Влияние параметров гетероструктур AIN/GaN/AIGaN и AIN/GaN/lnAIN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе

摘要

Экспериментально и теоретически изучено влияние толщин и составов слоев в транзисторных гстсро-структурах AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и статические параметры тестовых транзисторов, изготовленных из таких гетероструктур. Показано, что при использовании барьера InAIN вместо AlGaN концентрация носителей в канале увеличивается более чем в 2 раза, что приводит к соответствующему увеличению тока насыщения. Нанссснис диэлектрического покрытия на поверхность гетероструктур InAlN/AlN/GaN in situ в ростовом процессе позволило увеличить максимальный ток насыщения и пробивные напряжения при сохранении высокой крутизны передаточной характеристики.