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辛艳辉; 袁合才; 辛洋;
华北水利水电大学信息工程学院,河南郑州,450046;
华北水利水电大学数学与统计学院,河南郑州,450046;
水利勘查设计研究院,山东德州,253014;
亚阈值电流; 亚阈值斜率; 三材料双栅; 应变硅;
机译:硅锗衬底上带有应变硅沟道的短沟道双材料栅MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅分析模型
机译:SGOI MOSFET上双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的亚阈值电流和亚阈值摆幅的二维建模
机译:具有界面电荷的亚阈值电流和应变-SI渐变沟道双材料双栅MOSFET的分析模型和电路性能分析
机译:纳米级政题中P沟道对称双栅MOSFET的阈值电压和亚阈值电流的建模
机译:亚阈值区域中基于Mosfets分压器阵列的物理上不可克隆的函数
机译:具有接近理想亚阈值斜率的GaN纳米线MOSFET
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。
机译:具有亚微安阈值电流的微腔激光器的阈值特性
机译:具有陡峭的亚阈值斜率的垂直栅半导体器件
机译:I形栅电极可提高亚阈值MOSFET的性能
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