二极管

摘要： 一台长虹3D43A5000ID等离子电视,通电后,电源指示灯亮,按下本机开机键,电源指示灯闪烁,但不开机。提示:等离子电视Y板出现故障的几率较大,且故障元件多为大功率三极管、二极管、高压瓷片电容等。此类故障多表现为正常收看中,突然机内“啪”响一声后黑屏。

摘要： 权利要求1.一种复合太阳能灯,包括底座,设置在底座上的线路板、太阳能板、蓄电池和照明二极管,太阳能板与线路板电连接,线路板与蓄电池电连接,线路板与照明二极管电连接,其特征在于:还包括紫外光二极管,所述太阳能板设置在盖板上侧,盖板边缘与底座边缘之间用若干支柱连接,若干支柱围成格栅,格栅表面涂覆有二氧化钛层,照明二极管和紫外光二极管设置在格栅内。

摘要： 针对现有键盘电路拓展性不强、扫描识别时间延迟较大问题,优化设计了一种基于51单片机的键盘电路,分析了优化后键盘电路的硬件结构和软件识别方法,给出了扫描式键盘与优化后键盘电路的识别时间对比。优化后的键盘电路在增加了电路扩展性的同时,相比于扫描式按键识别方式,大大减少了软件识别时间,适用于按键数量较多且单个控制的工程应用。

摘要： 二极管具有正向导通,反向截止的特性,即在二极管的阳极接正电压,阴极接负电压,就能使电路导通,反之则截止。在电子理论教学中,我们经常会在电路中用灯泡的亮和灭来演示电路的导通和截止。在二极管反向截止状态,还是会有少量的电流通过,称之为漏电流。当给二极管反向加上大电压时,会使它击穿,那这个电压需多大,是不是跟书上的理论值一致?作为一个中职学生,动手制作电路的电能是培养的关键,所以这节课采用演示教学法,使学生对二极管的方向特性有一个直观的了解。

摘要： 史塞克动力系统由主机、脚踏开关、动力手柄、驱动附件等部件组成,被广泛应用于口腔科、骨科、神经外科等科室的手术,是一类实现术中切割、钻孔、刨削等功能的设备。史塞克动力系统具有转速调节范围大、操作简单、使用受限小等优点[1]。在骨科手术中,史赛克动力系统起到检查及治疗作用,不仅创伤轻、切口小,而且愈合后切口较为美观,深受广大患者喜爱。此类手术的顺利完成,很大程度上依赖于史赛克动力系统的正常高效工作[2]。我院有两台史塞克动力系统,使用频率高,总体运行情况良好,本文解析我院史塞克动力系统在日常使用中的两例故障,以供同行参考借鉴。

摘要： 本文介绍高压变频器功率模块损坏后的自主优化修复,通过介绍高压变频器的工作原理,运行过程中出现的故障现象进行诊断、分析,进行探索研究,最终实现变频器的稳定运行。

摘要： 二极管是一种十分常见的半导体器件,其对整个电子行业的发展起着至关重要的作用。二极管的参数准确与否直接关系着整个电路系统的性能,因此,对二极管的参数测试十分有必要。目前市场上对二极管参数测试的仪器较少,且性能参差不齐。对基于STM32的新型二极管测试参数仪进行性能分析,将其测试结果与传统伏安法测试结果对比,结果显示新型二极管参数测试仪能对二极管的参数测量有着很高的准确度。该新型二极管参数测试仪有广阔的应用前景。

摘要： 以连接器组件中二极管为主要研究对象,分析连接器组件中二极管破坏的主要影响因素。一般情况下,二极管破坏最容易发生在二极管的玻璃子上,分别用ANSYS热-结构耦合及随机振动模块分析计算了连接器组件中二极管的整体应力分布。比较了两种不同型号和同种型号不同轴共四种不同二极管模型在高温温冲和低温温冲以及随机振动下的应力水平。为连接器组件玻璃烧结设计的材料选择提供了参考,减少了产品试验的次数,有效缩短了产品设计的周期。

摘要： 例1:一台长虹43C1U型液晶彩电(机芯:ZLS58G-iP-1),黑屏。分析检修:开机有音乐声,但黑屏,仔细观察屏幕还是有非常暗的图像,故初步判断问题应在背光电路中。因该机芯为三合一主板,按照电路图检测背光驱动电压输出却为0V,进一步检查背光驱动电路中的整理二极管DP302(MR460,损坏率较高),发现已短路,更换后通电试机,图声一切正常。故障部位如图1所示。

摘要： 介绍了一种极化电源装置,主要应用于离子膜、电解槽的阳极保护领域,采用AC-DC-AC-DC的PWM变流方式,包括主电路部分和控制系统部分,其中,主电路采用三相AC380 V输入,首先通过三相整流桥模块输出直流电,然后经直流滤波电容输出低纹波高质量的直流电,再经过单相逆变器逆变成单相交流电,通过高频变压器变压后输出交流电,最后经过单相全波整流输出高频直流电。相对于传统的相控整流方式,该极化电源装置采用IGBT作为开关器件,具有开关频率高、损耗小、谐波少、变流效率及功率因数高等优势,功率因数可达0.97以上。另外,该装置采用全数字化设计,具有实时通信功能,从而提高了装置的控制精度,改善了系统的动态性能和操作性能,保障了系统运行的稳定性。

摘要： 研究表明太阳能电池接线盒中的二极管不论在旁路工作还是反向截止状态，都会产生热量。电流和温度是影响硅基二极管长期可靠工作的重要因素。接线盒是连接光伏电池和系统的唯一电路通路。只有接线盒长期可靠的工作，系统才能稳定可靠发电。高效组件的电流比较大，发热比较厉害，就更应该注意接线盒的散热，这样才能保障二极管在高温下的通过电流能力和保障其长期可靠性。

摘要： 本文针对某款增压车型在加速瞬间及加速急收油门工况产生的增压器空气再循环电磁阀(进气泄压阀)撞击音的问题,简述了增压器空气再循环电磁阀撞击音的产生机理,提出了从源头改善电磁阀撞击音的方法.通过二极管的应用,成功使得车内的电磁阀撞击音减小到了可接受的水平,同时提高了车内的声品质.

摘要： 利用地那米电子加速器进行快恢复二极管大规模辐照加工,替代贵金属掺杂技术生产快恢复二极管,具有控制精确、参数一致性好、重复性高、成品率高等方面的优势.根据辐照测量结果,建立Trr-Vf特性曲线,研究最佳辐照区间;研究最佳辐照射线能量;建立Trr-Vf特性曲线,研究不同能量射线对于辐照优化的效果影响,针对不同用途元器件使用不同剂量进行辐照加工.

摘要： 本文提出一种由磁保持继电器和二极管组成的新型交流接触器,利用整流二极管的单向导电性,通过单片机对继电器触头的合分动作进行控制,从而实现三相电器正常运行的无弧接通和分断与故障状态的无弧分断.论文在阐述了基本原理的基础上,进行了接触器的软硬件设计,最后对样机进行了实验验证.结果表明该交流接触器可以实现无弧通断功能,有效提高电器的电气寿命与运行可靠性,简化三相交流接触器的结构、降低成本,减小体积.同时实现了抗电压跌落和节能无声运行.

摘要： 为仿真反向电压作用下半导体器件的碰撞电离及雪崩击穿效应并解释其物理机理,通过多物理场计算中半导体材料雪崩效应的碰撞电离率表征,仿真二极管的雪崩效应.应用多物理场计算仿真型号为HSMS-282C的肖特基二极管在反向电压下碰撞电离现象.实验测量结果表明,该算法能准确仿真该二极管的雪崩击穿效应,并对效应现象给出物理机理解释.

摘要： 自1997年日本三菱电子公司的KazuhisaYamanuchi等人用并联二极管式预失真电路对S波段功率放大器进行有效的非线性失真改善后，这种形式的预失真电路得到了广泛推广与引用。针对传统并联二极管式预失真电路只能产生增益扩张但相位压缩,无法补偿行波管功率放大器在饱和点附近增益和相位同时压缩的特性,该文提出了一种新的并联二极管式模拟预失真电路.采用这种预失真电路,可以使Ka波段行波管在额定输入功率范围内的增益和相位压缩量分别从以前的6.5dB和49.5°改善到1.34dB和11.3°以内.

摘要： 提高切片质量，减少边缘缺陷造成的热斑损害，优化二极管数量，尽量避免热斑二极管旁路带来的功率损失，现场避免附件的遮挡物，及时清洗，避免底部灰尘积累，叠片组件需要特别注意导电胶粘接效果，新的设计通过热斑测试来进行验证，同时通过温升，反向电流测试来验证电池缺陷，以及新焊接工艺对组件温度的影响。

摘要： 本文采用前馈解耦的控制策略,设计出三相电压型PWM器的双闭环控制结构,同时针对大功率的三相PWM整流器会因外部或其他的电磁干扰等问题导致桥臂直通,进而有可能烧毁IGBT的问题,本文提出了改进型三相PWM整流器,在电路中增加一个二极管,当桥臂直通时,输出电容与直通桥臂的IGBT不会形成回路,保证IGBT不受到威胁.最后通过Matlab仿真验证,对比传统三相PWM整流器与改进后的三相PWM整流器的仿真结果,验证了改进后的三相PWM整流器的优越性.实验样机表明,所设计的系统具有可行性.

摘要： 本文研制了一款用于毫米波频段,且具有温度补偿功能的模拟预失真器,该预失真器基于3dB电桥、肖特基二极管、微带线和偏置电阻,在外加直流偏置的情况下,产生预失真信号.理论分析了线性化器的温度响应并提出一种简单有效的补偿技术.该补偿技术通过调节控制二极管的偏压使其等效电阻不随温度变化,从而实现预失真器的温度补偿.通过ADS软件对该预失真器进行仿真,仿真结果表明,在-20°C到+130°C的变化范围内,该预失真器可提供6.5dB的增益扩张和50°的相位扩张,且随温度变化增益与相位变化小于0.5dB和5°.

摘要： 整流变压器(以下简称整流变)是电力系统中一种特殊的变压器,它不同于一般的电力变压器,它是通过二极管硅整流将交流电转变为直流电,供设备使用.本文通过对某6KV除尘整流变故障的分析,简述了气相色谱法在整流变内部故障判断中的应用,验证了气相色谱法不仅广泛应用于电力变压器的内部故障判断,同样适用于整流变的内部故障的分析和诊断.rn 分析表明，由于设备两个硅堆之间连接螺丝脱落，使电路断开，二极管无法工作，即无法整流，所以二次电压指示为零。但是取样电阻不应该被烧毁，二极管又为什么被击穿。根据整流变油箱内的变压器油已经变黑，和色谱分析结果判断，设备内部一定发生过电弧放电故障，根据油化验人员的建议，检修人员再次对设备进行检查，发现脱落的螺丝上面有放电的痕迹，掉下的螺丝与取样电阻接触造成短路，电流瞬问增高，致使取样电阻烧损，二极管被击穿。rn 更换取样电阻和二极管，紧固连接螺丝，避免再次由于螺丝松动，发生故障。

摘要： 一种发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装，发光二极管载具包含基板、导电层、粘着层以及反射元件。导电层设置于基板上，并具有接合部，接合部具有顶面高于导电层的延伸部的顶面。粘着层覆盖导电层的延伸部，并暴露导电层的接合部。反射元件设置于粘着层上。粘着层具有卡勾部，卡勾部接触反射元件的底角。本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。

摘要： 本发明公开了用于有机光电二极管的化合物、由化学式1表示的化合物、用于有机光电二极管的组合物、利用它们的有机光电二极管、显示装置。化学式1的具体内容在说明书中限定。

摘要： 本发明公开了发光二极管模块和发光二极管以及制造发光二极管的方法。所述发光二极管模块包括印刷电路板和通过焊膏粘结至该印刷电路板的发光二极管。所述发光二极管包括电连接至第一导电型半导体层的第一电极焊盘和连接至第二导电型半导体层的第二电极焊盘，其中，第一电极焊盘和第二电极焊盘中的每个电极焊盘包括至少五对钛/镍层或至少五对钛/铬层和最上面的金层。因此，防止了焊膏中的例如锡等的金属元素的扩散，从而提供了可靠的发光二极管模块。

摘要： 在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。

摘要： 一种用于有机光电二极管的化合物、包括其的用于有机光电二极管的组成物、有机光电二极管及显示装置。所述用于有机光电装置的化合物由化学式1与化学式2表示。在化学式1与化学式2中，各取代基的定义与说明书公开的内容相同。

摘要： 本说明书提供一种由化学式1表示的杂环化合物、一种包括其的有机发光二极管、一种用于有机发光二极管的有机材料层的组成物以及一种制造有机发光二极管的方法。

摘要： 提供了发光二极管溶剂、包含发光二极管溶剂的发光二极管墨以及用于制造显示器的方法。发光二极管墨包含发光二极管溶剂以及分散在所述发光二极管溶剂中并且各自包括多个半导体层和围绕所述半导体层的外表面的绝缘膜的发光二极管，其中所述发光二极管溶剂是具有7至15的pKa的有机溶剂。

摘要： 一种发光二极管（LED）封装组件（100）包括衬底（102）。衬底包括顶表面、底表面（122）、和穿过衬底（102）形成的开口。开口包括邻近顶表面的第一部分（104）和邻近底表面（122）的第二部分（106），该第二部分（106）比第一部分（104）更宽，使得衬底（102）的各部分悬于开口的第二部分（106）之上。焊盘（124）设置在悬于开口（102）的第二部分（106）之上的衬底（102）的各部分的底表面上。该组件还包括开口中的混合器件（210）。混合器件（210）包括具有顶表面、底表面、和顶表面上的互连的硅背板（214）。互连（148）电耦合到焊盘（124）。该混合器件还包括在硅背板（214）的顶表面上的LED阵列（212）。

摘要： 本申请提供的一种硅基二极管的制作方法、硅基二极管以及二极管器件，通过向所述槽体的底部注入第一浓度硼离子，以及向所述槽体的侧壁底部注入第二浓度硼离子，所述第一浓度低于所述第二浓度，该结构在较短的沟槽侧壁上制备了NMOS区，侧壁P+的存在可以有效耗尽该处的电场，防止反向耐压时被过早击穿，同时P+可以提升器件的抗浪涌能力；沟槽底部和顶部P区降低阳极注入效率，同时正向开启时可以激活NMOS注入电子，进一步降低阳极的注入效率，使该器件具备耐高压，高软度，正向电压低，反向峰值电流低特性。

摘要： 本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所述第二牺牲层设置于第一牺牲层和所述衬底之间，且所述第一牺牲层的折射率大于所述第二牺牲层的折射率。本申请提供的所述发光二极管芯片的亮度较高。