MOSFET; Substrates; Logic gates; Degradation; Transistors; Voltage measurement; Nanoscale devices;
机译:应变和非应变SOI三栅极和Ω栅极硅纳米线MOSFET中载流子传输的研究
机译:通过栅极感应的漏极电流瞬态分析薄栅氧化物FD-SOI n-MOSFET的载流子寿命
机译:H栅极和T栅极SOI MOSFET中热载流子引起的RF性能下降的比较
机译:TiN金属栅SOI n-MOSFET中应变引起的迁移率变化的评估
机译:绝缘体上硅(SOI)MOSFET的热载流子可靠性及其在非易失性存储器中的应用。
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:具有侧向单轴拉伸应力分布的硅纳米线,用于高电子移动栅极 - 全绕MOSFET