Inverters; TFETs; Tunneling; Delays; Integrated circuit modeling; Logic gates; MOSFET;
机译:在存在陷阱和局部应变的情况下TFET逆变器的静态和瞬态性能
机译:增量掺杂隧道FET(D-TFET)可改善电流比(I-ON / I-OFF)和导通电流性能
机译:基于局部电荷的数值分析对基于CMOS反相器的纳米圆柱围栅MOSFET静态和动态性能的影响
机译:具有增加的导通电流和减小的双极性的无结反向TFET
机译:改善开关模式DC-AC逆变器静态和动态性能的控制技术
机译:动态热身静态拉伸或带有肌腱振动的静态拉伸对垂直跳跃性能和EMG响应的影响
机译:通过减少自体化改善双层磷烯TFET逆变器性能
机译:使用级联多电平逆变器的静态无功发生器的动态性能和控制