MOSFET; Semiconductor device modeling; Threshold voltage; Silicon; Mathematical model; Logic gates; Electric potential;
机译:对称双材料双栅极应变Si MOSFET的阈值电压和亚阈值电流的二维模型
机译:未掺杂对称双栅极MOSFET的二维分析阈值电压和亚阈值摆幅模型
机译:适用于对称和非对称双栅极结构的纳米级短沟道无结MOSFET的亚阈值电流模型
机译:纳米尺度下P沟道对称双栅极MOSFET的阈值电压和亚阈值电流建模
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:均匀掺杂的短沟道对称双栅(DG)MOSFET的掺杂相关阈值电压模型