机译:使用碘或溴化学物质对GaN,AlN和InN进行ECR等离子刻蚀
机译:反应物传输对氯等离子体中硅刻蚀的沟槽轮廓演变的影响
机译:在基于氯的等离子体中进行浅沟槽隔离蚀刻期间的特征轮廓演变。三,加氧的作用
机译:GaN,Inn和Ain中新型氯,溴和Lodine等离联沟槽蚀刻蚀刻的比较
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:氯二氧化氯氯化溴和碘的杀菌性能比较。
机译:GaN,InN和AlN的电感耦合等离子体刻蚀的基于ICl和IBr的等离子体化学性质的比较
机译:用于GaN,InN和alN的电感耦合等离子体蚀刻的基于ICl和IBr的等离子体化学的比较;材料科学工程B