CdTe

摘要： 碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池是最成功的产业化薄膜太阳电池技术.近年来,CdTe薄膜太阳电池的新一轮技术革新使小面积CdTe薄膜太阳电池的最高光电转换效率从16.5％快速提升至22.1％,该太阳电池的材料和结构的创新,以及相应的宽光谱响应特性是其光电转换效率提升的最显著原因.结合电池结构对宽光谱响应的高效CdTe薄膜太阳电池的制备技术及研究进展进行了介绍,并对此类CdTe薄膜太阳电池的发展做出展望.

摘要： 以巯基丙酸为稳定剂,采用微波辅助水热法合成水溶性的CdTe量子点,然后用低分子量可溶性壳聚糖包埋CdTe量子点,并对其性质展开研究.结果 显示,制得的纳米复合粒子的平均粒径小于5 nm,且与单独CdTe量子点相比,壳聚糖包埋CdTe量子点具有更高的荧光量子产率,荧光强度随pH的变化也优于单独的CdTe量子点,同时壳聚糖包埋后对CdTe的光稳定性没有影响,且包埋后CdTe量子点的细胞毒性大大降低.壳聚糖包埋CdTe量子点更适用于细胞标记和生物成像,具有广阔的应用前景.

摘要： 制备了水溶性半胱氨酸修饰的CdTe和CdTe/CdS核壳结构量子点,实现了对叶酸分子的特异性荧光标记,可作为具有应用潜力的叶酸浓度快速测定荧光探针.实验结果表明,叶酸分子可以使CdTe量子点发生明显的荧光猝灭,而在CdTe/CdS核壳结构量子点中,没有观察到这种猝灭行为.本文采用Stern-Volmer方程对荧光猝灭机制进行了分析,研究表明该猝灭机制是静态荧光猝灭.CdTe量子点在与叶酸分子作用过程中,荧光光谱发射峰发生了约35 nm的蓝移,热力学计算表明,量子点可能与叶酸分子通过静电作用形成了络合结构.

摘要： 从电池结构、关键制备技术与流程、功能层材料与器件性能方面详细阐述了本研究组在高效率宽光谱CdTe薄膜太阳电池方向的研究工作.提出了新的扩散预制层制备工艺,拓展梯度带隙吸收层制备和组分调控工艺窗口;协同调控梯度吸收层预制结构与Se扩散相关的吸收层制备热过程和活化热过程,优化梯度吸收层组分分布和能带结构;解决前电极窗口层与传统制备技术的兼容性问题,消除限制转换效率的前界面势垒;制备得到两种主流结构的CdTeSe薄膜太阳电池,获得19.1％的器件光电转换效率.

摘要： 以CdCl_(2)·2.5H_(2)O为镉源,TeO_(2)为碲源,水合肼为还原剂,利用共沉淀-还原法制备了CdTe纳米颗粒。采用扫描电镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、傅里叶红外光谱仪和固体紫外-可见分光光度计对CdTe纳米颗粒的形貌、结构和光吸收性能进行表征。结果表明,水浴温度为80°C、水浴时间为6 h、烧结温度为400°C、烧结时间为2 h时制备的CdTe有较高的结晶度和较好的光吸收性。通过荧光光谱测试发现,CdTe溶液的荧光强度随谷胱甘肽(GSH)浓度的增加而增大,在0.005~0.8 mmol/L检测范围的检测极限(LOD)为0.004 mmol/L。该研究为制备CdTe荧光探测器提供了新技术,而且为解释GSH在CdTe溶液中的荧光响应提供了依据。

摘要： 主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底.本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向.

摘要： 通过改进的垂直布里奇曼法(MVB),引入铟(In)元素掺杂,在Te过量条件下生长CdTe:In和CdZnTe:In晶体,对比研究了两种晶体的质量、电学性能与光学性能之间的关联.结果表明,晶体的结晶质量和电学性能优劣可通过晶体光学性能结果给出定性评价.一方面,CdZnTe:In晶体的红外透过率高,达到了63％,接近于理论值,同时晶体中富Te相的形貌与尺寸相似、分布均匀,故CdZnTe:In晶体的结晶质量较好,相应的晶体电阻率达到了109数量级,电学性能较好.另一方面,CdZnTe:In晶体的光致发光谱中出现的(D0,X)峰较尖锐,半峰宽约为8.6 meV,且谱峰中相邻的FE峰清晰可见,这表明CdZnTe:In晶体中Te夹杂/沉淀数量少,晶体具有高阻特性.

摘要： CdTe(蹄化镉)薄膜光伏电池技术是通过对CdTe薄膜特性、光电转换效率、高效充电特性的研究,提出一种制作CdTe(蹄化镉)薄膜光伏电池的方法.该技术采用了矩阵开关电路,解决了强弱光自适应及低功耗的技术难题;采用非对称的多个电池芯、电芯开关电路和控制软件,提高了电池的使用寿命.

摘要： 2019年2月28日,由中国光伏行业协会户用光伏专业委员会主办、Solarbe索比光伏网、鉴衡认证、国检集团承办的中国户用光伏品牌大会在北京隆重举行。中山瑞科CEO齐鹏飞博士表示,CdTe发电玻璃对倾角依赖性不大,受遮挡影响较小,适用于建筑立面,同等装机量下,发电量高出10%以上,可作为优质建材推动“光伏+建筑”的应用。

摘要： 本文介绍了该研究小组搭建的线阵计数型多能碲锌镉探测器系统，包括我们自己制备的线阵CZT探测器，其电学性能和辐射探测性能的检测，并测试了它的耐辐射性能：用离散元件建成的多能成像的电子学系统及其性能检测;整个成像系统的性能检测结果。给出了初步的实验结果及分析讨论。

摘要： 本文介绍了该研究小组搭建的线阵计数型多能碲锌镉探测器系统，包括我们自己制备的线阵CZT探测器，其电学性能和辐射探测性能的检测，并测试了它的耐辐射性能：用离散元件建成的多能成像的电子学系统及其性能检测;整个成像系统的性能检测结果。给出了初步的实验结果及分析讨论。

摘要： 本文介绍了该研究小组搭建的线阵计数型多能碲锌镉探测器系统，包括我们自己制备的线阵CZT探测器，其电学性能和辐射探测性能的检测，并测试了它的耐辐射性能：用离散元件建成的多能成像的电子学系统及其性能检测;整个成像系统的性能检测结果。给出了初步的实验结果及分析讨论。

摘要： 本文介绍了该研究小组搭建的线阵计数型多能碲锌镉探测器系统，包括我们自己制备的线阵CZT探测器，其电学性能和辐射探测性能的检测，并测试了它的耐辐射性能：用离散元件建成的多能成像的电子学系统及其性能检测;整个成像系统的性能检测结果。给出了初步的实验结果及分析讨论。

摘要： 本文介绍了碘化汞作为辐射探测器的一些基本性能研究,包括电性能,能谱测量,温度性能等.10mm*10m*1.2m的平面电极HgI2探测器对241Am 60keV伽玛射线的能量分辨率在室温下为5％,且在温度升到81度后,再回到室温时,分辨率仍能达到5％.

摘要： 本文介绍了碘化汞作为辐射探测器的一些基本性能研究,包括电性能,能谱测量,温度性能等.10mm*10m*1.2m的平面电极HgI2探测器对241Am 60keV伽玛射线的能量分辨率在室温下为5％,且在温度升到81度后,再回到室温时,分辨率仍能达到5％.

摘要： 本文介绍了碘化汞作为辐射探测器的一些基本性能研究,包括电性能,能谱测量,温度性能等.10mm*10m*1.2m的平面电极HgI2探测器对241Am 60keV伽玛射线的能量分辨率在室温下为5％,且在温度升到81度后,再回到室温时,分辨率仍能达到5％.

摘要： 本文介绍了碘化汞作为辐射探测器的一些基本性能研究,包括电性能,能谱测量,温度性能等.10mm*10m*1.2m的平面电极HgI2探测器对241Am 60keV伽玛射线的能量分辨率在室温下为5％,且在温度升到81度后,再回到室温时,分辨率仍能达到5％.

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摘要： 本文介绍了碘化汞作为辐射探测器的一些基本性能研究,包括电性能,能谱测量,温度性能等.10mm*10m*1.2m的平面电极HgI2探测器对241Am 60keV伽玛射线的能量分辨率在室温下为5％,且在温度升到81度后,再回到室温时,分辨率仍能达到5％.

摘要： 本发明描述了一种用于活化半成品薄膜晶体管的CdTe层(4)的方法，其中现有技术中使用的CdCl2至少部分被危险性较小、易于处理的物质取代，其中维持生产CdTe薄膜太阳能电池的整体方法。这是通过在CdTe层(4)上施加次氯酸钙和随后对半成品薄膜CdTe太阳能电池进行热处理来实现的。

摘要： 本发明提供了一种CdTe电池背电极，包括背电极缓冲材料和C/Cu复合材料；所述C/Cu复合材料为纳米铜粒子和包覆在其表面的碳层形成的复合材料。本发明在背电极缓冲材料中加入碳包覆铜复合材料来取代Cu，碳包覆的结构能有效防止被包裹的纳米Cu粒子受环境影响，给Cu粒子提供了一个相对稳定的环境，而且在背电极缓冲材料中掺杂碳包覆铜复合材料，包覆层与使用的主体物质浆料成分相似，能较好的相溶，而包覆在其中的Cu粒子不仅可与富Te层生成CuxTe提供Cu物质，生成的CuxTe能有效提升电池性能，而且因为碳层包覆，因Cu浓度差而引起的前扩散能会比纯Cu明显降低，从而有效控制Cu的扩散，实现电池长久的稳定性。

摘要： 本发明涉及一种用来调理CdTe薄层太阳能电池的CdTe层的方法。本发明的主题是一种处理基材上置式薄层太阳能电池半成品的CdTe层的方法，该薄层太阳能电池半成品具有作为最表面覆层的CdTe层。根据现有技术，这些表面经受NP腐蚀并且接着被涂镀。然而在NP腐蚀时产生的碲氧化物被证实对于随后的涂镀步骤是不利的。因此提出了，存在的碲氧化物在进一步的加工中借助于还原剂还原为碲。

摘要： 本发明提供了一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构，包括依次叠加设置的第一过渡金属氧化物薄膜、第二CdTe薄膜、Cu金属薄膜和金属背电极。本申请通过在两层CdTe薄膜之间设置过渡金属氧化物薄膜，以阻挡Cu原子向CdTe层及CdS/CdTe异质结区的扩散，在保证低阻接触的情况下提高了太阳电池的稳定性；本申请还提供了所述CdTe薄膜太阳电池的背接触结构的制备方法以及包括所述CdTe薄膜太阳电池背接触结构的太阳电池。

摘要： 本公开提供一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法：所述方法包括，在固态CdTe薄膜的制备过程中，在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层，所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。通过本公开的制备技术，可以得到具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。利用本公开制备的CdTe薄膜光吸收层，可以制备高转换效率的CdTe薄膜太阳电池。

摘要： 本发明涉及一种硅基CdTe‑GeSn‑CdTe异质横向PiN二极管的制备方法及其器件，制备方法包括：选取GeOI衬底并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区，形成深度小于顶层GeSn区厚度的P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线，以完成硅基CdTe‑GeSn‑CdTe异质横向PiN二极管的制备。本发明二极管通过顶层GeSn区的引入极大的提高了载流子迁移率以及分布均匀性，同时极大的提高了载流子输运特性，显著的改善了固态等离子体PiN二极管微波特性。

摘要： 本发明描述了一种用于活化半成品薄膜晶体管的CdTe层(4)的方法，其中现有技术中使用的CdCl

摘要： 本发明提供了一种CdTe电池背电极，包括背电极缓冲材料和C/Cu复合材料；所述C/Cu复合材料为纳米铜粒子和包覆在其表面的碳层形成的复合材料。本发明在背电极缓冲材料中加入碳包覆铜复合材料来取代Cu，碳包覆的结构能有效防止被包裹的纳米Cu粒子受环境影响，给Cu粒子提供了一个相对稳定的环境，而且在背电极缓冲材料中掺杂碳包覆铜复合材料，包覆层与使用的主体物质浆料成分相似，能较好的相溶，而包覆在其中的Cu粒子不仅可与富Te层生成CuxTe提供Cu物质，生成的CuxTe能有效提升电池性能，而且因为碳层包覆，因Cu浓度差而引起的前扩散能会比纯Cu明显降低，从而有效控制Cu的扩散，实现电池长久的稳定性。

摘要： 本发明描述了一种对CdTe薄层太阳能电池的CdTe层进行调理的方法，其中，通过更安全的、更容易处理的物质代替了在现有技术中所采用的CdCl

摘要： 本发明提供了一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构，包括依次叠加设置的第一过渡金属氧化物薄膜、第二CdTe薄膜、Cu金属薄膜和金属背电极。本申请通过在两层CdTe薄膜之间设置过渡金属氧化物薄膜，以阻挡Cu原子向CdTe层及CdS/CdTe异质结区的扩散，在保证低阻接触的情况下提高了太阳电池的稳定性；本申请还提供了所述CdTe薄膜太阳电池的背接触结构的制备方法以及包括所述CdTe薄膜太阳电池背接触结构的太阳电池。