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InN、GaN及AIN低维纳米结构材料的合成方法

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摘要

本发明提供一种InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，在离子液体中，加入氮源及相应的铟源、镓源、铝源，在温度180～400℃下反应10h以上，过滤，有机溶剂洗涤、干燥，相应的获得InN、GaN、AlN低维纳米结构材料。整个合成过程简单、成本低廉、合成过程高效，所合成的InN、GaN以及AlN纳米结构质量非常高，适合工业化大批量生产。

著录项

公开/公告号CN101477950A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-07-08

原文格式PDF
申请/专利权人苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
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申请/专利号CN200910028440.7
发明设计人耿秀梅;刘海滨;程国胜;
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申请日2009-01-20
分类号H01L21/208;C23C18/00;
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司;
代理人陈忠辉
地址 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2023-12-17 22:14:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-09-14

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/208 公开日:20090708 申请日:20090120

发明专利申请公布后的驳回
2010-10-20

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/208 变更前: 变更后: 登记生效日:20100907 申请日:20090120

专利申请权、专利权的转移
2009-09-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-07-08

公开

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