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王丹丹; 王军; 王林;
西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010;
纳米级金属氧化物场效应晶体管; 亚阈值区; 漏极电流; 栅极电流; 频率依赖性;
机译:考虑ECPE的双材料栅极工程纳米级无结环绕栅极MOSFET的亚阈值分析模型
机译:紧凑的二维电势模型,用于亚阈值表征纳米级完全耗尽的短沟道纳米线MOSFET
机译:具有双材料栅叠层的纳米级无结双栅MOSFET的亚阈值行为模型
机译:纳米级CMOS逆变器亚阈值区域模型对亚阈值区的影响
机译:亚阈值区域中基于Mosfets分压器阵列的物理上不可克隆的函数
机译:具有接近理想亚阈值斜率的GaN纳米线MOSFET
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:改善沟槽隔离型场效应晶体管器件亚阈值漏电流特性的方法
机译:MOSFET阈值开关系统-通过使用六个MOSFET具有与触发MOSFET阈值电压无关的触发电平
机译:MOSFET晶体管单元,通过选择性植入穿孔形成防止和阈值还原区
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