Transistors; Logic gates; Gain; MOSFET; Transconductance; Periodic structures; Low voltage;
机译:反偏压对基于标准FD和UTBB晶体管的共源共栅结构的模拟性能的影响
机译:使用精确的反转电荷密度模型在反偏压下提取短沟道UTBB-FDSOI MOSFET的迁移率
机译:间歇性感应临界在纳米级UTBB FD-SOI MOSFET的随机电报噪声中
机译:使用后门偏置来增强平面FD和UTBB SOI晶体管的自级级码结构的模拟性能
机译:亚阈值区域中基于Mosfets分压器阵列的物理上不可克隆的函数
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:几何参数对非对称自级码FD SOI NMOSFET的DC模拟行为的影响