一种具有部分P型GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种具有部分P型GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管。该晶体管结构是在晶体管栅极边缘引入P型GaN帽层，该P型GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新的电场峰，降低了栅边缘的高电场，使晶体管表面的电场分布更加均匀。与传统结构相比，本发明在击穿电压和可靠性方面有了明显的提高与改善。