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Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature
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1.
Phonons and holes in magnesium-doped GaN
机译:
镁掺杂GaN中的声子和空穴
作者:
F.Demangeot
;
J.Frandon
;
M.A.Renucci
;
D.Smirnov
;
J.Leotin
;
N.Grandjean
;
B.Beaumont
;
M.Kuball
;
T.Davies
;
J.W.Steeds
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
2.
Persistent phtoconductivity in AlGaN films Grown by MOCVD
机译:
MOCVD生长的AlGaN薄膜中的持久光电导性
作者:
A.T.Polyakov
;
N.B.Smirnov
;
A.V.Govorkov
;
J.M.Redwing
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
3.
Temperature dependence of breakdown field in p-#pi#-n GaN diodes
机译:
p-#pi#-n GaN二极管中击穿场的温度依赖性
作者:
A.Osinsky
;
M.S.Shur
;
R.Gaska
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
4.
Low-temperature chemical vapor deposition of 3C-SiC on 6H-SiC- an X-ray triple-crystal diffractometry and X-ray topography study
机译:
在6H-SiC上进行3C-SiC的低温化学气相沉积-X射线三晶体衍射和X射线形貌研究
作者:
J.Chaudhuri
;
K.Ignatiev
;
J.H.Edgar
;
Z.Y.Xie
;
Y.Gao
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
5.
The effect of thermal annealing of Au contacts on 6H-SiC and 4H-SiC
机译:
金触点热退火对6H-SiC和4H-SiC的影响
作者:
D.T.Shi
;
W.Lu
;
H.Chen
;
W.E.Collins
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
6.
The origin of naopipes and micropipes in Noncubic GaN and SiC
机译:
非立方GaN和SiC的纳米管和微管的起源。
作者:
F.Pirouz
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
7.
Thermally stable schottky contacts to n-GaN
机译:
与n-GaN的热稳定肖特基接触
作者:
H.S.Venugopalan
;
S.E.Mohney
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
8.
Transient photoconductivity of GaN thin film on sapphire substrate
机译:
蓝宝石衬底上GaN薄膜的瞬态光电导性
作者:
Z.Z.Chen
;
B.Shen
;
R.Zhang
;
X.Y.Zhang
;
K.Yang
;
H.Chen
;
P.Chen
;
L.Zang
;
Y.G.Zhou
;
Y.D.Zheng
;
Z.S.Wu
;
X.T.Sun
;
F.Chen
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
9.
The closed - form solutions for the breakdown voltages of 6H-SiC reachthrough diodes
机译:
6H-SiC穿透二极管击穿电压的封闭式解决方案
作者:
You-Sang Lee
;
D-S.Byeon
;
Y-I.Choi
;
I-Y.Park
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
10.
Spatial characterization of doped SiC wafers
机译:
掺杂SiC晶片的空间表征
作者:
J.C.Burton
;
L.Sun
;
M.Pophristic
;
J.Li
;
F.H.Long
;
Z.C.Feng
;
I.Ferguson
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
11.
Study of stimulated emissionin InGaN/GaN multiquantum wells in the temperature range of 175-575K
机译:
InGaN / GaN多量子阱中175-575K温度范围内受激发射的研究
作者:
S.Bidnyk
;
Y.H.Cho
;
T.J.Schmidt
;
J.Krasinski
;
J.J.Song
;
S.Keller
;
U.K.Mishra
;
S.P.DenBaars
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
12.
Site-selective photoluminescence spectroscopy of Er-implanted wurtzite GaN under various annealing conditions
机译:
掺Er纤锌矿GaN在不同退火条件下的定点光致发光光谱
作者:
S.Kim
;
S.J.Rhee
;
X.Li
;
J.J.Coleman
;
S.G.Bishop
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
13.
Scandium and gallium implantation doping of silicon carbide
机译:
碳化硅的and镓注入掺杂
作者:
T.Henkel
;
Y.Tanaka
;
N.Kobayashi
;
I.Koutzarov
;
H.Okumura
;
S.Yoshida
;
T.Ohshima
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
14.
Role of nanopipes in degradation of AlGaN/InGaN/GaN devices operating at high voltage
机译:
纳米管在高压下运行的AlGaN / InGaN / GaN器件的降解中的作用
作者:
Marek Osiriski
;
Jinhyun Lee
;
Daniel L.Barton
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
15.
Search for new semiconductors for high-temperature appications: the BaPb_(1-x)Bi_xO_3 system
机译:
搜索用于高温应用的新半导体:BaPb_(1-x)Bi_xO_3系统
作者:
V.Ponnambalam
;
U.V.Varadaraju
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
16.
Silicon carbide epitaxial layers grown on SiC wafers with reduced micropipe density
机译:
在碳化硅晶片上生长的碳化硅外延层,微管密度降低
作者:
S.Rendakova
;
N.Kuznetsov
;
N.Savkina
;
M.Rastegaeva
;
A.Andreev
;
M.Minbaeva
;
A.Morozov
;
V.Dmitriev
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
17.
Ultrahigh implant activation efficiency in GaN using novel high temperature RTP system
机译:
使用新型高温RTP系统在GaN中实现超高注入激活效率
作者:
X.A.Cao
;
C.R.Abernathy
;
R.K.Singh
;
S.J.Pearton
;
M.Fu
;
V.Sarvepalli
;
J.A.Sekhar
;
J.C.Zolper
;
D.J.Rieger
;
J.Man
;
T.J.Drummond
;
R.J.Shul
;
R.G.Wison
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
18.
A new approach to growth of bulk ZnO crystals for wide-bandgap applications
机译:
用于宽带隙应用的块状ZnO晶体生长的新方法
作者:
G.Agarwal
;
J.E.Nause
;
D.N.Hill
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
19.
Nitride-based high-power devices: transport properties, linear defects, and goals
机译:
基于氮化物的高功率器件:传输特性,线性缺陷和目标
作者:
Z.Z.Bandic
;
P.M.Bridger
;
E.C.Piquette
;
R.A.Beach
;
V.M.Phanse
;
R.P.Vaudo
;
J.Redwing
;
T.C.McGill
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
20.
5.5-kV bipolar diodes from high-quality CVD 4H-SiC
机译:
采用高质量CVD 4H-SiC的5.5kV双极二极管
作者:
K.G.Irvine
;
R.Singh
;
M.J.Paisley
;
J.W.Palmour
;
O.Kordina
;
C.H.Carter
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
21.
Low frequency noise in n-type gallium nitride
机译:
n型氮化镓中的低频噪声
作者:
N.Dyakonova
;
M.Levinshtein
;
S.Contreras
;
W.Knap
;
B.Beaumont
;
P.Gibart
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
22.
Incorporation of Er into GaN by in situ doping during halide vapor-phase epitaxy
机译:
在卤化物气相外延过程中通过原位掺杂将Er掺入GaN中
作者:
Rong Zhang
;
T.F.Kuech
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
23.
In situ characterization on AlN films grown on silicon by MOCVD
机译:
MOCVD在硅上生长的AlN薄膜的原位表征
作者:
A.D.Serra
;
H.H.Richardson
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
24.
Interfacial diffusion/reaction and electrical properties of Pd ultrathin film on SiC at different annealing temperatures
机译:
不同退火温度下SiC上Pd超薄膜的界面扩散/反应及电性能
作者:
W.Lu
;
D.T.Shi
;
W.E.Collins
;
H.Chen
;
A.Burger
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
关键词:
Pd thin film;
SiC, X-ray photoelectron spectroscopy;
scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy;
25.
High-pressure investigation of InGaN quantum wells
机译:
InGaN量子阱的高压研究
作者:
Piotr Perlin
;
Valentin Iota
;
Bernie A.Weinstein
;
Henryk Teisseyre
;
Tadeusz
;
Suski
;
Steve Hersee
;
Christian Kisielowski
;
Eicke R.Weber
;
Jinwei Yang
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
26.
High-temperature stable titanium carbide ohmic and schottky contacts to SiC
机译:
SiC的高温稳定碳化钛欧姆和肖特基接触
作者:
C.M.Zetterling
;
M.Ostling
;
L.Norin
;
U.Jansson
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
27.
High-resolution X-ray diffraction and X-ray topography study of GaN on Al_2O_3
机译:
Al_2O_3上GaN的高分辨率X射线衍射和X射线形貌研究
作者:
J.Chaudhuri
;
M.Hooe Ng
;
D.D.Koleske
;
A.E.Wickenden
;
R.L.Henry
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
28.
High-energy implantation of boron in 4H-SiC
机译:
在4H-SiC中高能注入硼
作者:
Adolf Shoner
;
Stefan Karisson
;
Thomas Schmitt
;
Anders Hallen
;
Manfred Frischholz
;
Kurt Rottner
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
29.
Growth of III-nitrides by rf-assisted molecular-beam epitaxy
机译:
射频辅助分子束外延生长III族氮化物
作者:
E.C.Piquette
;
P.M.Bridger
;
Z.Z.Bandic
;
T.C.McGill
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
30.
GaN etching in BCl_3/Cl_2 plasmas
机译:
BCl_3 / Cl_2等离子体中的GaN蚀刻
作者:
R.J.Shul
;
C.I.H.Ashby
;
C.G.Willison
;
L.Zhang
;
J.Han
;
M.M.Bridges
;
S.J.Pearton
;
J.W.Lee
;
L.F.Lester
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
31.
Flow modulation epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride on masked 6H-silicon carbide and sapphire surfaces
机译:
掩蔽的6H-碳化硅和蓝宝石表面上氮化镓的流量调制外延横向过生长
作者:
J.A.Smart
;
E.M.Chumbes
;
L.N.Srivatsa
;
Y.H.Lo
;
J.R.Shealy
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
32.
Electrochemical etching in the GaN-Based technology
机译:
GaN基技术中的电化学蚀刻
作者:
V.G.Sidorov
;
A.G.Drizhuk
;
D.V.Sidorov
;
W.V.Lundin
;
B.V.Pushnyi
;
A.S.Usikov
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
33.
Epitaxialk films of GaAs and GaN on fianit substrates
机译:
辉光衬底上GaAs和GaN的外延膜
作者:
A.N.Buzynin
;
V.V.Osiko
;
E.E.Lomonova
;
Yu.N.Buzynin
;
A.S.Usikov
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
34.
EXAFS studies of group-III nitrides
机译:
III族氮化物的EXAFS研究
作者:
N.J.Jeffs
;
A.V.Blant
;
T.S.Cheng
;
C.T.Foxon
;
C.Bailey
;
P.G.Harrison
;
J.F.W.Mosselmans
;
A.J.Dent
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
35.
Doping of GaN by ion implantation: does it work?
机译:
通过离子注入对GaN进行掺杂:能起作用吗?
作者:
A.Suvkhanov
;
J.Hunn
;
W.Wu
;
D.Thomson
;
K.Price
;
N.Parikh
;
E.Irene
;
R.F.Davis
;
L.Krasnobaev
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
36.
Effect of V/III ratio on the properties of GaN lyers grown by molecular-beam epitaxy using NH_3
机译:
V / III比对使用NH_3分子束外延生长的GaN lyer性能的影响
作者:
N.Grandjean
;
M.Leroux
;
J.Massies
;
M.Mesrine
;
P.Lorenzini
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
37.
Comparison of high field characteristics of SiO_2 and AIN gate insulators in 6H SiC MOS capacitors
机译:
6H SiC MOS电容器中SiO_2和AIN栅极绝缘体的高场特性比较
作者:
V.P.Madangarli
;
T.S.Sudarshan
;
C.C.Tin
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
38.
Deep levels in high resistivity AlGaN films grown by MOCVD
机译:
通过MOCVD生长的高电阻率AlGaN薄膜的深能级
作者:
A.Y.Polyakov
;
N.B.Smimov
;
A.V.Govorkov
;
J.M.Redwing
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
39.
Correlation between oxide breakdown and defects in SiC wafers
机译:
SiC晶片中氧化物击穿与缺陷之间的相关性
作者:
S.Soloviev
;
I.Khlebnikov
;
V.Madangarli
;
T.S.Sudarshan
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
40.
Piezoelectric quantization in GaInN thin films and multiple-quantum-well structures
机译:
GaInN薄膜和多量子阱结构中的压电量化
作者:
Christian Wetzel
;
Tetsuya Takeuchi
;
Hiroshi Amano
;
Isamu Akasaki
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
41.
Properties of GaN Homoepitaxial layers grown on GaN epitaxial wafers
机译:
在GaN外延晶片上生长的GaN同质外延层的特性
作者:
V.Dmitriev
;
A.Nikolaev
;
A.Cherenkov
;
D.Tsvetkov
;
S.Stepanov
;
N.Kuznetsov
;
I.Nikitina
;
A.Kovarsky
;
M.Yagovkina
;
V.Davidov
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
42.
Optical characteristics of MOCVD-grown InGaN/GaN multiple quantum wells investigated by excitation energy dependent PL and PLE spectroscopy
机译:
通过依赖于激发能量的PL和PLE光谱研究了MOCVD生长的InGaN / GaN多量子阱的光学特性
作者:
Yong-Hoon Cho
;
J.J.Song
;
S.Keller
;
U.K.Mishra
;
S.P.DenBaars
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
43.
Cathodoluminescence deep-level spectroscopy of etched and in situ annealed 6H-SiC
机译:
蚀刻和原位退火6H-SiC的阴极发光深层光谱
作者:
A.P.Young
;
K.Aptowitz
;
L.J.Brillson
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
44.
Calculation of unstable mixing region in wurtzite InGaN
机译:
纤锌矿InGaN中不稳定混合区的计算
作者:
Toru Takayama
;
Tetsuzo Ueda
;
Masahiro Ishida
;
Masaaki Yuri
;
Kunio Itoh
;
Takaaki Baba
;
James S.Harris
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
45.
Bulk breakdown in AlGaN/GaN HFETs
机译:
AlGaN / GaN HFET的整体击穿
作者:
G.Gradinaru
;
N.C.Kao
;
R.Gaska
;
J.Yang
;
Q.Chen
;
M.A.Khan
;
T.S.Sudarshan
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
46.
A theoretical and empirical perspective of SiC bulk growth
机译:
SiC块体生长的理论和经验观点
作者:
V.F.Tsvetkov
;
D.N.Henshall
;
M.F.Brady
;
R.C.Glass
;
C.H.Carter
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
47.
A semi-analytical interpretation of transient electron transport in gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride
机译:
氮化镓,氮化铟和氮化铝中瞬态电子传输的半解析解释
作者:
B.E.Foutz
;
S.K.OLeary
;
M.S.Shur
;
L.F.Eastman
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
48.
Nonmicropipe dislocations in 4H-SiC devices: electrical properties and device technology implications
机译:
4H-SiC器件中的非微管位错:电学性质和器件技术含义
作者:
P.G.Neudeck
;
W.Huang
;
M.Dudley
;
C.Fazi
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
49.
MOCVD growth of GaN on silicon and related surfaces
机译:
在硅和相关表面上进行GaN的MOCVD生长
作者:
J.Han
;
J.G.Fleming
;
D.M.Follstaedt
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
50.
Low-temeprature homoepitaxial growth of GaN using hyperthermal molecular beams
机译:
使用高温分子束的低温同质外延生长GaN
作者:
A.Michel
;
E.Chen
;
D.Thomson
;
O.Nam
;
R.F.Davis
;
H.H.Lamb
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
51.
Low bias dry etching of SiC and SiCN in ICP NF_3 discharges
机译:
ICP NF_3放电中SiC和SiCN的低偏置干法蚀刻
作者:
J.J.Wang
;
Hyun Cho
;
E.S.Lambers
;
S.J.Pearton
;
M.Ostling
;
C-M.Zetterling
;
J.M.Grow
;
F.Ren
;
R.J.Shul
;
J.Hna
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
52.
Influence of C,N, and O ion implantation on yellow luminescence
机译:
碳,氮和氧离子注入对黄色发光的影响
作者:
R.Zhang
;
L.Zhang
;
N.Perkins
;
T.F.Kuech
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
53.
GaN materials for high-power microwave amplifiers
机译:
用于大功率微波放大器的GaN材料
作者:
Lester F.Eastman
;
Kenneth Chu
;
Joseph Smart
;
J.Richard Shealy
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
54.
Interaction of nitrogen with 6H-SiC surfaces
机译:
氮与6H-SiC表面的相互作用
作者:
V.van Elsbergen
;
M.Rohleder
;
W.Monch
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
55.
High-voltage silicon carbide devices
机译:
高压碳化硅器件
作者:
B.Jayant Baliga
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
56.
Hot spots in 4H SiC P~+N diodes studied by the optical-beam-induced-current technique
机译:
光束诱导电流技术研究4H SiC P〜+ N二极管中的热点
作者:
M.Frischholz
;
K.Nordgren
;
K.Rottner
;
J.Seidel
;
A.Schoner
;
M.Bakowski
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
57.
GaN nucleation mechanism on a surface template of oxidized AlAs
机译:
氧化AlAs表面模板上的GaN成核机理
作者:
Nobuhiko P.Kobayashi
;
Junko T.Kobayashi
;
Won-Jin Choi
;
P.Daniel Dapkus
会议名称:
《》
|
1998年
58.
Growth of AiN single crystals
机译:
AiN单晶的生长
作者:
Glen A.Slack
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
59.
Electrical stabilization of diamond MIS interface and MISFETs by ultrahigh-vacuum process
机译:
超高真空工艺对钻石MIS接口和MISFET的电稳定性
作者:
Young Yun
;
Tetsuro Maki
;
Hiroyuki Tanaka
;
Takeshi Kobayashi
会议名称:
《》
|
1998年
60.
Examination of the silicon - silicon carbide interface by ultraviolet photoemission spectroscopy
机译:
紫外光发射光谱法检查硅-碳化硅界面
作者:
C.Koitzsch
;
M.OBrien
;
D.Johri
;
A.Stoltz
;
R.Nemanich
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
61.
Evidence for oxygen DX centers in AlGaN
机译:
AlGaN中氧DX中心的证据
作者:
M.D.McCluskey
;
N.M.Johnson
;
C.G.Van de Walle
;
D.P.Bour
;
M.Kneissl
;
W.Waluklewicz
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
62.
Double-channel AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor
机译:
双通道AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
作者:
R.Gaska
;
M.S.Shur
;
J.W.Yang
;
T.A.Fjeldly
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
63.
Dry etching damage effect on ohmic characteristics of GaN
机译:
干法刻蚀对GaN欧姆特性的影响
作者:
Jin Seok Khim
;
Taek Kim
;
Su Hee Chae
;
Tae II Kim
;
Hyon-Soo Kim
;
Geun-Young Yeom
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
64.
Effect of NO on the electrical characteristics of SiO_2 grown on p-type 4H SiC
机译:
NO对p型4H SiC生长的SiO_2电学特性的影响
作者:
H.F.Li
;
S.Dimitrijev
;
H.B.Harrison
;
D.Sweatman
;
P.Tanner
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
65.
Direct growth of AlN thin layer on (111) Si substrate by rf-MBE
机译:
通过rf-MBE在(111)Si衬底上直接生长AlN薄层
作者:
Naoki Ohshima
;
Hiroo Yonezu
;
Shinobu Uesugi
;
Keisuke Gotoh
;
Seiji Yamahira
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
66.
Comparative study of GaN MOVPE grwoth processes using two different 'surface preparation-carrier gas' combinations
机译:
使用两种不同的“表面处理-载气”组合对GaN MOVPE常规工艺的比较研究
作者:
P.Vennegues
;
S.Haffouz
;
A.Bouille
;
M.Leroux
;
B.Beaumont
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
67.
Comparison of novel chlorine, bromine, and lodine plasma chemistries for anisotropic trench etching in GaN, InN, and AiN
机译:
GaN,InN和AiN中各向异性沟槽刻蚀的新型氯,溴和碘等离子化学方法的比较
作者:
Hyun Cho
;
T.Maeda
;
J.D.MacKenzie
;
S.M.Donovan
;
C.R.Abermathy
;
S.J.Pearton
;
R.J.Shul
;
J.Han
;
F.Ren
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
68.
CVD diamond as dielectric material for capacitor applications
机译:
CVD金刚石作为电容器应用的介电材料
作者:
S.Heidger
;
S.Fries-Carr
;
J.Weimer
;
B.Jordan
;
R.Wu
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
69.
Optical anisotropy studies of sapphire by raman scattering and spectroscopic transmission ellipsometry
机译:
用拉曼散射和光谱透射椭偏仪研究蓝宝石的光学各向异性
作者:
H.Yao
;
C.H.Yan
;
S.P.DenBaars
;
J.M.Zavada
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
70.
Carrier relaxation and recombinationin InGaN/GaN quantum heterostructures probed with time-resolved cathodoluminescence
机译:
时间分辨阴极发光探测的InGaN / GaN量子异质结构中的载流子弛豫和复合
作者:
Xingang Zhang
;
D.H.Rich
;
J.T.Kobayashi
;
N.P.Kobayashi
;
P.D.Dapkus
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
71.
Phase separation and ordering in InGaN alloys
机译:
InGaN合金中的相分离和有序化
作者:
D.Doppalapudi
;
S.N.Basu
;
T.D.Moustakas
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
72.
Nitridation of substrates with hydrazine cyanurate for the growth of gallium nitride
机译:
用氰尿酸肼对衬底进行氮化,以生长氮化镓
作者:
T.J.Kropewnicki
;
P.A.Kohl
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
73.
The estimation and revisionof barrier heights in 4H-SiC and 6H-SiC schottky diodes
机译:
4H-SiC和6H-SiC肖特基二极管势垒高度的估计和修正
作者:
You-Sang Lee
;
D-Y.Kim
;
J-K.Oh
;
M-K.Han
;
Y-I.Chol
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
74.
The magnitude of the piezoelectric effect in InGaN quantum wells
机译:
InGaN量子阱中压电效应的大小
作者:
Piotr Perlin
;
Christian Kisielowski
;
Laila Mattos
;
Noad A.Shapiro
;
Joachim Kruger
;
Jinwei Yang
;
Eicke R.Weber
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
75.
The response of high-voltage 4H-SiC p-n junctiondiodes to different edge-termination techniques
机译:
高压4H-SiC p-n结二极管对不同边缘终止技术的响应
作者:
T.N.Oder
;
C.C.Tin
;
J.R.Williams
;
T.Isaacs-Smith
;
V.Madangarli
;
T.S.Sudarshan
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
76.
The role of the In source in InN gowth from molecular beams
机译:
In源在分子束中InN中的作用
作者:
S.M.Donovan
;
B.Gila
;
J.D.MacKenzie
;
K.N.Lee
;
C.R.Abernathy
;
R.G.Wison
;
G.T.Muhr
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
77.
TEM and HREM study of high-temperature aluminum ion implantation to 6H-SiC
机译:
高温铝离子注入6H-SiC的TEM和HREM研究
作者:
A.A.Suvorova
;
I.O.Usov
;
O.I.Lebedev
;
G.Van Tendeloo
;
A.V.Suvorov
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
78.
Studies on the intermetallic semiconductor RuAl_2
机译:
金属间化合物RuAl_2的研究
作者:
V.Ponnambalam
;
U.V.Varadaraju
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
79.
Semiconducting molybdenum pyrochlores for high-temperature applications
机译:
适用于高温应用的半导体烧绿钼
作者:
V.Ponnambalam
;
U.V.Varadaraju
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
80.
Reaction processes at the initial stage of diamond nucleation on the surface of Si(111)
机译:
Si(111)表面金刚石成核初期的反应过程
作者:
Fangqing Xie
;
Youcun Chen
;
Qingzhe Zhang
;
Zhangda Lin
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
81.
Reactive ion etching of boron nitride and gallium nitride materials in Cl_2/Ar and BCl_3/Cl_2/Ar chemistries
机译:
Cl_2 / Ar和BCl_3 / Cl_2 / Ar化学物质中氮化硼和氮化镓材料的反应离子刻蚀
作者:
N.Medelci
;
A.Tempez
;
E.Kim
;
N.Badi
;
D.Starikov
;
I.Berichev
;
A.Bensaoula
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
82.
Polar optical-phonon instability and intervalley transfer in gallium nitride
机译:
氮化镓中的极性光学声子不稳定性和区间转移
作者:
B.E.Foutz
;
S.K.OLeary
;
M.S.Shur
;
L.F.Eastman
;
B.L.Gelmont
;
M.Stroscio
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
83.
Polarity of GaN
机译:
氮化镓的极性
作者:
Z.Liliental-Weber
;
M.Benamara
;
O.Richter
;
W.Swider
;
J.Washburn
;
I.Grzegory
;
S.Porowski
;
J.W.Yang
;
S.Nakamura
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
84.
Investigationof microplasma breakdown in 4H silicon carbide
机译:
4H碳化硅中支原体分解的研究
作者:
Uwe Zimmermann
;
Anders Hallen Andrey O.Konstantinov
;
Bo Breitholtz
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
85.
Vacancy-type defects in As-grown and proton-irradiated 6H-SiC
机译:
生长和质子辐照的6H-SiC中的空位型缺陷
作者:
Werner Puff
;
Peter Mascher
;
Adam G.Balogh
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
86.
Investigation of the V~(4+)-Center in 6H-SiC by the method of spectral-hole burning
机译:
光谱孔燃烧法研究6H-SiC中V〜(4 +)-中心
作者:
C.Hecht
;
R.Kummer
;
A.Winnacker
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
87.
X-ray photoemission spectromicroscopy of GaN and AlGaN
机译:
GaN和AlGaN的X射线光电子能谱
作者:
G.F.Lorusso
;
H.Solak
;
F.Cerrina
;
J.H.Underwood
;
P.J.Batson
;
Y.Kim
;
Y.Cho
;
C.Kisielowski
;
J.Krueger
;
E.R.Weber
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
88.
Turn-on process in high-voltage 4H-SiC thyristors
机译:
高压4H-SiC晶闸管的导通过程
作者:
N.V.Dyakonova
;
M.E.Levinshtein
;
J.W.Palmour
;
S.L.Rumyantsev
;
R.Singh
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
89.
Two-step growth of GaN quantum dots with metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法两步生长GaN量子点
作者:
P.Chen
;
B.Shen
;
R.Zhang
;
M.Wang
;
Y.G.Zhou
;
Z.Z.Chen
;
L.Zhang
;
Y.D.Zheng
会议名称:
《Wide-Bandgap semiconductors for high power, high frequency and high temperature》
|
1998年
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