退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
陈占平;
中国电子学会;
薄膜;
机译:短沟道双金属栅(DMG)全耗尽型凹源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的分析亚阈值电流和亚阈值摆幅模型
机译:硅锗衬底上带有应变硅沟道的短沟道双材料栅MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅分析模型
机译:具有界面电荷的亚阈值电流和应变-SI渐变沟道双材料双栅MOSFET的分析模型和电路性能分析
机译:肖特基势垒源极/漏极双栅全环绕(DGAA)MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅的分析模型
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:在恶劣环境中的双栅sOI / mOs器件和电路
机译:自对准双栅绝缘体上硅(SOI)器件
机译:具有双栅结构的SOI器件及其制造方法
机译:具有栅电极和场板电极的横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。