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垂直纳米线MOSFET制造中的垂直后栅极工艺的方法

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摘要

本发明涉及一种使用后栅极工艺的垂直纳米线MOSFET制造方法。首先制造顶部欧姆电极，并且其可以用作掩模以利用蚀刻技术形成栅极凹陷。随后形成栅极，其在很大程度上降低了接入电阻。

公开/公告号CN108235786A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-29

原文格式PDF
申请/专利权人拉尔斯-埃里克·维尔纳松;马丁·贝里;卡尔-芒努斯·佩尔松;约翰内斯·斯文松;埃里克·林德;
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申请/专利号CN201680035096.2
发明设计人拉尔斯-埃里克·维尔纳松;马丁·贝里;卡尔-芒努斯·佩尔松;约翰内斯·斯文松;埃里克·林德;
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申请日2016-06-21
分类号H01L29/06(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/739(20060101);H01L29/775(20060101);B82Y10/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人樊晓焕;金小芳
地址瑞典隆德
入库时间 2023-06-19 05:45:30

1. 垂直纳米线MOSFET制造中的垂直后栅极工艺的方法 [P] . 中国专利： CN108235786B . 2021.11.12
2. 垂直纳米线MOSFET制造中的垂直后栅极工艺的方法 [P] . 中国专利： CN108235786A . 2018-06-29
3. Method for Vertical Gate-Last Process in the Fabrication of Vertical Nanowire MOSFETs [P] . 韩国专利： KR20180041659A . 2018-04-24

机译：垂直纳米线MOSFET制造中的垂直栅最后工艺的方法
4. A METHOD FOR FABRICATING AN ASYMMETRIC VERTICAL NANOWIRE MOSFET AND AN ASYMMETRIC VERTICAL NANOWIRE MOSFET [P] . WO2021052878A1 . 2021-03-25

机译：一种制造非对称垂直纳米线MOSFET的方法和不对称垂直纳米线MOSFET
5. METHOD FOR A VERTICAL GATE-LAST PROCESS IN THE MANUFACTURING OF A VERTICAL NANOWIRE MOSFET [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3311413A1 . 2018-04-25

机译：垂直纳米MOSFET的垂直栅极最后加工工艺