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薛舫时;
南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
势垒层泊松方程; 子带能级随电子气密度的变化; 能带计算新方法; 电子气密度的超越方程; 能带剪裁;
机译:薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构电场效应晶体管的小信号和30GHz功率特性-减薄AlGaN势垒层的影响
机译:由于在Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中嵌入了AlN势垒层,二维电子气的载流子密度和迁移率发生了变化
机译:具有多个Mg_xN_y / GaN层的AlGaN / GaN二维电子气肖特基势垒光电二极管
机译:AlGaN / GaN异质结构:电子密度和迁移率对势垒合金成分的依赖性
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:具有超薄势垒的InAlN / GaN异质结构中高电场下热电子诱导的不饱和电流行为
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:异质结双极晶体管制造。处理特别是在发射极和基极之间具有势垒-通过从集电极层上的基极层通过势垒材料层中的窗口横向生长来形成外延发射极层
机译:功率放大器中使用的场效应晶体管由双重异质结构组成,该异质结构由氮化镓制成的沟道层,覆盖层和带隙比氮化镓高的背面势垒层组成
机译:具有AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体衬底
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