明能够将铁酸铋钛酸钡固溶体陶瓷的饱和磁化强度从0.03emu/克提高至4.4emu/g。同时，可以将铁酸铋钛酸钡固溶体陶瓷的剩余极化强度从18.6微库/厘米2提高至20.1微库/厘米2。

摘要： 本发明公开了一种用于提高铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷极化强度的热处理方法，包括如下步骤，将铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷置于单晶硅片上，然后放入退火炉中于氧气气氛下进行热处理，热处理过程中，先通入氧气5min以上，然后以≧20°C/s的升温速率升温至800～1000°C，保温30～180s，并于300s内降温至200°C以下，取出，获得热处理后的铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷；本发明的热处理方法利用短时间内将置于单晶硅衬底上的铁酸铋‑钛酸钡基固溶体陶瓷升温到一定温度并保温一定时间后迅速降温，使陶瓷的极化强度提高。同时高温下原子扩散加快，单晶硅原子与铁酸铋‑钛酸钡相互扩散，利用单晶硅与铁酸铋‑钛酸钡晶胞参数的巨大差异，进一步增大了铁酸铋‑钛酸钡晶胞中的四方性，从而使铁酸铋‑钛酸钡基固溶体陶瓷的极化强度大幅的提升。

摘要： 本发明涉及一种调控铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的方法。具体地，通过控制控铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料化学计量比（1‑y）BiFeO3‑yBa(1‑x)TiO3中x在‑0.03～0.03之间变化，从而实现铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的的调控；其中，y=0.1～0.35。

摘要： 本发明公开了一种兼具高饱和磁极化强度和高直流偏置性能的铁硅铝镍粉芯的制备方法，属于磁性材料技术领域。本发明制备方法主要通过机械球磨结合高温固溶处理的方法制备铁硅铝镍磁粉，再结合纳米氧化硅绝缘工艺及配套的成形与退火热处理工艺，制备出兼具高饱和磁极化强度和高直流偏置性能的铁硅铝镍粉芯。所述铁硅铝镍粉芯在100kHz/1V的相对磁导率为60.3～104.7、在50kHz/100mT的损耗为197.6～301.2 mW/cm3、100Oe磁场强度下的直流偏置性能为68.7～82.3%、饱和磁极化强度为1.40～1.49T。本发明制备方法可以很好地改善铁硅铝系粉芯直流偏置性能差、饱和磁极化强度低的缺点。

摘要： 一种高磁化强度和极化强度的铁酸铋钛酸钡固溶体复合材料的制备方法，制备BiY2Fe5O12粉体和0.7BiFeO3-0.3BaTiO3粉体；将0.7BiFeO3-0.3BaTiO3粉体和BiY2Fe5O12粉体混合均匀后加入PVA粘合剂得到所需复合材料的混合粉末；将复合材料的混合粉末按需要压制成型，加热排除粘合剂PVA，然后烧结成瓷，得到高磁化强度和极化强度的铁酸铋钛酸钡固溶体复合材料。本发明能够将铁酸铋钛酸钡固溶体陶瓷的饱和磁化强度从0.03emu/克提高至4.4emu/g。同时，可以将铁酸铋钛酸钡固溶体陶瓷的剩余极化强度从18.6微库/厘米2提高至20.1微库/厘米2。

摘要： 本发明涉及一种调控铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的方法。具体地，通过控制控铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料化学计量比（1‑y）BiFeO3‑yBa(1‑x)TiO3中x在‑0.03～0.03之间变化，从而实现铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的的调控；其中，y=0.1～0.35。

摘要： 本发明公开了一种用于提高铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷极化强度的热处理方法，包括如下步骤，将铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷置于单晶硅片上，然后放入退火炉中于氧气气氛下进行热处理，热处理过程中，先通入氧气5min以上，然后以≧20°C/s的升温速率升温至800～1000°C，保温30～180s，并于300s内降温至200°C以下，取出，获得热处理后的铁酸铋‑钛酸钡铁电陶瓷；本发明的热处理方法利用短时间内将置于单晶硅衬底上的铁酸铋‑钛酸钡基固溶体陶瓷升温到一定温度并保温一定时间后迅速降温，使陶瓷的极化强度提高。同时高温下原子扩散加快，单晶硅原子与铁酸铋‑钛酸钡相互扩散，利用单晶硅与铁酸铋‑钛酸钡晶胞参数的巨大差异，进一步增大了铁酸铋‑钛酸钡晶胞中的四方性，从而使铁酸铋‑钛酸钡基固溶体陶瓷的极化强度大幅的提升。

摘要： 本发明提供了一种具有高剩余极化强度的铈掺杂铪锆氧铁电薄膜的制备方法及应用。首先使用有机铪源、有机锆源、铈盐为原料，通过多次加热搅拌，制备出澄清透明的铈掺杂铪锆氧前驱体溶液。最后再按照实验设计要求把前驱体溶液涂覆在清洗好的铂基片上，进行干燥、预热以及快速热退火处理得到表面致密均匀的Ce:Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。本发明可以实现对膜的厚度以及掺杂元素含量的灵活调控，显著地提高了薄膜的剩余极化强度。