掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献代查
团队文献服务
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
召开年:
2014
召开地:
Millbrae,?CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
共
185
条结果
1.
Double SOI substrates for Advanced Technologies
机译:
用于先进技术的双SOI基板
作者:
W. Schwarzenbach
;
G. Besnard
;
G. Chabanne
;
B.-Y. Nguyen
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Substrates;
Silicon-on-insulator;
FinFETs;
Bonding;
Three-dimensional displays;
Manufacturing;
Field effect transistors;
2.
MTJ-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuit with Feedback-Type Equal-Resistance Sensing Mechanism for Ternary Neural Network Hardware
机译:
基于MTJ的非易失性逻辑内存电路,具有用于三元神经网络硬件的反馈式等电阻传感机制
作者:
Masanori Natsui
;
Takahiro Hanyu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Magnetic tunneling;
Sensors;
Nonvolatile memory;
Hardware;
Energy efficiency;
Performance evaluation;
Logic gates;
3.
A 9pW/bit 400mV 3T Gain-Cell eDRAM for ULP Applications in 28 nm FD-SOI
机译:
在28 nm fd-soi中为ULP应用的9PW / Bit 400MV 3T增益单元EDRAM
作者:
Amir Shalom
;
Alexander Fish
;
Adam Teman
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Random access memory;
Threshold voltage;
Low-power electronics;
Voltage control;
Transistors;
Arrays;
Writing;
4.
150-nW FD-SOI Intermittent Startup Circuit for Micropower Energy Harvesting Sensor
机译:
150-NW FD-SOI间歇式启动启动电路,用于微功率能量收集传感器
作者:
Minoru Sudo
;
Fumiyasu Utsunomiya
;
Ami Tanaka
;
Takayuki Douseki
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Energy harvesting;
DC-DC power converters;
MOSFET;
Threshold voltage;
Capacitors;
Leakage currents;
Switches;
5.
Impact of Furnace Annealing and other Process Failures to be taken care during Fabrication of an AlGaN/GaN MOSHEMT
机译:
在制造AlGan / GaN MoShemt期间,炉退火和其他过程故障的影响
作者:
Arathy Varghese
;
Chinnamuthan Periasamy
;
Lava Bhargava
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Furnaces;
Logic gates;
Wide band gap semiconductors;
Etching;
Aluminum gallium nitride;
Silicon;
Passivation;
6.
Power and Variation Improved Near-Vt Standard Cell Library for 28-nm FDSOI
机译:
功率和变化改善了近VT标准单元文库的28-NM FDSOI
作者:
Wing-Tsi Wong
;
Kamlesh Singh
;
Jos Huisken
;
José Pineda de Gyvez
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Libraries;
Standards;
Silicon-on-insulator;
Power demand;
Delays;
Logic gates;
Benchmark testing;
7.
Voltage Stacking for Near/Sub-threshold Ultra-Low Power Microprocessor Systems
机译:
用于近/阈值超低功耗微处理器系统的电压堆叠
作者:
Kamlesh Singh
;
Barry de Bruin
;
Jos Huisken
;
Hailong Jiao
;
Henk Corporaal
;
José Pineda de Gyvez
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Voltage control;
Stacking;
Rails;
Random access memory;
Power demand;
Regulators;
Leakage currents;
8.
New Design Principles for Cold Electronics
机译:
冷电子产品的新设计原理
作者:
Erik P. DeBenedictis
;
Michael P. Frank
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Adiabatic;
Transistors;
Cryogenics;
Standards;
Logic gates;
Qubit;
Gate leakage;
9.
From 180nm to 7nm: Crosstalk Computing Scalability Study
机译:
从180nm到7nm:串扰计算可扩展性研究
作者:
Md Arif Iqbal
;
Naveen Kumar Macha
;
Bhavana Tejaswini Repalle
;
Mostafizur Rahman
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Crosstalk;
Logic gates;
Capacitance;
CMOS technology;
Couplings;
Transistors;
Performance evaluation;
10.
A 28GHz SPDT TRx Switch with 9KV ESD Protection in 22nm SOI CMOS for 5G Mobiles
机译:
28GHz SPDT TRX开关,在22nm SOI CMOS中为9kV ESD保护,适用于5G手机
作者:
Feilong Zhang
;
Cheng Li
;
Chenkun Wang
;
Mengfu Di
;
Zijin Pan
;
David Harame
;
Albert Wang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Electrostatic discharges;
Switching circuits;
Switches;
5G mobile communication;
Radio frequency;
Transmission line measurements;
Topology;
11.
Comparative Analysis of Negative Capacitance Junctionless and Inversion Mode Transistors for Low Power Applications
机译:
低功率应用负电容结和反转模式晶体管的比较分析
作者:
Manish Gupta
;
Vita Pi-Ho Hu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Transistors;
Performance evaluation;
Capacitance;
Iron;
Systematics;
Mathematical model;
12.
TSV with Embedded Capacitor for ASIC-HBM Power and Signal Integrity Improvement
机译:
具有嵌入式电容器的TSV,用于ASIC-HBM电源和信号完整性改进
作者:
Anak Agung Alit Apriyana
;
Lin Ye
;
Tan Chuan Seng
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Capacitors;
Impedance;
Tuning;
Silicon;
Signal integrity;
Crosstalk;
13.
Heterogeneous Multi-Dimensional Integrated Circuit for Internet-of-Things Application
机译:
异构多维集成电路,用于互联网应用程序
作者:
Nazek El-Atab
;
Sohail F. Shaikh
;
Sherjeel Khan
;
Joho Yun
;
Muhammad Mustafa Hussain
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
STEM;
Silicon;
Through-silicon vias;
Integrated circuits;
Integrated circuit interconnections;
Faces;
Microcontrollers;
14.
Low-Frequency Noise Transistor Performance for UTBB FDSOI MOSFET-C Filters
机译:
UTBB FDSOI MOSFET-C滤波器的低频噪声晶体管性能
作者:
L. Van Brandt
;
B. Kazemi Esfeh
;
N. Planes
;
V. Kilchytska
;
D. Flandre
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Temperature measurement;
MOSFET circuits;
Low-frequency noise;
Silicon-on-insulator;
Noise measurement;
Voltage measurement;
MOSFET;
15.
Laser Processing For 3D Junctionless Transistor Fabrication
机译:
用于3D连接晶体管制造的激光加工
作者:
D. Bosch
;
P. Acosta Alba
;
S. Kerdiles
;
V. Benevent
;
C. Perrot
;
J. Lassarre
;
J. Richy
;
J. Lacord
;
B. Sklenard
;
L. Brunet
;
P. Batude
;
C. Fenouillet-Béranger
;
D. Lattard
;
J. P. Colinge
;
F. Balestra
;
F. Andrieu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Doping;
Annealing;
Three-dimensional displays;
Silicon;
Transistors;
Semiconductor lasers;
Grain size;
16.
New Pre-Requisites for Steep Sub-Threshold Tunnel Transistors
机译:
陡峭的子阈值隧道晶体管的新预先列表
作者:
Sri Krishna Vadlamani
;
Sapan Agarwal
;
Eli Yablonovitch
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Wires;
Quantum dots;
Tunneling;
Energy states;
Transistors;
Switching circuits;
17.
Potential Well Based FDSOI MOSFET: A Novel Planar Device for 10 nm Gate Length
机译:
基于潜在的FDSOI MOSFET:一个用于10nm栅极长度的新型平面装置
作者:
Shafi Qureshi
;
Shruti Mehrotra
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Silicon;
Potential well;
Performance evaluation;
Doping;
18.
Thermal Noise-Induced Error Simulation Framework for Subthreshold CMOS SRAM
机译:
用于亚阈值CMOS SRAM的热噪声引起的误差仿真框架
作者:
Elahe Rezaei
;
Marco Donato
;
William Patterson
;
Alexander Zaslavsky
;
R. Iris Bahar
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Latches;
Thermal noise;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Integrated circuit reliability;
Computational modeling;
19.
Methodology for defining the characterization corners of foundation IPs and hard macros in an adaptive body-biased controlled area
机译:
在自适应体型控制区域定义基础IPS和硬宏的表征角落的方法
作者:
Mathieu LOUVAT
;
Andrea BONZO
;
Anthony MIALON
;
Philippe FLATRESSE
;
Sebastien GENEVEY
;
Lionel JURE
;
Vincent HUARD
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Standards;
Dolphins;
Silicon-on-insulator;
Digital circuits;
Voltage control;
Temperature control;
20.
Buried Oxide on Extended Drain MOSFET (BOX EDMOS) for RF applications in FDSOI/Bulk Technology
机译:
在FDSOI /散装技术中埋入漏极MOSFET(盒EDMOS)的覆盖氧化物
作者:
Aliaksei Ivaniukovich
;
KwanYoung Kim
;
Wooyeol Maeng
;
HuiChul Shin
;
KangWook Park
;
Yoon-Suk Kim
;
UiHui Kwon
;
Dae Sin Kim
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Radio frequency;
Silicon-on-insulator;
Performance evaluation;
Reliability;
Electric fields;
Research and development;
21.
28 FDSOI RF Figures of Merit down to 4.2 K
机译:
28 FDSOI RF数字的优点下降至4.2 k
作者:
L. Nyssens
;
A. Halder
;
B. Kazemi Esfeh
;
N. Planes
;
D. Flandre
;
V. Kilchytska
;
J.-P. Raskin
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Radio frequency;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
MOSFET;
Cryogenics;
Equivalent circuits;
Temperature distribution;
22.
HfZrO Ferroelectric Characterization and Parameterization of Response to Arbitrary Excitation Waveform
机译:
Hfzro铁电特征与响应任意激励波形的参数化
作者:
Md Nur K. Alam
;
M. Thesberg
;
B. Kaczer
;
Ph. Roussel
;
B. Vermeulen
;
B. Truijen
;
M. I. Popovici
;
L.-Å Ragnarsson
;
A. S. Verhulst
;
N. Horiguchi
;
M. Heyns
;
J. Van Houdt
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Iron;
Switches;
Capacitors;
Steady-state;
Velocity measurement;
Integrated circuit modeling;
Data models;
23.
Microfluidic Cooling for 3D-IC with 3D Printing Package
机译:
3D-IC的微流体冷却3D打印包装
作者:
Jun-Han Han
;
Karina Torres-Castro
;
Robert E. West
;
Walter Varhue
;
Nathan Swami
;
Mircea Stan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Cooling;
Coolants;
Microfluidics;
Heating systems;
Microchannels;
Three-dimensional displays;
Fluids;
24.
Evaluating Negative Capacitance Technology for RF MOS Varactors
机译:
评估RF MOS变容仪的负电容技术
作者:
Girish Pahwa
;
Amit Agarwal
;
Yogesh Singh Chauhan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Capacitance;
Voltage-controlled oscillators;
Tuning;
Logic gates;
Varactors;
Reactive power;
Q-factor;
25.
Potential of a novel double-sided fully-depleted silicon-on-insulator CMOS architecture for the next-generation monolithic 3D CPUs and SOCs
机译:
一种新颖的双面全耗尽硅的绝缘体CMOS架构,用于下一代单片3D CPU和SOC
作者:
Ahmad Houssam Tarakji
;
Nirmal Chaudhary
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Three-dimensional displays;
Logic gates;
Transistors;
Semiconductor device modeling;
Two dimensional displays;
Integrated circuit interconnections;
Solid modeling;
26.
Advances in 3D Heterogeneous Structures and Integration for Future ICs (Invited)
机译:
3D异构结构的进步和未来IC(邀请)的集成
作者:
Cheng Li
;
Feilong Zhang
;
Mengfu Di
;
Zijin Pan
;
Albert Wang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Electrostatic discharges;
Integrated circuits;
Inductors;
Three-dimensional displays;
Metals;
Crosstalk;
Switching circuits;
27.
Degradation of Sub-Threshold Slope in Ultra-Scaled MOSFETs due to Energy Filtering at Source Contact
机译:
由于源触点的能量滤波,超缩放MOSFET中子阈值斜率的劣化
作者:
J. Saltin
;
N. C. Dao
;
P. H. W. Leong
;
H. Y. Wong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Nanowires;
Schottky barriers;
Scattering;
Tunneling;
Metals;
Logic gates;
Filtering;
28.
A Line TFET design employing Tri-line-gate architecture and U-shaped pockets for minimizing drain field effects
机译:
采用三线栅极架构和U形口袋的线路TFET设计,以最大限度地减少排水场效应
作者:
Ashita
;
Sajad A. Loan
;
Mohammad Rafat
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Tunneling;
Junctions;
Doping;
Photonic band gap;
Data models;
Boosting;
29.
Characterization Challenges and Solutions for FDSOI Technologies
机译:
FDSOI技术的特征挑战与解决方案
作者:
Tomasz Brozek
;
Meindert Lunenborg
;
Franck Arnaud
;
Roberto Gonella
;
Jean-Christophe Giraudin
;
Christian Dutto
;
Bertrand Martinet
;
Laurent Garchery
;
Christopher Hess
;
Kelvin Doong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Transistors;
Monitoring;
Mass production;
Silicon;
Tools;
Performance evaluation;
30.
Crystal Growth Study of the grain-Boundary Free (100) Textured Si Thin-Films by Using the CW-Laser Lateral Crystallization
机译:
通过使用CW激光横向结晶,晶界自由(100)纹理的Si薄膜的晶体生长研究
作者:
Nobuo Sasaki
;
Muhammad Arif
;
Yukiharu Uraoka
;
Jun Gotoh
;
Shigeto Sugimoto
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Surface texture;
Surface emitting lasers;
Power lasers;
Glass;
Crystals;
Substrates;
31.
A Benchmark Study of Complementary-Field Effect Transistor (CFET) Process Integration Options: Comparing Bulk vs. SOI vs. DSOI starting substrates
机译:
互补场效应晶体管(CFET)过程集成选项的基准研究:批量与SOI与DSOI启动基材的比较
作者:
Benjamin Vincent
;
J. Ervin
;
J. Boemmels
;
J. Ryckaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Logic gates;
Substrates;
Fabrication;
Transistors;
Silicon germanium;
Metals;
32.
A 64x1 Fuse Memory with 0.4V/1μA Read and 0.9V Program Voltage on 22nm FD-SOI
机译:
64x1熔断器内存,读取0.4V /1μA的读取和0.9V程序电压22nm FD-SOI
作者:
Shine Chung
;
Wen-Kuan Fang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Fuses;
Sensors;
Discharges (electric);
Capacitors;
Programming;
IP networks;
Threshold voltage;
33.
Statistical Characterization and Modelling of Gate-Induced Drain Leakage Variability in Advanced FDSOI Devices
机译:
高级FDSOI装置中栅极诱导漏极泄漏变异性的统计表征及建模
作者:
T. A. Karatsori
;
C. Cavalcante
;
J. Lacord
;
P. Batude
;
C. Theodorou
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Silicon-on-insulator;
Standards;
Geometry;
Doping;
Analytical models;
34.
Performance Enhancement of 4T-IFGC DRAM in 7nm NC-FinFET Technology Node
机译:
7NM NC-FinFET技术节点中4T-IFGC DRAM的性能增强
作者:
Koshal Sharma
;
Amol D. Gaidhane
;
Yogesh Singh Chauhan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Random access memory;
Delays;
Noise measurement;
Field effect transistors;
Capacitance;
35.
Linear and Efficient NFET-MESFET 5G Cascode Power Amplifiers Using 45nm SOI CMOS
机译:
线性和高效的NFET-MESFET 5G Cascode功率放大器使用45nm SOI CMOS
作者:
Trevor J. Thornton
;
Chaojiang Li
;
Payam Mehr
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Power amplifiers;
5G mobile communication;
MESFETs;
Power generation;
Radio frequency;
Logic gates;
K-band;
36.
Impact of On-Current on the Static and Dynamic Performance of TFET Inverters
机译:
电流对TFET逆变器静态和动态性能的影响
作者:
Atieh Farokhnejad
;
Fabian Horst
;
Alexander Kloes
;
Benjamín Iñíguez
;
François Lime
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Inverters;
TFETs;
Tunneling;
Delays;
Integrated circuit modeling;
Logic gates;
MOSFET;
37.
Si Layers Transfer On Sapphire or Silicon with High-k Stack of PEALD Dielectric Nanolayers
机译:
Si层在蓝宝石或硅上转移,具有高k堆的PEALD介电纳米层
作者:
Vladimir Popov
;
Valentin Antonov
;
Alexey Leushin
;
Ida Tyschenko
;
Anton Gutakovskiy
;
Andrey Miakonkich
;
Konstantin Rudenko
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Substrates;
High-k dielectric materials;
Hydrogen;
Gettering;
Dielectrics;
Physics;
38.
Optimization of photoelectron in-situ sensing device in FD-SOI
机译:
FD-SOI光电子原位传感装置的优化
作者:
J. Liu
;
M. Arsalan
;
A. Zaslavsky
;
S. Cristoloveanu
;
J. Wan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Sensors;
Sensitivity;
Performance evaluation;
Substrates;
Transistors;
Silicon-on-insulator;
Silicon;
39.
High Temperature Reliability Studies of Innovative Fuse Programming Mode
机译:
创新熔断器编程模式的高温可靠性研究
作者:
Shine Chung
;
Wen-Kuan Fang
;
Michael Wendt
;
Heng-Kah Lee
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Programming;
High-temperature superconductors;
Fuses;
Current distribution;
Reliability;
Resistance;
Standards;
40.
Negative capacitance GaN HEMT with improved subthreshold swing and transconductance
机译:
负电容GaN HEMT,具有改进的亚阈值摆动和跨导
作者:
KM. Zhu
;
JH. Wei
;
J. Wan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Capacitance;
HEMTs;
Gallium nitride;
Dielectrics;
Annealing;
Hysteresis;
41.
P-type Negative Capacitance FinFET with Subthreshold Characteristics and Driving Current Improvement
机译:
P型负电容FINFET,具有亚阈值特性和驱动电流改进
作者:
Zhaohao Zhang
;
Qingzhu Zhang
;
Zhaozhao Hou
;
Gaobo Xu
;
Qiuxia Xu
;
Huilong Zhu
;
Huxiang Yin
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Zirconium;
Iron;
Hafnium;
Field effect transistors;
Capacitance;
42.
Quantitative Evaluation of Mobility Scattering Mechanisms in Ultra-Thin-Body Ge-OI pMOSFETs
机译:
超薄体Ge-OI PMOSFET中迁移率散射机制的定量评估
作者:
Sicong Yuan
;
Walter Schwarzenbach
;
Zhuo Chen
;
Bich-Yen Nguyen
;
Rui Zhang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Fluctuations;
Scattering;
Germanium;
Surface roughness;
Rough surfaces;
Phonons;
43.
Soft Error Tolerance of Standard and Stacked Latches Dependending on Substrate Bias in a FDSOI Process Evaluated by Device Simulation
机译:
通过设备仿真评估的FDSOI过程中依赖于基板偏压的标准和堆叠锁存器的软误差容差
作者:
Kentaro Kojima
;
Jun Furuta
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Latches;
Standards;
Substrates;
Ions;
Logic gates;
Transistors;
Silicon-on-insulator;
44.
Effect of Vsub and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS “PN Body-Tied SOI-FET” and Proposal of CMOS without Vsub Bias
机译:
VSUB和正电荷在埋地氧化物上的效果在超级陡峭SS“PN身体绑定SOI-FET”上的影响和CMOS的建议,没有VSUB偏压
作者:
Wataru Yabuki
;
Jiro Ida
;
Takayuki Mori
;
Koichiro Ishibashi
;
Yasuo Arai
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Leakage currents;
Silicon;
Logic gates;
Substrates;
Q measurement;
Field effect transistors;
45.
Design and Study of an Artificial Spiking Neuron Enabled by Low-Voltage SiOx-based ReRAM
机译:
基于低压SiOx的RERAM实现人工尖峰神经元的设计与研究
作者:
Jessie XuHua Niu
;
Yida Li
;
Hasita Veluri
;
Aaron Voon-Yew Thean
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Neurons;
Switching circuits;
Synapses;
Switches;
Integrated circuit modeling;
Electrodes;
Logic gates;
46.
Optimization of the Back Enhanced BESOI MOSFET working as a charge-based BioFET sensor
机译:
作为基于电荷的生物塑料传感器工作的后增强BEOI MOSFET的优化
作者:
L. S. Yojo
;
R. C. Rangel
;
K. R. A. Sasaki
;
C. A. Mori
;
J. A. Martino
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Biosensors;
Silicon;
Logic gates;
MOSFET;
Sensitivity;
Transistors;
Electrodes;
47.
Materials Requirements of High-Speed and Low-Power Spin-Orbit-Torque Magnetic Random-Access Memory
机译:
材料要求高速和低功耗自旋轨道扭矩磁随机存取存储器
作者:
Xiang Li
;
Shy-Jay Lin
;
DC Mahendra
;
Yu-Ching Liao
;
Chengyang Yao
;
Azad Naeemi
;
Wilman Tsai
;
Shan X. Wang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Switches;
Magnetic tunneling;
Resistance;
Transistors;
Conductivity;
Computer architecture;
Thermal stability;
48.
TCAD-Spice Co-Simulation of Ferroelectric Capacitor as an Electrically Trimmable On-Chip Capacitor in Analog Circuit
机译:
TCAD- SPICE铁电电容作为模拟电路中电线上的片上电容器的共模
作者:
K. Huynh
;
A. C. Tenkeu
;
K. P. Pun
;
H. Y. Wong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Capacitance;
Capacitors;
Integrated circuit modeling;
Mathematical model;
Iron;
Bandwidth;
Thermal variables control;
49.
High brightness and bonding yield of integrated Si-CMOS and GaN LED wafers
机译:
集成的Si-CMOS和GaN LED晶片的高亮度和粘合产量
作者:
Kwang Hong Lee
;
Lin Zhang
;
Li Zhang
;
Yue Wang
;
Kenneth Eng Kian Lee
;
Soo Jin Chua
;
Eugene A. Fitzgerald
;
Chuan Seng Tan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Gallium nitride;
Light emitting diodes;
Substrates;
Silicon;
Surface treatment;
Bonding;
Diamond;
50.
Subthreshold Operation of Self-Cascode Structure Using UTBB FD SOI Planar MOSFETs
机译:
使用UTBB FD SOI平面MOSFET的自级级码结构的亚阈值操作
作者:
Lígia Martins d’Oliveira
;
Valeriya Kilchytska
;
Nicolas Planes
;
Denis Flandre
;
Michelly de Souza
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Logic gates;
Gain;
MOSFET;
Transconductance;
Periodic structures;
Low voltage;
51.
A Physical Modeling Study of Mobility Enhancement in Stressed Ge-on-insulator pMOSFET
机译:
压力Ge-on-Insulator PMOSFET中流动性增强的物理建模研究
作者:
Haoqing Xu
;
Guilei Wang
;
Jiaxin Yao
;
Huaxiang Yin
;
Henry Radamson
;
Zhenhua Wu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Scattering;
Germanium;
Stress;
Semiconductor process modeling;
Semiconductor device modeling;
Mathematical model;
MOSFET circuits;
52.
Physical Analysis of Non-monotonic DIBL Dependence on Back Gate Bias in Thick Front Gate Oxide FDSOI MOSFETs
机译:
厚前栅极氧化物FDSOI MOSFET中的非单调DIBL依赖性的物理分析
作者:
Chetan Kumar Dabhi
;
Pragya Kushwaha
;
Harshit Agarwal
;
Sarvesh S. Chauhan
;
Chenming Hu
;
Yogesh Singh Chauhan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Threshold voltage;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Electric potential;
Electron devices;
Data models;
Transistors;
53.
Impact of Gate Oxide Traps and In0:53Ga0:47As/BOX traps on the Performance of In0:53Ga0:47As on insulator TFET and its Mitigation
机译:
栅极氧化物疏水阀和IN0:53GA0:47AS /盒子陷阱对绝缘子TFET的性能及其缓解的影响
作者:
Mohd Haris
;
Sajad Loan
;
Mainuddin
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Doping;
TFETs;
Tunneling;
Electron traps;
Junctions;
Insulators;
54.
Modeling the Quantum Gate capacitance of Nano-Sheet Gate-All-Around MOSFET
机译:
建模纳米片 - 全面MOSFET的量子栅极电容
作者:
Pragya Kushwaha
;
Harshit Agarwal
;
Varun Mishra
;
Avirup Dasgupta
;
Yen-Kai Lin
;
Ming-Yen Kao
;
Yogesh Singh Chauhan
;
Sayeef Salahuddin
;
Chenming Hu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Gallium arsenide;
Silicon;
Quantum capacitance;
Electric potential;
Semiconductor device modeling;
Insulators;
55.
TFET based 1T-DRAM: Physics, Significance and Trade-offs
机译:
基于TFET的1T-DRAM:物理,意义和权衡
作者:
Nupur Navlakha
;
Md. Hasan Raza Ansari
;
Abhinav Kranti
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Random access memory;
Computational modeling;
Hafnium oxide;
Doping;
Temperature distribution;
Physics;
56.
OTA Performance Comparison Designed with Experimental NW-MOSFET and NW-TFET Devices
机译:
OTA性能比较使用实验NW-MOSFET和NW-TFET器件设计
作者:
Alexandro de M. Nogueira
;
Paula G. D. Agopian
;
Roberto Rangel
;
Joao A. Martino
;
Eddy Simoen
;
Rita Rooyackers
;
Cor Claeys
;
Nadine Collaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
MOSFET;
Gain;
Capacitance;
Logic gates;
Semiconductor device modeling;
Silicon;
57.
Study of Layout Dependent Radiation Hardness of FinFET SRAM using Full Domain 3D TCAD Simulation
机译:
使用全域3D TCAD模拟研究FINFET SRAM的布局依赖性辐射硬度
作者:
Khoa Huynh
;
Johan Saltin
;
Jin-Woo Han
;
Meyya Meyyappan
;
Hiu Yung Wong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
FinFETs;
Three-dimensional displays;
SRAM cells;
Layout;
Ions;
Solid modeling;
58.
Design and Simulation of High Performance Dopingless Tunnel Diode
机译:
高性能多拔隧道二极管的设计与仿真
作者:
Faisal Bashir
;
Asim Majeed
;
Farooq A Khanday
;
M. Tariq Banday
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Schottky diodes;
Performance evaluation;
Plasmas;
Cathodes;
Anodes;
Silicon;
Semiconductor process modeling;
59.
Improved Electrical Characteristics of P-type Tunnel Field-Effect Transistor With Source-Pocket Junction Formed Using High-Angle Implantation
机译:
利用高角度植入形成的源极袋结改善了P型隧道场效应晶体管的电气特性
作者:
Gaobo Xu
;
Huaxiang Yin
;
Qiuxia Xu
;
Guilong Tao
;
Guoliang Tian
;
Zhihao Li
;
Jinshun Bi
;
Jianhui Bu
;
Zhenhua Wu
;
Qingzhu Zhang
;
Yongliang Li
;
Jinbiao Liu
;
Junfeng Li
;
Huilong Zhu
;
Chao Zhao
;
Wenwu Wang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Tunneling;
TFETs;
Silicon;
Junctions;
Electric variables;
Performance evaluation;
Logic gates;
60.
Investigating the Scalability of Nanowire Junctionless Accumulation Mode FETs using an Intrinsic Pocket
机译:
使用内在袋来研究纳米线连接累积模式FET的可扩展性
作者:
Aakash Kumar Jain
;
Jaspreet Singh
;
Mamidala Jagadesh Kumar
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Field effect transistors;
Tunneling;
Semiconductor process modeling;
Scalability;
Photonic band gap;
Performance evaluation;
61.
Group IV/oxide semiconductor bi-layer tunneling FET
机译:
第IV组/氧化物半导体双层隧道FET
作者:
Shinichi Takagi
;
Kimihiko Kato
;
Mitsuru Takenaka
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Germanium;
Silicon;
Logic gates;
62.
Two-stage amplifier design based on experimental Line-Tunnel FET data
机译:
基于实验线隧道FET数据的两级放大器设计
作者:
Walter Gonçalez Filho
;
Joao A. Martino
;
Roberto Rangel
;
Paula G. D. Agopian
;
Eddy Simoen
;
Rita Rooyackers
;
Cor Claeys
;
Nadine Collaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Tunneling;
MOSFET;
Bandwidth;
Topology;
Gain;
63.
A 0.75-V 58-MHz 340-μW SOTB-65nm 32-point DCT Implementation Based on Fixed-rotation Adaptive CORDIC
机译:
基于固定旋转自适应CORDIC的0.75V-V 58-MHz 340-μWSOTB-65NM 32点DCT实现
作者:
Ngoc-Tu Bui
;
Trong-Thuc Hoang
;
Akinori Yamamoto
;
Duc-Hung Le
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Discrete cosine transforms;
Semiconductor device measurement;
Voltage measurement;
Very large scale integration;
Logic gates;
Computer architecture;
Throughput;
64.
Femtoampere sensitive current measurement ASIC in 22 nm technology
机译:
毫微浪敏感电流测量ASIC在22 nm技术中
作者:
Sarath Kundumattathil Mohanan
;
Hamza Boukabache
;
Daniel Perrin
;
Ullrich Pfeiffer
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Current measurement;
Transistors;
Leakage currents;
Semiconductor device measurement;
Logic gates;
Ionization chambers;
Electrostatic discharges;
65.
A ReRAM Memory Compiler with Layout-Precise Performance Evaluation
机译:
具有布局精确性能评估的reram内存编译器
作者:
Edward Lee
;
Daehyun Kim
;
Venkata Chaitanya Krishna Chekuri
;
Yun Long
;
Saibal Mukhopadhyay
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Layout;
Random access memory;
Tools;
Computer architecture;
Semiconductor device modeling;
Microprocessors;
Performance evaluation;
66.
Triple-Stacked Silicon-on-Insulator Integrated Circuits Using Au/SiO2 Hybrid Bonding
机译:
使用AU / SiO2混合粘合的三堆叠硅式绝缘体集成电路
作者:
Yuki Honda
;
Masahide Goto
;
Toshihisa Watabe
;
Masakazu Nanba
;
Yoshinori Iguchi
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Eiji Higurashi
;
Hiroshi Toshiyoshi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Gold;
Substrates;
Bonding;
Electrodes;
Integrated circuits;
Three-dimensional displays;
67.
Carrier Mobility Variation Induced by the Substrate Bias in Ω-gate SOI Nanowire MOSFETs
机译:
由Ω栅极SOI纳米线MOSFET中的基板偏置引起的载流子迁移率变化
作者:
F. E. Bergamaschi
;
T. A. Ribeiro
;
B. C. Paz
;
M. de Souza
;
S. Barraud
;
M. Cassé
;
M. Vinet
;
O. Faynot
;
M. A. Pavanello
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Substrates;
Logic gates;
Degradation;
Transistors;
Voltage measurement;
Nanoscale devices;
68.
Mixed-Signal Neuromorphic Processors: Quo Vadis?
机译:
混合信号神经形态处理器:QUO VADIS?
作者:
Mohammad Bavandpour
;
Mohammad Reza Mahmoodi
;
Shubham Sahay
;
Dmitri B. Strukov
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Nonvolatile memory;
Microprocessors;
Program processors;
Integrated circuit modeling;
Encoding;
Computational modeling;
69.
A 23 GHz VCO with 13 FTR in 22 nm FDSOI
机译:
23 GHz VCO,22 NM FDSOI中的13%FTR
作者:
Piyush Kumar
;
Jidan AL-Eryani
;
David Borggreve
;
Enno Böhme
;
Pragoti Pran Bora
;
Erkan Nevzat Isa
;
Linus Maurer
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Voltage-controlled oscillators;
Tuning;
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Inductors;
Radio frequency;
Power generation;
70.
A Ring Oscillator Using Bootstrap Inverter
机译:
使用Bootstrap逆变器的环形振荡器
作者:
Akinori Yamamoto
;
Trong-Thuc Hoang
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Ring oscillators;
Inverters;
Capacitors;
Wireless sensor networks;
MOS capacitors;
Power demand;
Low voltage;
71.
Improving Dynamic Leakage Suppression Logic with Forward Body Bias in 65nm CMOS
机译:
在65nm CMOS中提高动态泄漏抑制逻辑与前体偏压
作者:
Daniel S. Truesdell
;
Benton H. Calhoun
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Delays;
Standards;
Transistors;
Subthreshold current;
Steady-state;
Inverters;
72.
A 3.2–3.6GHz SOI-LDMOS Dual-Input Doherty Power Amplifier
机译:
3.2-3.6GHz SOI-LDMOS双输入Doherty功率放大器
作者:
Saad Boutayeb
;
Ayssar Serhan
;
Pascal Reynier
;
Damien Parat
;
Alexis Divay
;
Jean-Daniel Arnould
;
Estelle Lauga-Larroze
;
Alexandre Giry
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Power amplifiers;
Inductors;
Power generation;
Impedance;
Voltage measurement;
Substrates;
Q-factor;
73.
Preliminary results of a novel low voltage M-OTP in MOS transistor in 28nm FD-SOI
机译:
28nm FD-SOI中MOS晶体管中新型低电压M-OTP的初步结果
作者:
Ph. Galy
;
M. Bawedin
;
R. Lethiecq
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Temperature measurement;
Performance evaluation;
Logic gates;
Programming;
Electrical resistance measurement;
Three-dimensional displays;
Silicides;
74.
22FDX® Embracing IoT, 5G, and Automotive Applications - A Perspective through Global Research
机译:
22FDX®拥有物联网,5G和汽车应用 - 通过全球研究的视角
作者:
Qiang Brian Chen
;
Jamie K. Schaeffer
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Low-power electronics;
Voltage-controlled oscillators;
Random access memory;
5G mobile communication;
Switches;
Radio frequency;
75.
High Breakdown Voltage MESFETs Integrated with SOI CMOS Technologies
机译:
高击穿电压MESFET与SOI CMOS技术集成
作者:
Trevor Thornton
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
MESFETs;
Radio frequency;
CMOS technology;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Power amplifiers;
Wireless communication;
76.
Heterogeneous Micro LED Displays Yield Statistics
机译:
异构微LED显示产量统计
作者:
Khaled Ahmed
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Redundancy;
Light emitting diodes;
Fault tolerant systems;
Color;
Backplanes;
Mathematical model;
Maintenance engineering;
77.
Edge Inference with NEM Relays
机译:
边缘推断与NEM继电器
作者:
Rawan Naous
;
Vladimir Stojanović
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Nanoelectromechanical systems;
Neural networks;
Quantization (signal);
Relays;
Energy efficiency;
Table lookup;
Inference algorithms;
78.
Charge Trap Layer (CTL) SOI Substrates using Float Zone Wafers Achieving Low Substrate Losses
机译:
使用浮动区晶片实现低基板损耗的电荷陷阱层(CTL)SOI基板
作者:
Jeffrey Libbert
;
Leif Jensen
;
Theis Leth Sveigaard
;
Mike Seacrist
;
Carissma Hudson
;
Shawn G. Thomas
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Conductivity;
Silicon;
Substrates;
Nitrogen;
Annealing;
Thermal resistance;
Thermal stresses;
79.
Advanced 22 nm FD-SOI devices integration platform
机译:
高级22 NM FD-SOI设备集成平台
作者:
Ming TIAN
;
Cuiqin XU
;
Haibo LEI
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Threshold voltage;
Silicon;
Performance evaluation;
Temperature measurement;
Implants;
Doping;
80.
Session 1: Keynote speakers
机译:
第1节:主题演讲者
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
81.
Competitive 1T-DRAM in 28 nm FDSOI technology for low-power embedded memory
机译:
竞争性1T-DRAM在28 NM FDSOI技术中进行低功耗嵌入式内存
作者:
H. El Dirani
;
M. Bawedin
;
K. Lee
;
M. Parihar
;
X. Mescot
;
P. Fonteneau
;
Ph. Galy
;
F. Gamiz
;
Y-T. Kim
;
P. Ferrari
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Random access memory;
Anodes;
Logic gates;
Capacitors;
P-i-n diodes;
Cathodes;
82.
Bonding based channel transfer and low temperature process for monolithic 3D integration platform development
机译:
基于粘接的通道转移和低温过程,用于单片3D集成平台开发
作者:
Rino Choi
;
Hyun-Yong Yu
;
Hyungsub Kim
;
Han-Youl Ryu
;
Hee-Kyung Bae
;
Kevin Kinam Choi
;
Yong-Won Cha
;
Changhwan Choi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Plasma temperature;
Surface treatment;
Silicon;
Three-dimensional displays;
Annealing;
Bonding;
Ions;
83.
Ns laser annealing for junction activation preserving inter-tier interconnections stability within a 3D sequential integration
机译:
NS激光退火用于结束三维顺序集成中的层间互连稳定性
作者:
C. Fenouillet-Beranger
;
P. Acosta-Alba
;
B. Mathieu
;
S. Kerdilès
;
M-P. Samson
;
B. Previtali
;
N. Rambal
;
V. Lapras
;
F. Ibars
;
A. Roman
;
R. Kachtouli
;
P. Besson
;
J-P. Nieto
;
L. Pasini
;
L. Brunet
;
F. Aussenac
;
J-M. Hartmann
;
F. Mazzamuto
;
I. Toqué-Trésonne
;
K. Huet
;
P. Batude
;
M. Vinet
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Semiconductor lasers;
Three-dimensional displays;
Silicon;
Junctions;
Measurement by laser beam;
84.
Down to 15nm BOX: SOI extendability for planar fully depleted application beyond 22FD
机译:
下至15nm盒子:SOI适用于平面的完全耗尽的应用超过22FD
作者:
W. Schwarzenbach
;
F. Allibert
;
C. Le Royer
;
L. Grenouillet
;
C. Malaquin
;
C. Bertrand-Giuliani
;
F. Boedt
;
S. Loubriat
;
C. Michau
;
D. Parissi
;
B.-Y. Nguyen
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Substrates;
Thickness measurement;
Implants;
Logic gates;
Finishing;
Electric breakdown;
85.
Stability optimization of monolithic 3-D MoS2-n/WSe2-p SRAM cells for superthreshold and near-/sub-threshold applications
机译:
整体三维MOS2-N / WSE2-P SRAM细胞的稳定性优化,用于超值和近/近/阈值应用
作者:
Chang-Hung Yu
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
SRAM cells;
Wireless sensor networks;
Stacking;
Stability analysis;
Standards;
Optimization;
86.
High-speed epitaxial lift-off for III-V-on-insulator transistors on Si substrates
机译:
SI基板上的III-V-on绝缘体晶体管高速外延剥离
作者:
SangHyeon Kim
;
Dae-Myeong Geum
;
Seong Kwang Kim
;
Hyung-jun Kim
;
Jin Dong Song
;
Won Jun Choi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Gallium arsenide;
Substrates;
Surface cleaning;
Surface morphology;
Etching;
87.
Cost model for monolithic 3D integrated circuits
机译:
单片3D集成电路成本模型
作者:
Daniel Gitlin
;
Maud Vinet
;
Fabien Clermidy
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Complexity theory;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Two dimensional displays;
Solid modeling;
88.
Use of back gate bias to improve the performance of n- and p-type UTBB transistors-based self-cascode structures applied to current mirrors
机译:
使用后门偏置来提高基于N和P型UTBB晶体管的性能的自级码结构,其应用于电流镜
作者:
R.T. Doria
;
R. Trevisoli
;
M. de Souza
;
M.A. Pavanello
;
D. Flandre
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Periodic structures;
Logic gates;
Mirrors;
Performance evaluation;
Silicon;
MOSFET;
89.
Ultra low energy FDSOI asynchronous reconfiguration network for an IoT wireless sensor network node
机译:
用于物联网无线传感器网络节点的超低能量FDSOI异步重新配置网络
作者:
Soundous Chairat
;
Edith Beigne
;
Florent Berthier
;
Ivan Miro-Panades
;
Marc Belleville
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Topology;
Network topology;
Silicon carbide;
Wireless sensor networks;
Communication networks;
Protocols;
Wires;
90.
A radiation-hard layout structure to control back-gate biases in a 65 nm thin-BOX FDSOI process
机译:
一种辐射 - 硬布局结构,以控制65 nm薄盒FDSOI工艺中的回栅偏置
作者:
Junki Yamaguchi
;
Jun Furuta
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Silicon-on-insulator;
Layout;
Logic gates;
MOS devices;
Transistors;
Rails;
91.
State-of-the-art ESD protection devices and techniques for digital and analog technologies
机译:
用于数字和模拟技术的最先进的ESD保护装置和技术
作者:
Akram A. Salman
;
Farzan Farbiz
;
Aravind Appaswamy
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Stress;
Junctions;
Thyristors;
Light emitting diodes;
Logic gates;
Electronic ballasts;
92.
In-pixel A/D converters with 120-dB dynamic range using event-driven correlated double sampling for stacked SOI image sensors
机译:
具有120 dB动态范围的像素A / D转换器,用于堆叠SOI图像传感器的事件驱动的相关双采样
作者:
Masahide Goto
;
Yuki Honda
;
Toshihisa Watabe
;
Kei Hagiwara
;
Masakazu Nanba
;
Yoshinori Iguch
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Eiji Higurashi
;
Hiroshi Toshiyoshi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
CMOS image sensors;
Timing;
Lighting;
Dynamic range;
Logic circuits;
Analog-digital conversion;
93.
Tunnel FETs for low power electronics
机译:
低功耗电子隧道FET
作者:
Anne Vandooren
;
Alireza Alian
;
Anne Verhulst
;
Jacopo Franco
;
Rita Rooyackers
;
Quentin Smets
;
Devin Verreck
;
Niamh Waldron
;
Dan Mocuta
;
Nadine Collaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Logic gates;
Junctions;
Photonic band gap;
Silicon;
MOSFET;
94.
Influence of source-drain engineering and temperature on split-capacitance characteristics of FDSOI p-i-n gated diodes
机译:
源排水工程与温度对FDSOI P-IN界面二极管分裂特性的影响
作者:
K. R. A. Sasaki
;
C. Navarro
;
M. Bawedin
;
F. Andrieu
;
J. A. Martino
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Capacitance;
Logic gates;
TFETs;
Films;
Silicon;
Silicon-on-insulator;
Temperature measurement;
95.
Transport in TriGate nanowire FET: Cross-section effect at the nanometer scale
机译:
Trigate纳米线FET的运输:纳米尺度的横截面效果
作者:
J. Pelloux-Prayer
;
M. Cassé
;
S. Barraud
;
F. Triozon
;
Z. Zeng
;
Y.-M. Niquet
;
J.-L. Rouvière
;
G. Reimbold
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Transistors;
Temperature measurement;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Scattering;
Electron mobility;
Phonons;
96.
Modeling the impact of the vertical doping profile on FinFET SRAM VT mismatch
机译:
模拟垂直掺杂型材对Finfet SRAM VT失配的影响
作者:
David Burnett
;
Xusheng Wu
;
Seong-Yeol Mun
;
Shesh Pandey
;
Manfred Eller
;
Sanjay Parihar
;
Sri Samavedam
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Doping;
Semiconductor process modeling;
Random access memory;
Logic gates;
FinFETs;
Data models;
97.
A 1.95GHz 28dBm fully integrated packaged power amplifier presenting a 3G FOM of 80 (PAE+ACLR) designed in H9SOIFEM CMOS 130nm: Development of an optimized high performances RF SOI power cell
机译:
1.95GHz 28dBm完全集成的封装功率放大器,呈现在H9SOIFEM CMOS 130NM中设计的80(PAE + ACLR)的3G FOM:开发优化的高性能RF SOI电池
作者:
Vincent Knopik
;
Guillaume Bertrand
;
Augustin Monroy
;
Sylvie Gachon
;
Julien Morelle
;
Philippe Cathelin
;
Benoit Butaye
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Transistors;
Radio frequency;
Power amplifiers;
Power transistors;
Topology;
Load modeling;
Semiconductor device modeling;
98.
Impact of the low temperature operation on long channel strained Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes
机译:
低温操作对STI第一和最后一个工艺制造的长通道应变GE PFinFET的影响
作者:
Alberto Vinícius de Oliveira
;
Eddy Simoen
;
Paula Ghedini Der Agopian
;
Jo?o Antonio Martino
;
Jér?me Mitard
;
Liesbeth Witters
;
Nadine Collaert
;
Aaron Thean
;
Cor Claeys
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Logic gates;
Silicon;
Strain;
Silicon germanium;
Performance evaluation;
Germanium;
99.
Design, fabrication, and characterization of ultralow current operational-amplifier in the weak inversion mode in XFAB-XT018 technology
机译:
在XFAB-XT018技术中弱反转模式下超级电流运算放大器的设计,制造和表征
作者:
Farzin Akbar
;
Marco Ramsbeck
;
Elias Kogel
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Temperature measurement;
MOSFET;
Threshold voltage;
Voltage measurement;
Gain;
100.
Correlations between plasma induced damage and negative bias temperature instability in 65 nm bulk and thin-BOX FDSOI processes
机译:
65nm散装和薄箱FDSOI工艺中等离子体诱导损伤与负偏置温度不稳定性之间的相关性
作者:
Ryo Kishida
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Degradation;
Correlation;
Antenna measurements;
上一页
1
2
下一页
意见反馈
回到顶部
回到首页