封装器件

摘要： 针对半导体封装器件盖板受力拉脱这一问题,提出一种简便易行的获取极限应力及全场应变分布的方法,利用数字图像相关(DIC)技术,对变形前后的散斑图像进行对比分析,即可获得物体表面位移及应变分布,根据位移变化关系可进一步计算出垂直度偏差。实验研究表明,该方法为实际工程应用提供了高精度倒装芯片拉脱强度数据。

摘要： 日前,威世宣布,扩展IHSR系列高饱和商用电感器,推出最新4mm×4mm 1616外形尺寸超薄封装器件---IHSR-1616AB-01. Vishay Dale IHSR-1616AB-01专为计算机、工业和通信应用多相大电流电源及滤波器而设计,直流电阻(DCR)比一般功率电感器降低50%,直流电阻标准允差为5%,最低3%允差可用于更精确的电流采样。

摘要： 3D立体封装技术的诞生和应用极大地丰富了微电子器件的功能,促进了微电子产品的小型化,同时也提升了电子封装器件的功率密度,使器件结构日益复杂,由此带来的器件热管理问题愈发严重.可见,热失效是微电子封装器件的主要失效形式之一.本文针对某型直流—直流功率变换器这一具有代表性的微电子封装器件进行热失效分析和优化研究,并针对器件的热循环加载形式进行改进,证明了热循环加载形式对微电子封装器件焊点热疲劳寿命的预测结果有很大影响.

摘要： 探讨LED标准光组件层级1——封装器件技术规范,结合LED照明产品的产业和质量特性,对LED标准光组件层级1——封装器件的技术规范提出修订建议.

摘要： 这款全新AEC-Q200标准认证的厚膜功率电阻器LTO150,采用夹片式TO247封装,可直接安装到散热器上。此款电阻器适用于汽车应用,VishaySferniceLTO150可在+45°C的外壳温度下,提供150W的行业领先功率耗散,并具有更强的脉冲处理能力。该产品比同类其他TO247封装器件功率耗散高出70%,从而减少了为电阻添加冷却元件——可节省电路板空间,简化布局,降低整体解决方案成本。与类似的TO247器件相比,LTO150在能量处理方面性能提高30%,进一步突出上述优势,使设计人员可以采用更少的电阻器。

摘要： 2016年，LED行业出现了难得一见的涨价风潮。数据显示，上中游芯片、器件价格整体上涨。下游市场需求的放量增长，原材料、配件及人工成本的上升推动供应链全线涨价。2016年下半年以来，LED上游芯片产品价格上涨平均幅度约在10．15％，中游封装器件价格提升幅度在5-10％。

摘要： 2015年光通信芯片市场增长4％，未来5年的复合年增长率达8％，到2018年，光芯片及其封装器件市场将达到105亿美元。光传输市场仍然是其最大的市场。数据中心市场增长最快，将以22％的复合年增长率增长，2018年将达45亿美元。此外，光接入市场需求趋于平稳，每年的需求量维持在10亿美元。

摘要： Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出的高压整流器系列包含SIMSWFQ标准整流器及RSIMSWFQ快速整流器两款符合AEC—Q101标准的器件，旨在为车用电子控制单元提供强劲的整流、阻断和反向电池保护功能。SOD123F封装的离板厚度最高为1．15mm，不及SMA封装的一半。其7mm2的电路板占位面积仅占同类型SMA封装器件所需面积的43％。

摘要： 对倒装芯片封装(Flip-Chip package)器件开封技术进行研究.总结了倒装芯片封装的类型、结构和封装材料;从理论上证明了倒装芯片封装器件开封的可能,并找出了限制开封的制约因素;提出了一种倒装芯片封装器件开封方法,该方法通过X射线检查、镶嵌、磨抛和酸刻蚀的综合应用突破了限制这类器件开封的因素,并证明了该方法的适用性;给出了建议的试验条件,展示了开封效果.

摘要： 介绍了QFN封装器件的手工焊接和返修的过程，特别对搪锡、焊接、清洗及检验等几个环节进行了详细说明，分析了手工焊接和返修的注意事项，最后总结得出，除了操作人员的技术水平外，设计选材（包括PCB和器件），焊接以及检验过程控制等也对手工焊接质量有着重要影响。只要从人、机、料、法、环等环节严格控制，就可以实现QFN器件的手工焊接与返修。

摘要： 多年来SMT的返修系统儿乎是热风系统一统天下，然而在实际使用中，尤其是在对BGA、CSP先进封装器件电路板的返修过程中，热风返修系统却暴露出很多明显的缺点。本文介绍了元件表面温度分布不均匀、BGA、CSP焊接过程器件产生倾斜和偏移现象以及获取较理想的回流焊接温度曲线既费时又费工等全闭环控制BGA、CSP红外返修系统的缺点。

摘要： 在印制电路板的组装工作中，企业和厂家不断在追求零缺陷的理想目标。多年来SMT的返修系统几乎是热风系统一统天下，然而在实际使用中，尤其是在对BGA，CSP先进封装器件电路板的返修过程中，热风返修系统却暴露出很多明显的缺点。本文指出元件表面温度分布不均匀、BGA、CSP焊接过程器件产生倾斜和偏移现象、获取较理想的回流焊接温度曲线既费时又费工等缺点。

摘要： 本文针对热风返修系统在BGA、CSP封装器件电路板的返修过程中暴露出的缺点,研制了全闭环控制的BGA、CSP红外返修系统,该系统已在很多电子组装工厂中使用.

摘要： 本文采用先进激光全息技术的光学检漏方法有其独特的优势和意义，文章对光学检漏原理、检漏灵敏度范围、使用设备进行了分析。

摘要： 本文采用先进激光全息技术的光学检漏方法有其独特的优势和意义，文章对光学检漏原理、检漏灵敏度范围、使用设备进行了分析。

摘要： 本文采用先进激光全息技术的光学检漏方法有其独特的优势和意义，文章对光学检漏原理、检漏灵敏度范围、使用设备进行了分析。

摘要： 本文采用先进激光全息技术的光学检漏方法有其独特的优势和意义，文章对光学检漏原理、检漏灵敏度范围、使用设备进行了分析。

摘要： 本文采用先进激光全息技术的光学检漏方法有其独特的优势和意义，文章对光学检漏原理、检漏灵敏度范围、使用设备进行了分析。

摘要： 本发明提供了一种陶瓷气密封装器件开封方法及陶瓷气密封装器件开封装置，属于半导体试验技术领域，所述方法包括化学处理，获取第一预设温度的碱性溶液，在第一预设时间内将陶瓷气密封装器件中的陶瓷封装盖板和硅硼酸玻璃放置于所述碱性溶液中浸泡；加热处理，在第二预设时间内以第二预设温度对浸泡后的陶瓷气密封装器件进行加热；剥离开封，固定陶瓷气密封装器件，并对陶瓷气密封装器件的陶瓷封装盖板进行剥离操作。本发明提供的陶瓷气密封装器件开封方法，对剥离开封过程中操作件磨损少，开封质量好，剥离开封步骤用时少、速度快。

摘要： 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。

摘要： 本申请提供一种封装器件的封装结构、方法及封装器件，待封装器件的凹槽内设有从槽内延伸至槽外的组件，封装结构封装于凹槽的内壁与组件的外壁之间，封装结构包括：烧结成一体的陶瓷封装层和玻璃封装层，且陶瓷封装层与玻璃封装层的厚度比例在1/10至5/1之间，封装结构的厚度在0.1至2.0毫米之间，其中，陶瓷封装层同时与凹槽的内壁和组件的外壁接触，且玻璃封装层同时与凹槽的内壁和组件的外壁接触。这样的封装结构在整体厚度上可以以较小的厚度(在重量上也能够减小)，达到很高的抗压、绝缘、密封、导热性能，能够满足对封装器件要求更高的领域，例如航空航天领域等高精尖端领域。

摘要： 本发明提供了一种陶瓷气密封装器件开封方法及陶瓷气密封装器件开封装置，属于半导体试验技术领域，所述方法包括化学处理，获取第一预设温度的碱性溶液，在第一预设时间内将陶瓷气密封装器件中的陶瓷封装盖板和硅硼酸玻璃放置于所述碱性溶液中浸泡；加热处理，在第二预设时间内以第二预设温度对浸泡后的陶瓷气密封装器件进行加热；剥离开封，固定陶瓷气密封装器件，并对陶瓷气密封装器件的陶瓷封装盖板进行剥离操作。本发明提供的陶瓷气密封装器件开封方法，对剥离开封过程中操作件磨损少，开封质量好，剥离开封步骤用时少、速度快。

摘要： 本发明公开了封装器件及其制造方法，以及用于半导体器件的封装方法。在一种实施方式中，一种封装器件包括具有集成电路管芯安装区域的衬底。底部填充材料流动阻止部件围绕所述集成电路管芯安装区域设置。本发明还公开了封装方法。

摘要： 本发明公开了一种基板、集成封装器件及集成封装器件的制作方法，基板包括图形化的导电层、隔绝结构层和芯片焊盘单元；导电层设有至少三层并叠层排列；隔绝结构层设有若干层并分别插设在相邻两导电层之间，隔绝结构层包括基体层和至少一绝缘层；芯片焊盘单元设有若干个并排列成矩阵；非底层的各导电层分别与至少一行芯片焊盘单元对应；芯片焊盘单元设有若干类且分别与各导电层对应，各类芯片焊盘单元均设置在顶层的隔绝结构层上；底层导电层与其上方的各非底层导电层分别通过导通孔连接；顶层导电层与对应的芯片焊盘单元连接；非顶层导电层分别与对应的芯片焊盘单元通过连通孔连接。本发明可实现封装器件的高分辨率、减小封装尺寸。

摘要： 本申请公开了一种晶圆级封装器件和扇出型封装器件，包括：晶圆，包含多个芯片，所述芯片的功能面上设置有焊盘；第一介电层，位于所述功能面一侧；再布线层，位于所述第一介电层背离所述芯片一侧，包括多个再布线，且一个所述再布线通过一个所述第一开口与一个所述焊盘连接；其中，至少一个所述再布线包括间隔设置的第一部和第二部；至少一个连接线，位于所述再布线层远离所述芯片一侧，且所述连接线跨接设置于同一所述再布线的所述第一部和所述第二部的上方，以使同一所述再布线的所述第一部通过所述连接线与所述第二部电连接。通过上述器件，本申请能够减少介电材料的使用，降低芯片封装的成本。

摘要： 本申请提出了一种封装器件及封装器件的制作方法。封装器件包括：基板；芯片，设于基板的第一侧面；塑封体，罩设于芯片外，塑封体设有多个塑封侧面和一个塑封顶面，塑封侧面的第一端与基板的第一侧面相连接，塑封侧面的第二端与塑封顶面相连接，至少一个塑封侧面与基板的第一侧面之间的夹角为锐角塑封侧面；屏蔽层，屏蔽层设于基板的第一侧面，屏蔽层罩设于塑封体外，屏蔽层贴合于塑封侧面和塑封顶面。塑封体的至少一个塑封侧面与基板的第一侧面之间的夹角是锐角，在适当的溅射角度下，对应于锐角的塑封侧面受到来自基板的反弹溅射，塑封顶面和其他塑封侧面受到直接溅射，塑封顶面和多个塑封侧面同时受到溅射，从而使得屏蔽层的厚度均匀。

摘要： 本申请提出了一种封装器件及封装器件的制作方法。封装器件包括：基板，基板设有接地件，基板的第一侧设有焊盘，接地件的第一端与焊盘连接；芯片，芯片设于基板的第二侧；屏蔽层，屏蔽层设于基板的第二侧，屏蔽层罩设于芯片外，屏蔽层与接地件的第二端连接。本申请中，基板设置有接地件，接地件的材质可以为金属，接地件的第一端与基板的焊盘连接，接地件的第二端与屏蔽层连接，因此屏蔽层可以通过接地件连接于焊盘；封装器件的实际应用中，屏蔽层可以通过接地件焊盘接地，极大地提升屏蔽层的电磁屏蔽效果。

摘要： 本申请提供一种封装器件的封装结构及封装器件，待封装器件的凹槽内设有从槽内延伸至槽外的组件，封装结构封装于凹槽的内壁与组件的外壁之间，封装结构包括：烧结成一体的陶瓷封装层和玻璃封装层，且陶瓷封装层与玻璃封装层的厚度比例在1/10至5/1之间，封装结构的厚度在0.1至2.0毫米之间，其中，陶瓷封装层同时与凹槽的内壁和组件的外壁接触，且玻璃封装层同时与凹槽的内壁和组件的外壁接触。这样的封装结构在整体厚度上可以以较小的厚度(在重量上也能够减小)，达到很高的抗压、绝缘、密封、导热性能，能够满足对封装器件要求更高的领域，例如航空航天领域等高精尖端领域。