倒装芯片

摘要： 深南电路不超25.5亿元定增获证监会核准批复2022年1月4日,深南电路发布公告称,公司于2022年1月4日收到中国证监会出具的《关于核准深南电路股份有限公司非公开发行股票的批复》(证监许可〔2021〕4151号)。据此前公告,深南电路拟定增募资不超过25.5亿元,用于高阶倒装芯片用IC载板产品制造项目和补充流动资金。深南电路称,本次非公开发行的募投项目之高阶倒装芯片用IC载板产品制造项目,将进一步完善我国集成电路产业链。本次定增后,可以提升公司的生产能力。

摘要： 系统级封装(Si P)及微系统技术能够在有限空间内实现更高密度、更多功能集成,是满足宇航、武器装备等高端领域电子器件小型化、高性能、高可靠需求的关键技术。重点阐述了基于硅通孔(TSV)转接板的倒装焊立体组装及其过程质量控制、基于键合工艺的芯片叠层、基于倒装焊的双通道散热封装等高密度模块涉及的组装及封装技术,同时对利用TSV转接板实现多芯片倒装焊的模组化、一体化集成方案进行了研究。基于以上技术实现了信息处理Si P模块的高密度、气密性封装,以及满足多倒装芯片散热与CMOS图像传感器(CIS)采光需求的双面三腔体微系统模块封装。

摘要： 本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6μm,像素周期为8μm,像素密度达到3129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。

摘要： 近年来随着电子产品的小型化发展,窄节距倒装芯片互连已经成为研究热点.传统的倒装芯片组装后底部填充技术(例如底部毛细填充)在用于窄节距互连时易产生孔洞,导致可靠性降低,因此产业界开发了面向窄节距倒装芯片互连的预成型底部填充技术,主要包括非流动底部填充和圆片级底部填充.介绍了这类新型底部填充技术的具体工艺及材料需求,并提出了目前其在大规模量产以及未来更窄节距应用中存在的问题及挑战,总结了目前产业界在提高量产生产效率、提升电互连的可靠性以及开发纳米级高热导率填料等方面提出的解决方案,分析了该技术未来的发展方向.

摘要： 为实现航空微电路维修中均匀BAG焊球的小批量快速制备,提出基于均匀微滴喷射技术的均匀焊球快速制备试验研究,重点研究了喷嘴直径、驱动信号脉宽、幅值以及喷射温度对焊球尺寸的影响规律,分析了所制备的均匀焊球的均匀度、球形度以及内部质量.结果表明:喷嘴直径为焊球直径尺寸的强相关参数,驱动信号幅值为显著影响参数、脉宽及喷射温度为无显著影响参数,可结合喷嘴直径与驱动信号幅值进行颗粒尺寸调节;不同直径喷嘴喷射得到的均匀微滴均匀度小于其直径的5％,且焊球球形度较高,金相照片显示焊料颗粒内部组织均匀且致密,满足BGA焊球快速制备的需求,为航空倒装芯片焊球凸点维修用小批量焊球快速制备提供了新方法.

摘要： 为实现航空微电路维修中均匀BAG焊球的小批量快速制备,提出基于均匀微滴喷射技术的均匀焊球快速制备试验研究,重点研究了喷嘴直径、驱动信号脉宽、幅值以及喷射温度对焊球尺寸的影响规律,分析了所制备的均匀焊球的均匀度、球形度以及内部质量。结果表明:喷嘴直径为焊球直径尺寸的强相关参数,驱动信号幅值为显著影响参数、脉宽及喷射温度为无显著影响参数,可结合喷嘴直径与驱动信号幅值进行颗粒尺寸调节;不同直径喷嘴喷射得到的均匀微滴均匀度小于其直径的5%,且焊球球形度较高,金相照片显示焊料颗粒内部组织均匀且致密,满足BGA焊球快速制备的需求,为航空倒装芯片焊球凸点维修用小批量焊球快速制备提供了新方法。

摘要： 高功率密度的陶瓷封装LED器件在大电流工作时,其顶面发光均匀性是该类器件的关键指标.本文在3.5 mm×3.5 mm的氮化铝陶瓷基板上金锡共晶了1.905 mm×1.830 mm(75 mil×72 mil)的LED倒装蓝光大功率芯片,然后分别制作成蓝光器件和白光器件,并分别对器件顶面的微区发光均匀性进行了研究.结果表明,蓝光器件在电流<3A时,其顶面光强分布均匀,均匀性受N电极孔和电极间隙的影响较小;在4～8 A电流时,蓝光器件顶面光强分布不均匀,贯穿N电极孔测试区的光强大于电极孔之间测试区的光强,电极间隙区光强最低,离N电极孔越远的测试点光强越低;蓝光器件在8A时整体光强达到饱和,而不同微区的光饱和程度及峰值波长随电流的变化有所不同;白光器件在0～4A电流时,其顶面光强分布均匀.

摘要： 倒装LED灯丝基于倒装芯片制备,区别于普通白光LED灯丝,制备工艺上一些调整使得倒装LED灯丝灯具有发光效率高、散热能力强、工艺简单、灯丝寿命长等优点,具有极大的市场前景.综述了近年来倒装芯片的制备方法以及创新性较强或较为实用的部分倒装LED灯丝的制备方法,如平面涂覆法,全周光LED灯丝,柔性LED灯丝,立体灯丝光片等,并对倒装LED灯丝的未来发展方向及应用前景进行了展望.

摘要： 倒装芯片封装是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为电路修改带来了新的挑战.文中结合芯片背面减薄技术、基于聚焦离子束(FIB)的深宽广沟槽刻蚀技术、基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术、FIB电路修改技术,提出了一种倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法.该方法首先利用全局抛光减薄法将倒装芯片减薄到70μm左右,再利用深宽广沟槽刻蚀技术及基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术进行深宽广的Si沟槽刻蚀,将芯片进一步减薄到约4μm,之后利用聚焦离子束电路修改技术进行电路修改.对6层金属CMOS芯片中M1金属开路的成功修改结果表明,文中所提出的倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法,可以有效地实现倒装芯片/多层互连结构封装集成电路中开路或者短路的电路修改.

摘要： 为研究电流聚集对倒装芯片封装的影响,建立倒装芯片的三维封装模型,利用有限元技术对倒装芯片球栅格阵列(flip chip ball grid array,FCBGA)封装进行热-电耦合分析和热-结构耦合分析,得到倒装芯片封装体中温度分布、应力分布及位移分布.结果表明:封装最高温度出现在环氧树脂中心,封装导致芯片在电流聚集的焊料凸点处温度最高;该封装的位移都是从中心向边缘逐渐变大,最大位移位于距离中心最远的角上.

摘要： 本文阐述了倒装芯片封装可靠性面临的主要问题,并结合当前芯片制造商的生产能力和相关技术标准,提出了可供参考的倒装芯片可靠性评价试验方法和测试方法:高温存储、温度循环、决速温变、湿热试验、外观检查、X射线透视等。

摘要： 对倒装芯片封装(Flip-Chip package)器件开封技术进行研究.总结了倒装芯片封装的类型、结构和封装材料;从理论上证明了倒装芯片封装器件开封的可能,并找出了限制开封的制约因素;提出了一种倒装芯片封装器件开封方法,该方法通过X射线检查、镶嵌、磨抛和酸刻蚀的综合应用突破了限制这类器件开封的因素,并证明了该方法的适用性;给出了建议的试验条件,展示了开封效果.

摘要： 以倒装芯片为对象,设计研发了高精度的微焊点蠕变实验装置.研究了电流耦合下的力-热场中无铅互连焊点的蠕变规律与组织结构的演变.研究表明在加入大电流,达到电迁移门槛值的条件下,电流会减缓倒装芯片凸点的蠕变过程,凸点断裂主要受到IMC界面上的形态控制,这一结果与绝热蠕变样品有着巨大差异.

摘要： 无铅化的进程将会导致设计、焊接和质量控制方面面临新的挑战。特别是在实施无铅化焊接的过程中，在倒装芯片和芯片规模封装（CSP）上面非常小的焊点将会经历非常高的热应力冲击，这将可能会形成致命的缺陷现象存在。引脚阵列配置的元器件面临高热应力的挑战，可能会导致上面的球体脱离。本文主要根据有关资料，介绍了无铅化焊接中倒装芯片和CSP器件的检验工作。

摘要： 本文阐述了倒装芯片焊接技术的发展历程及国内外的研制情况，阐述了倒装芯片焊接的难点、工艺流程及关键技术，并对金—金热压/超声的倒装芯片焊接技术进行了研究。设计了40个凸点的和10个凸点的两种模拟芯片，根据金凸点的数量、大小及芯片尺寸对倒装键合参数(压力、超声功率、时间、预热温度和焊接温度以及保护气氛、冷却等)进行调整优化,实现了两种模拟芯片与基板焊区的可靠连接,其剪切力测量值优于国军标GJB548A-96中的要求。

摘要： 本文提出一种结合热超声固相键合植球工艺和倒装工艺制备Cu/Au/Sn0.7Cu/Cu互连接头成形原理.实验结果表明,Cu/Au界面键合机制为压力、超声和热的作用下产生塑性变形和固相扩散从而形成不平整接头;在混合接头形成过程中,熔融的液态钎料迅速润湿Au凸点,Au快速扩散进入Sn基钎料中,可以形成大量贯穿整个焊点的AuSn4.Au凸点的加入与纯钎料焊点相比降低焊盘间距、提高封装密度,剪切强度基本保持不变的前提下可以有效抑制Cu-Sn化合物的形成.

摘要： 利用MOCVD的方法用在Si(111)衬底上以AlN为缓冲层生长了GaN基多量子阱LED外延层.通过衬底转移技术,在薄膜芯片工艺的基础上结合了倒装芯片的设计,制备了具有高取光效率的LED芯片.对封装好的1.1×1.1mm2蓝光和白光灯分别进行测试.在350mA正向电流下,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率为546 mW,外量子效率为50.3％.相同正向电流下,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为120.1lm.

摘要： 由于现有传统荧光粉点胶法的局限性,为了能够更好地控制荧光粉涂敷工艺,减少生产批次之间的色度参数差异,本文研究了用于白光LED封装的荧光粉薄片制作工艺.此方法是将荧光粉涂覆在玻璃圆片表面,然后通过晶圆切割获得符合芯片大小的玻璃方片,最后将其贴装到芯片表面.本文测试了通过该方法制成的荧光粉层在圆片上的色温分布均匀性并评估了采用该方法制成的LED白光芯片的光学性能及这种白光转换方式的利弊.本方法在2英寸圆片上制作出的荧光粉层色温分布方差为3×102K,说明其能够有效的控制荧光粉层厚度和形状,制作出色度参数集中的器件,从而实现稳定的白光封装工艺.

摘要： 在使用DAGE4000对FC-BGA制造的微小电子元件进行剪切力测试监控中,发现推力方向对测试结果影响很大,造成剪切力测试结果不稳定和不能很好监控生产电子元件的焊接质量.为了解决这个问题,本文通过建立力学数学模型,从内应力、悬臂梁模型、强度极限理论三方面,不仅深入分析和论述几种剪切失效模式和失效形态,找到推力方向影响测试结果的理论依据,而且还对常见缺陷进行理论分析,并根据这些依据,改善优化测试方法,更好的监控微小电子元件生产,保证产品质量.

摘要： 在使用DAGE4000对FC-BGA制造的微小电子元件进行剪切力测试监控中,发现推力方向对测试结果影响很大,造成剪切力测试结果不稳定和不能很好监控生产电子元件的焊接质量.为了解决这个问题,本文通过建立力学数学模型,从内应力、悬臂梁模型、强度极限理论三方面,不仅深入分析和论述几种剪切失效模式和失效形态,找到推力方向影响测试结果的理论依据,而且还对常见缺陷进行理论分析,并根据这些依据,改善优化测试方法,更好的监控微小电子元件生产,保证产品质量.

摘要： 本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法、倒装LED芯片以及显示设备。这种倒装LED芯片的制备方法在通过在第一芯片半成品上形成第一保护层，第一保护层可以对第一n型层、第一发光层和第一p型层的侧壁形成保护，从而有效避免后续金属沉积及剥离工艺带来的潜在金属残留等导致的漏电风险。这些残留可能是光刻胶，黏附在侧壁的金属物等，一旦有残留就会影响器件的性能，最终体现在可靠性上表现较差甚至失效，在此阶段的第一保护层可以大大降低上述问题带来的潜在风险。与传统的倒装LED芯片的制备方法相比，这种倒装LED芯片的制备方法可以大幅度的降低制得的倒装LED芯片的漏电风险。

摘要： 本申请公开了一种倒装LED芯片、倒装LED芯片制作方法及显示装置，涉及显示元件及显示设备技术领域，在本申请所提供的技术方案当中，将阵列排布在衬底出光面上的透光突起分为了第一排布区和第二排布区，其中，透光突起于第一排布区中对出光面的覆盖率大于透光突起于第二排布区中对出光面的覆盖率，同时，第一排布区又位于出光面的中央部位，出光面中央部位所排布的透光突起比出光面边缘部位所排布的透光突起更为密集，出光面正方向出光较强的中央部位所射出的光线较大部分会被反射或发生改变光线出光路径的透射，相较于相关技术方案，芯片侧部的光强更为理想。

摘要： 本发明提供一种倒装芯片的测试结构、倒装芯片和倒装芯片的制作方法。所述倒装芯片的测试结构中所述倒装芯片包括晶元和封装基板，所述测试结构包括：一个或多个通孔链结构，设置在所述晶元内；多个电连接单元，设置在所述晶元的功能面上且连接所述通孔链结构，多个所述电连接单元通过所述通孔链结构串联在一起；两条测试引线，固定在所述封装基板上，所述测试引线与位于首尾位置的所述电连接单元分别一一对应连接。所述倒装芯片的测试结构能够同时测试封装效果和封装后晶元是否发生翘曲或漏电，不仅实现对倒装芯片良率的精确监控，而且提高了测试效率。

摘要： 本发明实施例公开了一种倒装芯片的倒装封装结构及倒装芯片，涉及芯片封装技术领域，解决了现有芯片温度测量方式不准确测量倒装芯片的裸片工作时的温度的缺陷。本发明的芯片倒装封装结构包括封装基板，以倒装方式焊接于所述封装基板上的裸片、封装外壳以及至少一个温度测量元件，其特征在于，所述至少一个温度测量元件设置在所述封装基板中的位于所述裸片下方的第一空间中，所述第一空间中除去所述至少一个温度测量元件所占用的空间以外的剩余空间填充有绝缘导热物质。

摘要： 一种用来加热芯片的设备包括：用来发射激光束至半导体芯片从而加热半导体芯片的激光产生器；设置在半导体芯片和激光产生器之间的激光发射路径中的光束强度调节器，用来均衡向半导体芯片发射的激光束的强度。还提供了一种具有芯片加热设备的倒装芯片接合器，以及使用其接合倒装芯片的方法。

摘要： 本发明提供了一种倒装芯片组件、倒装芯片封装结构及制备方法，所述倒装芯片组件包括芯片、设置在所述芯片一侧表面上的导电柱及位于所述导电柱背离所述芯片一端的焊料块，所述导电柱包括第一导电柱与第二导电柱，所述第二导电柱在平行于所述芯片的平面上的投影大于所述第一导电柱在平行于所述芯片的平面上的投影，所述第二导电柱上设置有相互间隔的两个或多个所述焊料块。所述倒装芯片组件的制备方法包括在第二导电柱上形成相互间隔的两个或多个焊料块。本发明倒装芯片组件、倒装芯片封装结构及制备方法通过调整焊料块的结构，有效提高芯片表面导电柱与焊料块的高度共面性，提升产品良率。

摘要： 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

摘要： 本发明提供一种倒装芯片的测试结构、倒装芯片和倒装芯片的制作方法。所述倒装芯片的测试结构中所述倒装芯片包括晶元和封装基板，所述测试结构包括：一个或多个通孔链结构，设置在所述晶元内；多个电连接单元，设置在所述晶元的功能面上且连接所述通孔链结构，多个所述电连接单元通过所述通孔链结构串联在一起；两条测试引线，固定在所述封装基板上，所述测试引线与位于首尾位置的所述电连接单元分别一一对应连接。所述倒装芯片的测试结构能够同时测试封装效果和封装后晶元是否发生翘曲或漏电，不仅实现对倒装芯片良率的精确监控，而且提高了测试效率。

摘要： 本发明实施例公开了一种倒装芯片的倒装封装结构及倒装芯片，涉及芯片封装技术领域，解决了现有芯片温度测量方式不准确测量倒装芯片的裸片工作时的温度的缺陷。本发明的芯片倒装封装结构包括封装基板，以倒装方式焊接于所述封装基板上的裸片、封装外壳以及至少一个温度测量元件，其特征在于，所述至少一个温度测量元件设置在所述封装基板中的位于所述裸片下方的第一空间中，所述第一空间中除去所述至少一个温度测量元件所占用的空间以外的剩余空间填充有绝缘导热物质。

摘要： 一种用来加热芯片的设备包括：用来发射激光束至半导体芯片从而加热半导体芯片的激光产生器；设置在半导体芯片和激光产生器之间的激光发射路径中的光束强度调节器，用来均衡向半导体芯片发射的激光束的强度。还提供了一种具有芯片加热设备的倒装芯片接合器，以及使用其接合倒装芯片的方法。