MBE

摘要： 结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨.InSb基外延材料(尤其是InAlSb)确实具有低暗电流、噪声抑制、高工作温度和温度稳定性优势,但材料中存在的较多缺陷影响了探测器的信号电流、探测率、响应率和电阻.分子(原子)氢脱氧技术、生长温度和V/III比等工艺参数优化可以降低材料表面缺陷,提高像元的均匀一致性;继续优化材料结构和掺杂,可以提高探测器的信号响应和工作温度;继续优化刻蚀等器件工艺可为外延型大面阵焦平面阵列制备奠定基础.

摘要： 基于经典Varshni模型,提出了In1-xAlxSb的能带值Eg随Al组分和温度变化的经验关系Eg(x,T),并通过已有的文献数据对该公式进行有效性的验证.实验上,采用分子束外延方法在InSb(100)衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的InAlSb外延层.运用高分辨率X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,计算得出Al组分为2.8％.然后将InAlSb材料制备成红外探测器二极管并测量77～260 K下的光谱响应曲线,从而计算出In0.972 Al0.028 Sb材料的能带值随温度的变化关系.对比分析的结果表明:实验观察和文献数据均与理论推导基本吻合.InAlSb能带值与Al组分和温度变化关系的确定为探测器材料结构设计提供了必要的理论支撑.

摘要： 由于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料有较高的表面态密度,易在表面生成导电氧化层,在将其制备成红外器件的过程中,首先要解决钝化问题.钝化效果和覆盖膜层质量对红外器件的表面漏电和噪声有很大影响.使用阳极氟化加硫化锌的方法,对中短波双色InAs/GaSb超晶格进行钝化,使用俄歇电子能谱测试证实了阳极氟化的可靠性,使用77 K下的J-V测试结果,对比证实了氟化的钝化效果和对漏电流密度的改善效果.结果表明,阳极氟化加硫化锌的钝化方法可以有效抑制漏电.

摘要： 主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底.本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向.

摘要： 采用分子束外延(MBE)技术制备In0.5Ga0.5As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.%The In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots (QDs) were prepared by the technique of molecular beam epitaxy (MBE), Scanning tunneling microscope (STM) was used to characterize the samples grown at different growth temperatures. The results show that the densities of the In0.5Ga0.5As/GaAs QDs increase first and then decrease, and the sizes increase with the increase of temperature. Besides, this work demonstrates that the growth mode of QDs is affected by curing mechanism of Ostwald. The energy needed for the size increase is provided by strain energy and temperature, however, the growth of QDs is limited by the desorption of surface adatoms at high temperature.

摘要： 接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向.本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证.采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In1-xAlxSb薄膜的Al组分进行了调控和检测.5.3 μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9％.10μm×10 μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm.制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础.

摘要： 1.(1)已知:a=(12)14,b=(13)12,c=(14)12,用“>”符号连起来,为.(2)设x≠0,y≠0,且xy=x y=x-y,则x+y=.(安徽省淮南市第三中学(232007)王秉春)2.(1)凸n边型的内角中,最多有个锐角.(2)图中“勤思善学妙算”这六个汉字,分别代表670—675这六个不同的整数,使得图中三个“品”字中的三个整数之和都等于2019,请设计一种方案.

摘要： 本文通过常规观测资料、地面加密自动站资料、雷达回波、数值预报产品等资料对2010年6月18日衢州北部及杭州南部交界一带地区出现的短时强降水进行分析。结果表明：中高层低槽东移及低层的辐合触发了此次强降水过程：雷达反射率因子有效的反映了此次降水过程的落区并在强降水时间段上具有一定提前示警作用；同时，本文引入MCC移动概念模型做区域性短时强降水预报的新尝试，发现该模型不仅能提高本地短时强降水的预报时效性，且对强降水的落区和移动速度也有很好的预报效果。

摘要： 本文通过常规观测资料、地面加密自动站资料、雷达回波、数值预报产品等资料对2010年6月18日衢州北部及杭州南部交界一带地区出现的短时强降水进行分析。结果表明：中高层低槽东移及低层的辐合触发了此次强降水过程：雷达反射率因子有效的反映了此次降水过程的落区并在强降水时间段上具有一定提前示警作用；同时，本文引入MCC移动概念模型做区域性短时强降水预报的新尝试，发现该模型不仅能提高本地短时强降水的预报时效性，且对强降水的落区和移动速度也有很好的预报效果。

摘要： 本文通过常规观测资料、地面加密自动站资料、雷达回波、数值预报产品等资料对2010年6月18日衢州北部及杭州南部交界一带地区出现的短时强降水进行分析。结果表明：中高层低槽东移及低层的辐合触发了此次强降水过程：雷达反射率因子有效的反映了此次降水过程的落区并在强降水时间段上具有一定提前示警作用；同时，本文引入MCC移动概念模型做区域性短时强降水预报的新尝试，发现该模型不仅能提高本地短时强降水的预报时效性，且对强降水的落区和移动速度也有很好的预报效果。

摘要： 研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340°C时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

摘要： 研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340°C时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

摘要： 研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340°C时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

摘要： 研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340°C时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

摘要： 研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340°C时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

摘要： 研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340°C时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

摘要： 研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340°C时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

摘要： 本发明公开了一种基于MBE法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构。通过MBE法在衬底层上依次外延出渐变缓冲层、驰豫层，最后在弛豫层上外延出应变金刚石层，并通过MBE法进行掺杂。MBE应变金刚石在生长和掺杂过程中，能够较为精确的对渐变缓冲层和驰豫层中的材料进行组分控制，获得原子级平滑的表面，使得驰豫层材料晶格常数大于金刚石材料晶格常数，使得金刚石处于拉应变状态，进而提高金刚石的掺杂效率。

摘要： 本发明公开了一种利用MBE再生长的横向结构GaN基JFET器件及其制备方法。该方法首先利用金属有机物汽相化学沉积装置在硅衬底上外延好半绝缘的3‑5μm的GaN层，再外延300nm左右的n‑GaN沟道层，然后在外延好的器件结构上刻蚀出陡峭的n沟道台面，接着利用MBE在台面两侧通过掩模选区外延p‑GaN，与中间n沟道台面形成横向突变的p‑n结，从而构成一种具有横向沟道的结构简单的GaN‑JFET。

摘要： 本发明公开了一种STM‑MBE联用系统，包括进样腔体、样品制备腔体、样品表征腔、支撑台以及烘烤系统。其中表征腔是直接购买的商用STM进样腔，可以实现在进样腔内很好的对样品进行解离、转移、以及沉积一些易污染真空的小分子。制备腔采用了预留下置圆形对称排列的窗口用于放置蒸发源，一次同时可以放置七个蒸发源，另外制备腔体采用了分子泵直接安装于离子泵后面的方式，可以实现分子泵对制备腔体的直抽，提高制备腔体的真空度，同时制备腔体预留了相比于以往的制备腔体，预留了更多的窗口，使其具有更多升级的空间，以及根据实验需要变化的可能性。烘烤系统，采用了外置进样腔的烘烤模式，且烘烤板采用双开门设计易于拆卸安装。具有更多的自我组装空间。

摘要： 本发明公开了一种PA‑MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N2plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质量，高电子迁移率的单晶GaN薄膜。生长过程中，通过固定金属源束流，设定较低的生长速率；通过调节反射高能电子衍射(RHEED)的恢复时间，判定生长过程中的富Ga状态；通过调节衬底温度使得材料的生长模式从二维台阶生长模式+三维岛状生长模式转变为二维台阶生长模式。

摘要： 本发明公开了一种基于MBE法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构。通过MBE法在衬底层上依次外延出渐变缓冲层、驰豫层，最后在弛豫层上外延出应变金刚石层，并通过MBE法进行掺杂。MBE应变金刚石在生长和掺杂过程中，能够较为精确的对渐变缓冲层和驰豫层中的材料进行组分控制，获得原子级平滑的表面，使得驰豫层材料晶格常数大于金刚石材料晶格常数，使得金刚石处于拉应变状态，进而提高金刚石的掺杂效率。

摘要： 一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线。本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。

摘要： 本发明提供基于MBES的海底沙波地貌运动探测装置，涉及海底沙波地貌运动探测技术领域。该基于MBES的海底沙波地貌运动探测装置，包括外筒，所述外筒的下端设置有三个斜切面，且斜切面处均设置有多普勒流速仪，所述外筒的上内壁固定连接有电动推杆，所述电动推杆的输出端固定连接有压架；所述外筒的下侧壁转动连接有转动内座，所述外筒的下侧壁内设置有第二电机，所述第二电机的输出端固定连接有齿轮，所述转动内座中部的外侧面设置有与齿轮相啮合的外齿。通过多普勒流速仪可以测得水体内水流流速的情况，进而可以得到水流流向，电机的驱动下使挡罩迎向水流，并在共振器的作用下减少水流对多波束回声测深仪的干扰，提高探测的可靠性。

摘要： 本发明公开了一种MBE外延片生产方法，包括如下步骤：步骤S1、衬底处理、步骤S2、生长介质层、步骤S3、热化学处理、步骤S4、生长氮化物润湿层、步骤S5、依次生长AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN MQWs量子阱层和p‑GaN层、步骤S6、检测合格后，包装。本发明公开的MBE外延片生产方法工艺简单，操作控制方便，耗能低，对设备依赖性小，适合工业化大规模生产；通过该生产方法制成的MBE外延片表面质量好、缺陷少，衬底易去除，电化学性能优异。

摘要： 一种基于MBE技术的蒸发裂解炉针阀结构，其特征在于：阀盖包括底座、底座盖，且底座与底座盖之间形成有弹簧腔；阀杆呈“T”字形，其上端设置在阀盖的弹簧腔内；针头阀瓣与波纹管均采用金属钽材质，波纹管套设在阀杆外，且其两端分别与底座、针头阀瓣密封连接；复位弹簧设置在弹簧腔内，并套设在阀杆外，复位弹簧两端分别与阀杆、底座相抵接；旋钮把手与底座盖螺纹配合，且其下端伸入弹簧腔，与阀杆的顶部相抵接。采用上述方案，能够精确控制蒸发区到裂解区的束流速度，保证裂解区的分子及团簇能够充分裂解，且不引入因腐蚀带来的杂质。

摘要： 本实用新型针对现有技术中,在衍射过程中固定RHEED屏幕时,无法对屏幕进行替换，一种型号的框架对应一种型号的屏幕，增加成本，同时，容易造成电荷堆积的问题，提供一种应用于MBE系统的荧光屏固定夹具,该夹具包括环形夹具主体，夹具主体上设置有支撑装置、压紧装置、紧固装置，支撑装置设置在夹具主体的环内侧，压紧装置设置在支撑装置下方，在支撑装置朝向压紧装置的一侧设置有具有导电性能的弹性接触件，压紧装置与夹具主体可拆卸地固定连接，通过压紧装置和弹性接触件将荧光屏夹紧，采用本实用新型提供的应用于MBE系统的荧光屏固定夹具，通过弹性接触增大了屏幕的固定力度，提高了导电性能，同一个夹具主体可以重复使用，节约了成本。