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IEEE International Electron Devices Meeting
IEEE International Electron Devices Meeting
召开年:
2015
召开地:
Washington, DC(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
'What the brain tells us about the future of silicon'
机译:
“大脑告诉我们硅的未来”
作者:
Jeff Hawkins
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
2.
DARPA neurocomputing
机译:
DARPA神经计算
作者:
Dan Hammerstrom
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
3.
Evidence of single domain switching in hafnium oxide based FeFETs: Enabler for multi-level FeFET memory cells
机译:
基于氧化ha的FeFET中单域切换的证据:用于多层FeFET存储单元的启动器
作者:
H. Mulaosmanovic
;
S. Slesazeck
;
J. Ocker
;
M. Pesic
;
S. Muller
;
S. Flachowsky
;
J. Müller
;
P. Polakowski
;
J. Paul
;
S. Jansen
;
S. Kolodinski
;
C. Richter
;
S. Piontek
;
T. Schenk
;
A. Kersch
;
C. Kunneth
;
R. van Bentum
;
U. Schroder
;
T. Mikolajick
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
4.
Implications of variability on resilient design
机译:
可变性对弹性设计的影响
作者:
Robert Aitken
;
Vikas Chandra
;
David Pietromonaco
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
5.
Silicon for prevention, cure and care: A technology toolbox of wearables at the dawn of a new health system
机译:
预防,治疗和护理用硅:新卫生系统问世时可穿戴设备的技术工具箱
作者:
Chris Van Hoof
;
Jeroen van den Brand
;
Jelle De Smet
;
Lars Grieten
;
Ruben de Francisco
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
6.
Memristive based device arrays combined with Spike based coding can enable efficient implementations of embedded neuromorphic circuits
机译:
基于忆阻器的设备阵列与基于Spike的编码相结合,可以实现嵌入式神经形态电路的高效实现
作者:
Christian Gamrat
;
Olivier Bichler
;
David Roclin
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
7.
200mm GaN-on-Si epitaxy and e-mode device technology
机译:
200mm GaN-on-Si外延和e-mode器件技术
作者:
D. Marcon
;
Y. N. Saripalli
;
S. Decoutere
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
8.
20nm DRAM: A new beginning of another revolution
机译:
20nm DRAM:另一场革命的新起点
作者:
J. M. Park
;
Y. S. Hwang
;
S. -W. Kim
;
S. Y. Han
;
J. S. Park
;
J. Kim
;
J. W. Seo
;
B. S. Kim
;
S. H. Shin
;
C. H. Cho
;
S. W. Nam
;
H. S. Hong
;
K. P. Lee
;
G. Y. Jin
;
E. S Jung
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
9.
A 3/5 GHz reconfigurable CMOS low-noise amplifier integrated with a four-terminal phase-change RF switch
机译:
3/5 GHz可重配置CMOS低噪声放大器,集成了四端相变RF开关
作者:
Rahul Singh
;
Greg Slovin
;
Min Xu
;
Ahmad Khairi
;
Sandipan Kundu
;
T. E. Schlesinger
;
James A. Bain
;
Jeyanandh Paramesh
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
10.
A mixed-signal universal neuromorphic computing system
机译:
混合信号通用神经形态计算系统
作者:
Karlheinz Meier
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
11.
A computational study of van der Waals tunnel transistors: Fundamental aspects and design challenges
机译:
Van der Waals隧道晶体管的计算研究:基本方面和设计挑战
作者:
Jiang Cao
;
Demetrio Logoteta
;
Sibel Özkaya
;
Blanca Biel
;
Alessandro Cresti
;
Marco Pala
;
David Esseni
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
12.
A floating gate based 3D NAND technology with CMOS under array
机译:
阵列下具有CMOS的基于浮栅的3D NAND技术
作者:
Krishna Parat
;
Chuck Dennison
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
13.
A methodology to predict the impact of wafer level chip scale package stress on high-precision circuits
机译:
预测晶圆级芯片规模封装应力对高精度电路影响的方法
作者:
R. van Dalen
;
H. P. Tuinhout
;
M. Stoutjesdijk
;
J. van Zwol
;
J. J. M. Zaal
;
J. H. J. Janssen
;
F. H. M. Swartjes
;
P. A. M. Bastiaansen
;
M. C. Lammers
;
L. Brusamarello
;
M. Stekelenburg
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
14.
A microfabricated electronic microplate platform for low-cost repeatable biosensing applications
机译:
用于低成本可重复生物传感应用的微型电子微孔板平台
作者:
Muneeb Zia
;
Taiyun Chi
;
Chaoqi Zhang
;
Paragkumar Thadesar
;
Tracy Hookway
;
Joe Gonzalez
;
Todd McDevitt
;
Hua Wang
;
Muhannad S. Bakir
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
15.
A new insight into BEOL TDDB lifetime model for advanced technology scaling
机译:
对BEOL TDDB生命周期模型的新见解,可进行高级技术扩展
作者:
M. N. Chang
;
Y. -H. Lee
;
S. Y. Lee
;
K. Joshi
;
C. C. Ko
;
C. C. Chiu
;
K. Wu
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
16.
A new plasma device operated in liquids for biological applications
机译:
一种在液体中用于生物应用的新型等离子体设备
作者:
M. Egawa
;
S. Imai
;
Y. Sakaguchi
;
A. Odagawa
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
17.
A new surface potential based physical compact model for GFET in RF applications
机译:
用于RF应用中GFET的基于表面电位的新物理紧凑模型
作者:
Lingfei Wang
;
Songang Peng
;
Zhiwei Zong
;
Ling Li
;
Wei Wang
;
Guangwei Xu
;
Nianduan Lu
;
Zhuoyu Ji
;
Zhi Jin
;
Ming Liu
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
18.
A next generation CMOS-compatible GaN-on-Si transistors for high efficiency energy systems
机译:
用于高效能系统的下一代CMOS兼容GaN-on-Si晶体管
作者:
K. -Y. Roy Wong
;
M. -H. Kwan
;
F. -W. Yao
;
M. -W. Tsai
;
Y. -S. Lin
;
Y. -C. Chang
;
P. -C. Chen
;
R. -Y. Su
;
J. -L. Yu
;
F. -J. Yang
;
G. P. Lansbergen
;
C. -W. Hsiung
;
Y. -A. Lai
;
K. -L. Chiu
;
C. F. Chen
;
M. -C. Lin
;
H. -Y. Wu
;
C. -H. Chiang
;
S. -D. Liu
;
H. -C. Chiu
;
P. -C. Liu
;
C. -M. Chen
;
C. -Y. Yu
;
C. -S. Tsai
;
C. -B. Wu
;
B. Lin
;
M. -H. Chang
;
J. -S. You
;
S. -P. Wang
;
L. -C. Chen
;
Y. -Y. Liao
;
L. Y. Tsai
;
Tom Tsai
;
H. C. Tuan
;
Alex Kalnitsky
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
19.
A novel Bi-stable 1-transistor SRAM for high density embedded applications
机译:
适用于高密度嵌入式应用的新型双稳态1晶体管SRAM
作者:
Jin-Woo Han
;
Benjamin Louie
;
Neal Berger
;
Valentin Abramzon
;
Stefan K. Lai
;
Zvi Or-Bach
;
Peter Lee
;
Runzi Chang
;
Winston Lee
;
Yoshio Nishi
;
Yuniarto Widjaja
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
20.
A novel double-density, single-gate vertical channel (SGVC) 3D NAND Flash that is tolerant to deep vertical etching CD variation and possesses robust read-disturb immunity
机译:
一种新颖的双密度,单栅极垂直通道(SGVC)3D NAND闪存,可承受深度垂直蚀刻CD的变化,并具有强大的抗干扰能力
作者:
Hang-Ting Lue
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Chen-Jun Wu
;
Wei-Chen Chen
;
Teng-Hao Yeh
;
Kuo-Pin Chang
;
Chih-Chang Hsieh
;
Pei-Ying Du
;
Yi-Hsuan Hsiao
;
Yu-Wei Jiang
;
Guan-Ru Lee
;
Roger Lo
;
Yan-Ru Su
;
Chiatze Huang
;
Sheng-Chih Lai
;
Li-Yang Liang
;
Chieh-Fang Chen
;
Min-Feng Hung
;
Chih-Wei Hu
;
Chia-Jung Chiu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
21.
A novel method to characterize the effect from the diffusion of Cu in through silicon via (TSV)
机译:
一种表征通过硅通孔(TSV)中的Cu扩散影响的新颖方法
作者:
Kyung-Do Kim
;
Kwi-Wook Kim
;
Min-Soo Yoo
;
Yong-Taik Kim
;
Sung-Kye Park
;
Sung-Joo Hong
;
Chan-Hyeong Park
;
Byung-Gook Park
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
22.
A novel two-varistors (a-Si/SiN/a-Si) selected complementary atom switch (2V-1CAS) for nonvolatile crossbar switch with multiple fan-outs
机译:
一种新颖的两压敏电阻(a-Si / SiN / a-Si)为具有多个扇出的非易失性纵横开关选择了互补原子开关(2V-1CAS)
作者:
N. Banno
;
M. Tada
;
K. Okamoto
;
N. Iguchi
;
T. Sakamoto
;
M. Miyamura
;
Y. Tsuji
;
H. Hada
;
H. Ochi
;
H. Onodera
;
M. Hashimoto
;
T. Sugibayashi
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
23.
A reliable CMOS-MEMS platform for titanium nitride composite (TiN-C) resonant transducers with enhanced electrostatic transduction and frequency stability
机译:
用于氮化钛复合(TiN-C)谐振换能器的可靠CMOS-MEMS平台,具有增强的静电传导和频率稳定性
作者:
Ming-Huang Li
;
Chao-Yu Chen
;
Sheng-Shian Li
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
24.
A robust wafer thinning down to 2.6-¿¿m for bumpless interconnects and DRAM WOW applications
机译:
强大的晶圆厚度可薄至2.6-μm,适用于无凸点互连和DRAM WOW应用
作者:
Y. S. Kim
;
S. Kodama
;
Y. Mizushima
;
T. Nakamura
;
N. Maeda
;
K. Fujimoto
;
A. Kawai
;
K. Arai
;
T. Ohba
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
25.
A single-electron analysis of NAND flash memory programming
机译:
NAND闪存编程的单电子分析
作者:
G. Nicosia
;
G. M. Paolucci
;
C. Monzio Compagnoni
;
D. Resnati
;
C. Miccoli
;
A. S. Spinelli
;
A. L. Lacaita
;
A. Visconti
;
A. Goda
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
26.
A two-gap capacitive structure for high aspect-ratio capacitive sensor arrays
机译:
用于高纵横比电容传感器阵列的两间隙电容结构
作者:
Yemin Tang
;
Khalil Najafi
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
关键词:
DRIE;
accelerometer;
air gap;
array;
bonding;
capacitive sensor;
high aspect ratio;
27.
Assessing the impact of RTN on logic timing margin using a 32nm dual ring oscillator array
机译:
使用32nm双环形振荡器阵列评估RTN对逻辑时序裕度的影响
作者:
Qianying Tang
;
Chris H. Kim
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
28.
Development of a neuromorphic computing system
机译:
神经形态计算系统的开发
作者:
Luping Shi
;
Jing Pei
;
Ning Deng
;
Dong Wang
;
Lei Deng
;
Yu Wang
;
Youhui Zhang
;
Feng Chen
;
Mingguo Zhao
;
Sen Song
;
Fei Zeng
;
Guoqi Li
;
Huanglong Li
;
Cheng Ma
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
29.
GaN-on-GaN p-n power diodes with 3.48 kV and 0.95 m¿¿¿-cm2: A record high figure-of-merit of 12.8 GW/cm2
机译:
具有3.48 kV和0.95 m?-cm2的GaN-on-GaN p-n功率二极管:最高的品质因数为12.8 GW / cm2
作者:
Kazuki Nomoto
;
Z. Hu
;
B. Song
;
M. Zhu
;
M. Qi
;
R. Yan
;
V. Protasenko
;
E. Imhoff
;
J. Kuo
;
N. Kaneda
;
T. Mishima
;
T. Nakamura
;
D. Jena
;
Huili Grace Xing
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
30.
Gate-all-around CMOS (InAs n-FET and GaSb p-FET) based on vertically-stacked nanowires on a Si platform, enabled by extremely-thin buffer layer technology and common gate stack and contact modules
机译:
基于硅平台上垂直堆叠的纳米线的全方位栅极CMOS(InAs n-FET和GaSb p-FET),通过极薄的缓冲层技术以及通用栅极堆叠和接触模块实现
作者:
Kian-Hui Goh
;
Kian-Hua Tan
;
Sachin Yadav
;
Annie
;
Soon-Fatt Yoon
;
Gengchiau Liang
;
Xiao Gong
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
31.
Gate-all-around InGaAs nanowire FETS with peak transconductance of 2200¿¿S/¿¿m at 50nm Lg using a replacement Fin RMG flow
机译:
使用替代的Fin RMG流程在50nm Lg处具有2200μS/μm的峰值跨导的全方位栅InGaAs纳米线FETS
作者:
N. Waldron
;
S. Sioncke
;
J. Franco
;
L. Nyns
;
A. Vais
;
X. Zhou
;
H. C. Lin
;
G. Boccardi
;
J. W. Maes
;
Q. Xie
;
M. Givens
;
F. Tang
;
X. Jiang
;
E. Chiu
;
A. Opdebeeck
;
C. Merckling
;
F. Sebaai
;
D. van Dorp
;
L. Teugels
;
A. Sibaja Hernandez
;
K. De Meyer
;
K. Barla
;
N. Collaert
;
Y-V. Thean
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
32.
High performance dual-gate ISFET with non-ideal effect reduction schemes in a SOI-CMOS bioelectrical SoC
机译:
SOI-CMOS生物电SoC中具有非理想效应降低方案的高性能双栅极ISFET
作者:
Y. -J. Huang
;
C. -C. Lin
;
J. -C. Huang
;
C. -H. Hsieh
;
C. -H. Wen
;
T. -T. Chen
;
L. -S. Jeng
;
C. -K. Yang
;
J. -H. Yang
;
F. Tsui
;
Y. -S. Liu
;
S. Liu
;
M. Chen
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
33.
New devices for internet of things: A circuit level perspective
机译:
物联网的新设备:电路级的观点
作者:
W. Dehaene
;
A. S. Verhulst
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
34.
Optimized learning scheme for grayscale image recognition in a RRAM based analog neuromorphic system
机译:
基于RRAM的模拟神经形态系统中灰度图像识别的优化学习方案
作者:
Zhe Chen
;
Bin Gao
;
Zheng Zhou
;
Peng Huang
;
Haitong Li
;
Wenjia Ma
;
Dongbin Zhu
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
;
Jinfeng Kang
;
Hong-Yu Chen
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
35.
Physical modeling ¿¿¿ A new paradigm in device simulation
机译:
物理建模¿¿¿设备仿真的新范例
作者:
Z. Stanojević
;
O. Baumgartner
;
F. Mitterbauer
;
H. Demel
;
C. Kernstock
;
M. Karner
;
V. Eyert
;
A. France-Lanord
;
P. Saxe
;
C. Freeman
;
E. Wimmer
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
36.
Physical-based analytical model of flexible a-IGZO TFTs accounting for both charge injection and transport
机译:
挠性a-IGZO TFT的基于物理的分析模型,既考虑了电荷注入又考虑了传输
作者:
M. Ghittorelli
;
F. Torricelli
;
J. -L. Van Der Steen
;
C. Garripoli
;
A. Tripathi
;
G. H. Gelinck
;
E. Cantatore
;
Zs. M. Kovacs-Vajna
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
37.
Understanding the nature of metal-graphene contacts: A theoretical and experimental study
机译:
了解金属-石墨烯接触的性质:理论和实验研究
作者:
Teresa Cusati
;
Gianluca Fiori
;
Amit Gahoi
;
Vikram Passi
;
Alessandro Fortunelli
;
Max Lemme
;
Giuseppe Iannaccone
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
38.
The demonstration of low-cost and logic process fully-compatible OTP memory on advanced HKMG CMOS with a newly found dielectric fuse breakdown
机译:
在先进的HKMG CMOS上演示低成本和逻辑过程完全兼容的OTP存储器,并发现了新发现的电介质熔丝故障
作者:
E. R. Hsieh
;
Z. H. Huang
;
Steve S. Chung
;
J. C. Ke
;
C. W. Yang
;
C. T. Tsai
;
T. R. Yew
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
39.
Through-Cobalt Self Forming Barrier (tCoSFB) for Cu/ULK BEOL: A novel concept for advanced technology nodes
机译:
Cu / ULK BEOL的钴穿透自形成壁垒(tCoSFB):先进技术节点的新颖概念
作者:
Takeshi Nogami
;
Benjamin D Briggs
;
Sevim Korkmaz
;
Moosung Chae
;
Christopher Penny
;
Juntao Li
;
Wei Wang
;
Paul S McLaughlin
;
Terence Kane
;
Christopher Parks
;
Anita Madan
;
Stephan Cohen
;
Thomas Shaw
;
Deepika Priyadarshini
;
Hosadurga Shobha
;
Son Nguyen
;
Raghuveer Patlolla
;
James Kelly
;
Xunyuan Zhang
;
Terry Spooner
;
Donald Canaperi
;
Theodorus Standaert
;
Elbert Huang
;
Vamsi Paruchuri
;
Daniel Edelstein
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
40.
Lensfree microscopy: A new framework for the imaging of viruses, bacteria, cells and tissue
机译:
无透镜显微镜:用于病毒,细菌,细胞和组织成像的新框架
作者:
C. P. Allier
;
S. Vinjimore Kesavan
;
Y. Hennequin
;
O. Cioni
;
F. Momey
;
T. Bordy
;
L. Herve
;
J. -G. Coutard
;
S. Morel
;
A. Berdeu
;
F. Navarro
;
J. -M. Dinten
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
关键词:
CMOS imaging technology;
bio-imaging;
lensfree microscopy;
41.
Moore's law at 50: Are we planning for retirement?
机译:
50岁时的摩尔定律:我们是否打算退休?
作者:
Greg Yeric
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
42.
1.5¿¿10¿¿¿9 ¿¿¿cm2 Contact resistivity on highly doped Si:P using Ge pre-amorphization and Ti silicidation
机译:
使用Ge预非晶化和Ti硅化处理在高掺杂Si:P上的接触电阻率1.5¿10¿¿¿9¿¿cm2
作者:
H. Yu
;
M. Schaekers
;
E. Rosseel
;
A. Peter
;
J. -G. Lee
;
W. -B. Song
;
S. Demuynck
;
T. Chiarella
;
J-Å. Ragnarsson
;
S. Kubicek
;
J. Everaert
;
N. Horiguchi
;
K. Barla
;
D. Kim
;
N. Collaert
;
A. V. -Y. Thean
;
K. De Meyer
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
43.
20-nm-Node trench-gate-self-aligned crystalline In-Ga-Zn-Oxide FET with high frequency and low off-state current
机译:
具有高频率和低截止态电流的20nm节点沟槽栅极自对准晶体In-Ga-Zn-氧化物FET
作者:
D. Matsubayashi
;
Y. Asami
;
Y. Okazaki
;
M. Kurata
;
S. Sasagawa
;
S. Okamoto
;
Y. Iikubo
;
T. Sato
;
Y. Yakubo
;
R. Honda
;
M. Tsubuku
;
M. Fujita
;
T. Takeuchi
;
Y. Yamamoto
;
S. Yamazaki
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
44.
2D layered materials: From materials properties to device applications
机译:
二维分层材料:从材料属性到设备应用
作者:
Peida Zhao
;
Sujay Desai
;
Mahmut Tosun
;
Tania Roy
;
Hui Fang
;
Angada Sachid
;
Matin Amani
;
Chenming Hu
;
Ali Javey
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
45.
2RW dual-port SRAM design challenges in advanced technology nodes
机译:
先进技术节点中的2RW双端口SRAM设计挑战
作者:
Koji Nii
;
Makoto Yabuuchi
;
Yoshisato Yokoyama
;
Yuichiro Ishii
;
Takeshi Okagaki
;
Masao Morimoto
;
Yasumasa Tsukamoto
;
Koji Tanaka
;
Miki Tanaka
;
Shinji Tanaka
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
46.
Application-oriented performance of RF CMOS technologies on flexible substrates
机译:
柔性基板上RF CMOS技术的面向应用性能
作者:
Justine Philippe
;
A. Lecavelier
;
M. Berthome
;
J. -F. Robillard
;
C. Gaquiere
;
F. Danneville
;
D. Gloria
;
C. Raynaud
;
E. Dubois
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
47.
An ultra thin implantable system for cerebral blood volume monitoring using flexible OLED and OPD
机译:
使用柔性OLED和OPD的用于大脑血容量监测的超薄植入系统
作者:
Youngwan Kim
;
Christopher Choi
;
En-Chen Chen
;
Andy G. S. Daniel
;
Amrita Masurkar
;
Theodore H. Schwartz
;
Hongtao Ma
;
Ioannis Kymissis
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
48.
CMOS performance benchmarking of Si, InAs, GaAs, and Ge nanowire n- and pMOSFETs with Lg=13 nm based on atomistic quantum transport simulation including strain effects
机译:
基于包括应变效应在内的原子量子传输模拟,对Lg = 13 nm的Si,InAs,GaAs和Ge纳米线n和pMOSFET的CMOS性能进行基准测试
作者:
Raseong Kim
;
Uygar E. Avci
;
Ian A. Young
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
49.
Considering physical mechanisms and geometry dependencies in 14nm FinFET circuit aging and product validations
机译:
考虑14nm FinFET电路老化和产品验证中的物理机制和几何形状依赖性
作者:
S. W. Pae
;
H. C. Sagong
;
C. Liu
;
M. J. Jin
;
Y. H. Kim
;
S. J. Choo
;
J. J. Kim
;
H. J. Kim
;
S. Y. Yoon
;
H. W. Nam
;
H. W. Shim
;
S. M. Park
;
J. K. Park
;
S C. Shin
;
J. W. Park
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
50.
First demonstration of 0.9 ¿¿m pixel global shutter operation by novel charge control in organic photoconductive film
机译:
通过新颖的有机光电导薄膜电荷控制技术,首次演示了0.9μm像素全局快门操作
作者:
M. Takase
;
Y. Miyake
;
T. Yamada
;
T. Tamaki
;
M. Murakami
;
Y. Inoue
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
51.
Flexible graphene hall sensors with high sensitivity
机译:
具有高灵敏度的柔性石墨烯霍尔传感器
作者:
Le Huang
;
Zhiyong Zhang
;
Bingyan Chen
;
Lian-Mao Peng
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
52.
Free form CMOS electronics: Physically flexible and stretchable
机译:
自由形式的CMOS电子产品:物理上灵活且可拉伸
作者:
M. M. Hussain
;
J. P. Rojas
;
G. A. Torres Sevilla
;
A. M. Hussain
;
M. T. Ghoneim
;
A. N. Hanna
;
A. T. Kutbee
;
J. M. Nassar
;
M. Cruz
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
53.
Gate-first high-k/metal gate DRAM technology for low power and high performance products
机译:
栅极优先的高k /金属栅极DRAM技术,用于低功耗和高性能产品
作者:
Minchul Sung
;
Se-Aug Jang
;
Hyunjin Lee
;
Yun-Hyuck Ji
;
Jae-Il Kang
;
Tae-O Jung
;
Tae-Hang Ahn
;
Yun-Ik Son
;
Hyung-Chul Kim
;
Sun-Woo Lee
;
Seung-Mi Lee
;
Jung-Hak Lee
;
Seung-Beom Baek
;
Eun-Hyup Doh
;
Heung-Jae Cho
;
Tae-Young Jang
;
Il-Sik Jang
;
Jae-Hwan Han
;
Kyung-Bo Ko
;
Yu-Jun Lee
;
Su-Bum Shin
;
Jae-Seon Yu
;
Sung-Hyuk Cho
;
Ji-Hye Han
;
Dong-Kyun Kang
;
Jinsung Kim
;
Jae-Sang Lee
;
Keun-Do Ban
;
Seung-Jin Yeom
;
Hyun-Wook Nam
;
Dong-Kyu Lee
;
Mun-Mo Jeong
;
Byungil Kwak
;
Jeongsoo Park
;
Kisik Choi
;
Sung-Kye Park
;
Noh-Jung Kwak
;
Sung-Joo Hong
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
54.
High frequency high breakdown voltage GaN transistors
机译:
高频高击穿电压GaN晶体管
作者:
F. Medjdoub
;
N. Herbecq
;
A. Linge
;
M. Zegaoui
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
55.
High performance passive devices for millimeter wave system integration on integrated fan-out (InFO) wafer level packaging technology
机译:
高性能无源器件,用于基于集成扇出(InFO)晶圆级封装技术的毫米波系统集成
作者:
Chung-Hao Tsai
;
Jeng-Shien Hsieh
;
Wei-Heng Lin
;
Liang-Ju Yen
;
Jeng-Nan Hung
;
Tai-Hao Peng
;
Hsi-Ching Wang
;
Cheng-Yu Kuo
;
Issac Huang
;
Welling Chu
;
Yi-Yang Lei
;
C. H. Yu
;
Lawrence C. Sheu
;
Ching-Hua Hsieh
;
C. S. Liu
;
Kuo-Chung Yee
;
Chuei-Tang Wang
;
Doug Yu
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
56.
High-K gate dielectric depletion-mode and enhancement-mode GaN MOS-HEMTs for improved OFF-state leakage and DIBL for power electronics and RF applications
机译:
高K栅极电介质耗尽型和增强型GaN MOS-HEMT,用于改善关态泄漏和DIBL,用于电力电子和RF应用
作者:
H. W. Then
;
L. A. Chow
;
S. Dasgupta
;
S. Gardner
;
M. Radosavljevic
;
V. R. Rao
;
S. H. Sung
;
G. Yang
;
P. Fischer
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
57.
Implantation free GAA double spacer poly-Si nanowires channel junctionless FETs with sub-1V gate operation and near ideal subthreshold swing
机译:
具有1V以下栅极操作和接近理想亚阈值摆幅的免注入GAA双间隔多晶硅纳米线沟道无结FET
作者:
Po-Yi Kuo
;
Jer-Yi Lin
;
Tien-Sheng Chao
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
58.
Intrinsic program instability in HfO2 RRAM and consequences on program algorithms
机译:
HfO2 RRAM中的固有程序不稳定以及对程序算法的影响
作者:
A. Fantini
;
G. Gorine
;
R. Degraeve
;
L. Goux
;
C. Y. Chen
;
A. Redolfi
;
S. Clima
;
A. Cabrini
;
G. Torelli
;
M. Jurczak
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
59.
Large-scale neural networks implemented with non-volatile memory as the synaptic weight element: Comparative performance analysis (accuracy, speed, and power)
机译:
用非易失性存储器作为突触权重元素实现的大规模神经网络:比较性能分析(准确性,速度和功率)
作者:
G. W. Burr
;
P. Narayanan
;
R. M. Shelby
;
S. Sidler
;
I. Boybat
;
C. di Nolfo
;
Y. Leblebici
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
60.
MOVPE In1¿¿¿xGaxAs high mobility channel for 3-D NAND memory
机译:
MOVPEIn1¿¿xGaxAs高迁移率通道,用于3-D NAND存储器
作者:
E. Capogreco
;
J. G. Lisoni
;
A. Arreghini
;
A. Subirats
;
B. Kunert
;
W. Guo
;
T. Maurice
;
C. -L. Tan
;
R. Degraeve
;
K. De Meyer
;
G. Van den bosch
;
J. Van Houdt
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
61.
MTJ-based 'normally-off processors' with thermal stability factor engineered perpendicular MTJ, L2 cache based on 2T-2MTJ cell, L3 and last level cache based on 1T-1MTJ cell and novel error handling scheme
机译:
基于MTJ的“常关处理器”,其热稳定性因子设计为垂直MTJ,基于2T-2MTJ单元的L2缓存,基于3T和基于1T-1MTJ单元的最后一级缓存以及新颖的错误处理方案
作者:
K. Ikegami
;
H. Noguchi
;
S. Takaya
;
C. Kamata
;
M. Amano
;
K. Abe
;
K. Kushida
;
E. Kitagawa
;
T. Ochiai
;
N. Shimomura
;
D. Saida
;
A. Kawasumi
;
H. Hara
;
J. Ito
;
S. Fujita
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
62.
Process variation effect, metal-gate work-function fluctuation and random dopant fluctuation of 10-nm gate-all-around silicon nanowire MOSFET devices
机译:
10nm全栅硅纳米线MOSFET器件的工艺变化效应,金属栅极功函数波动和随机掺杂物波动
作者:
Yiming Li
;
Han-Tung Chang
;
Chun-Ning Lai
;
Pei-Jung Chao
;
Chieh-Yang Chen
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
63.
Novel fast-switching and high-data retention phase-change memory based on new Ga-Sb-Ge material
机译:
基于新型Ga-Sb-Ge材料的新型快速切换和高数据保留相变存储器
作者:
H. Y. Cheng
;
W. C. Chien
;
M. BrightSky
;
Y. H. Ho
;
Y. Zhu
;
A. Ray
;
R. Bruce
;
W. Kim
;
C. W. Yeh
;
H. L. Lung
;
C. Lam
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
64.
Oxide based nanoscale analog synapse device for neural signal recognition system
机译:
用于神经信号识别系统的基于氧化物的纳米级模拟突触装置
作者:
Daeseok Lee
;
Jaesung Park
;
Kibong Moon
;
Junwoo Jang
;
Sangsu Park
;
Myonglae Chu
;
Jongin Kim
;
Jinwoo Noh
;
Moongu Jeon
;
Byoung Hun Lee
;
Boreom Lee
;
Byung-Geun Lee
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
65.
Precision mass measurements in solution reveal properties of single cells and bioparticles
机译:
溶液中的精确质量测量揭示了单个细胞和生物颗粒的特性
作者:
Selim Olcum
;
Nathan Cermak
;
Scott R. Manalis
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
66.
Predictive compact modeling of random variations in FinFET technology for 16/14nm node and beyond
机译:
针对16 / 14nm节点及更高节点的FinFET技术中随机变化的预测紧凑模型
作者:
Xiaobo Jiang
;
Xingsheng Wang
;
Runsheng Wang
;
Binjie Cheng
;
Asen Asenov
;
Ru Huang
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
67.
Programming-conditions solutions towards suppression of retention tails of scaled oxide-based RRAM
机译:
抑制氧化铁基RRAM保留尾巴的编程条件解决方案
作者:
C. Y. Chen
;
A. Fantini
;
L. Goux
;
R. Degraeve
;
S. Clima
;
A. Redolfi
;
G. Groeseneken
;
M. Jurczak
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
68.
Prospects for ferroelectric HfZrOx FETs with experimentally CET=0.98nm, SSfor=42mV/dec, SSrev=28mV/dec, switch-off <0.2V, and hysteresis-free strategies
机译:
具有实验CET = 0.98nm,SSfor = 42mV / dec,SSrev = 28mV / dec,关断<0.2V和无磁滞策略的铁电HfZrOx FET的前景
作者:
M. H. Lee
;
P. -G. Chen
;
C. Liu
;
K-Y. Chu
;
C. -C. Cheng
;
M. -J. Xie
;
S. -N. Liu
;
J. -W. Lee
;
S. -J. Huang
;
M. -H. Liao
;
M. Tang
;
K. -S. Li
;
M. -C. Chen
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
69.
Reliability variability simulation methodology for IC design: An EDA perspective
机译:
IC设计的可靠性可变性仿真方法学:EDA的角度
作者:
Aixi Zhang
;
Chunyi Huang
;
Tianlei Guo
;
Alvin Chen
;
Shaofeng Guo
;
Runsheng Wang
;
Ru Huang
;
Jushan Xie
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
70.
Renovation of power devices by GaN-based materials
机译:
氮化镓基材料革新功率器件
作者:
Daisuke Ueda
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
71.
Scalpel soft retrace scanning spreading resistance microscopy for 3D-carrier profiling in sub-10nm WFIN FinFET
机译:
低于10nm WFIN FinFET的3D载流子轮廓手术刀软回扫扫描扩展电阻显微镜
作者:
P. Eyben
;
T. Chiarella
;
S. Kubicek
;
H. Bender
;
O. Richard
;
J. Mitard
;
A. Mocuta
;
N. Horiguchi
;
A. V-Y. Thean
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
72.
Self-decomposition of SiO2 due to Si-chemical potential increase in SiO2 between HfO2 and substrate ¿¿¿ Comprehensive understanding of SiO2-IL scavenging in HfO2 gate stacks on Si, SiGe and SiC
机译:
HfO2和衬底之间的SiO2中的Si化学势增加会导致SiO2的自分解-全面了解Si,SiGe和SiC上HfO2栅堆叠中的SiO2-IL清除
作者:
Xiuyan Li
;
Akira Toriumi
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
73.
Spintronic majority gates
机译:
自旋电子多数门
作者:
I. P. Radu
;
O. Zografos
;
A. Vaysset
;
F. Ciubotaru
;
J. Yan
;
J. Swerts
;
D. Radisic
;
B. Briggs
;
B. Soree
;
M. Manfrini
;
M. Ercken
;
C. Wilson
;
P. Raghavan
;
S. Sayan
;
C. Adelmann
;
A. Thean
;
L. Amaru
;
P. -E. Gaillardon
;
G. De Micheli
;
D. E. Nikonov
;
S. Manipatruni
;
I. A. Young
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
74.
State-of-the-art GaN vertical power devices
机译:
最新的GaN垂直功率器件
作者:
Tetsu Kachi
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
75.
Steep subthreshold swing tunnel FETs: GaN/InN/GaN and transition metal dichalcogenide channels
机译:
陡峭的亚阈值摆线隧道FET:GaN / InN / GaN和过渡金属二卤化物沟道
作者:
Alan Seabaugh
;
Sara Fathipour
;
Wenjun Li
;
Hao Lu
;
Jun Hong Park
;
Andrew C. Kummel
;
Debdeep Jena
;
Susan K. Fullerton-Shirey
;
Patrick Fay
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
76.
Transport mechanism in sub 100¿¿C processed high mobility polycrystalline ZnO transparent thin film transistors
机译:
亚100°C处理的高迁移率多晶ZnO透明薄膜晶体管的传输机制
作者:
P. B. Pillai
;
M. M. De Souza
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
77.
Systematic optimization of 1 Gbit perpendicular magnetic tunnel junction arrays for 28 nm embedded STT-MRAM and beyond
机译:
针对28 nm嵌入式STT-MRAM及更高版本的1 Gbit垂直磁隧道结阵列的系统优化
作者:
C. Park
;
J. J. Kan
;
C. Ching
;
J. Ahn
;
L. Xue
;
R. Wang
;
A. Kontos
;
S. Liang
;
M. Bangar
;
H. Chen
;
S. Hassan
;
M. Gottwald
;
X. Zhu
;
M. Pakala
;
S. H. Kang
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
78.
TFT backplane technologies for advanced array applications
机译:
适用于高级阵列应用的TFT背板技术
作者:
Robert A. Street
;
Jeng Ping Lu
;
Julie Bert
;
Mark Strnad
;
Larry E. Antonuk
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
关键词:
backplanes;
oxide semiconductors;
thin film transistors;
79.
Time dependent threshold-voltage fluctuations in NAND flash memories: From basic physics to impact on array operation
机译:
NAND闪存中随时间变化的阈值电压波动:从基本物理学到对阵列操作的影响
作者:
Akira Goda
;
Carmine Miccoli
;
Christian Monzio Compagnoni
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
80.
Tunnel junction abruptness, source random dopant fluctuation and PBTI induced variability analysis of GaAs0.4Sb0.6/In0.65Ga0.35As heterojunction tunnel FETs
机译:
GaAs0.4Sb0.6 / In0.65Ga0.35As异质结隧道FET的隧道结突变,源极随机掺杂物波动和PBTI诱发的变异性分析
作者:
R. Pandey
;
N. Agrawal
;
V. Chobpattana
;
K. Henry
;
M. Kuhn
;
H. Liu
;
M. Labella
;
C. Eichfeld
;
K. Wang
;
J. Maier
;
S. Stemmer
;
S. Mahapatra
;
S. Datta
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
81.
ZnO thin film transistors for more than just displays
机译:
ZnO薄膜晶体管不仅仅用于显示器
作者:
Haoyu U. Li
;
J. Israel Ramirez
;
Kaige G. Sun
;
Yiyang Gong
;
Yuanyuan V. Li
;
Thomas N. Jackson
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
82.
Technology scaling and reliability: Challenges and opportunities
机译:
技术规模和可靠性:挑战与机遇
作者:
V. Huard
;
F. Cacho
;
X. Federspiel
;
W. Arfaoui
;
M. Saliva
;
D. Angot
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
关键词:
BTI;
ITRS;
aged models;
microprocessor;
reliability;
variability;
83.
1Kbit FinFET Dielectric (FIND) RRAM in pure 16nm FinFET CMOS logic process
机译:
采用纯16nm FinFET CMOS逻辑工艺的1Kbit FinFET介质(FIND)RRAM
作者:
Hsin Wei Pan
;
Kai Ping Huang
;
Shih Yu Chen
;
Ping Chun Peng
;
Zhi Sung Yang
;
Cheng-Hsiung Kuo
;
Yue-Der Chih
;
Ya-Chin King
;
Chrong Jung Lin
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
关键词:
Embedded;
FinFET;
Nonvolatile;
RRAM;
SOC;
84.
Adding the missing time-dependent layout dependency into device-circuit-layout co-optimization ¿¿¿ New findings on the layout dependent aging effects
机译:
将缺少的与时间有关的布局相关性添加到设备电路布局的协同优化中
作者:
Pengpeng Ren
;
Xiaoqing Xu
;
Peng Hao
;
Junyao Wang
;
Runsheng Wang
;
Ming Li
;
Jianping Wang
;
Weihai Bu
;
Jingang Wu
;
Waisum Wong
;
Shaofeng Yu
;
Hanming Wu
;
Shiuh-Wuu Lee
;
David Z. Pan
;
Ru Huang
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
85.
Advanced power electronic devices based on Gallium Nitride (GaN)
机译:
基于氮化镓(GaN)的先进电力电子设备
作者:
Daniel Piedra
;
Bin Lu
;
Min Sun
;
Yuhao Zhang
;
Elison Matioli
;
Feng Gao
;
Jinwook Will Chung
;
Omair Saadat
;
Ling Xia
;
Mohamed Azize
;
Tomas Palacios
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
86.
Field-effect control of ions beyond debye-screening limit in nanofluidic transistors
机译:
纳米流体晶体管中离子的场效应控制超出了德拜屏蔽极限
作者:
Qiushi Ran
;
Yang Liu
;
Robert W. Dutton
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
87.
Bandgap engineering in 2D layered materials
机译:
二维分层材料中的带隙工程
作者:
Tao Chu
;
Zhihong Chen
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
88.
Efficient in-memory computing architecture based on crossbar arrays
机译:
基于交叉开关阵列的高效内存计算架构
作者:
Bing Chen
;
Fuxi Cai
;
Jiantao Zhou
;
Wen Ma
;
Patrick Sheridan
;
Wei D. Lu
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
89.
Efficient metallic carbon nanotube removal for highly-scaled technologies
机译:
高效去除金属碳纳米管的大规模技术
作者:
Max M. Shulaker
;
Gage Hills
;
Tony F. Wu
;
Zhenan Bao
;
H. -S. Philip Wong
;
Subhasish Mitra
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
90.
Eliminating proximity effects and improving transmission in field emission vacuum microelectronic devices for integrated circuits
机译:
在集成电路的场致发射真空微电子器件中消除邻近效应并改善传输
作者:
Erich J. Radauscher
;
Kristin H. Gilchrist
;
Shane T. Di Dona
;
Zach E. Russell
;
Jeffrey R. Piascik
;
Charles B. Parker
;
Brian R. Stoner
;
Jeffrey T. Glass
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
91.
Enhancement-mode single-layer CVD MoS2 FET technology for digital electronics
机译:
用于数字电子产品的增强模式单层CVD MoS2 FET技术
作者:
L. Yu
;
D. El-Damak
;
S. Ha
;
X. Ling
;
Y. Lin
;
A. Zubair
;
Y. Zhang
;
Y. -H. Lee
;
J. Kong
;
A. Chandrakasan
;
T. Palacios
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
92.
First foundry platform of complementary tunnel-FETs in CMOS baseline technology for ultralow-power IoT applications: Manufacturability, variability and technology roadmap
机译:
CMOS基准技术中用于超低功耗IoT应用的互补隧道式FET的首个铸造平台:可制造性,可变性和技术路线图
作者:
Qianqian Huang
;
Rundong Jia
;
Cheng Chen
;
Hao Zhu
;
Lingyi Guo
;
Junyao Wang
;
Jiaxin Wang
;
Chunlei Wu
;
Runsheng Wang
;
Weihai Bu
;
Jing Kang
;
Wenbo Wang
;
Hanming Wu
;
Shiuh-Wuu Lee
;
Yangyuan Wang
;
Ru Huang
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
93.
Flexible 2D FETs using hBN dielectrics
机译:
使用hBN电介质的柔性2D FET
作者:
Nicholas Petrone
;
Xu Cui
;
James Hone
;
Tarun Chari
;
Kenneth Shepard
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
94.
Flexible electronics for commercial and defense applications
机译:
用于商业和国防应用的柔性电子产品
作者:
Eric W Forsythe
;
Benjamin Leever
;
Mark Gordon
;
Richard Vaia
;
David Morton
;
Michael Durstock
;
Robert Woods
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
95.
Hot carrier aging and its variation under use-bias: Kinetics, prediction, impact on Vdd and SRAM
机译:
热载流子老化及其在使用偏置下的变化:动力学,预测,对Vdd和SRAM的影响
作者:
M. Duan
;
J. F. Zhang
;
A. Manut
;
Z. Ji
;
W. Zhang
;
A. Asenov
;
L. Gerrer
;
D. Reid
;
H. Razaidi
;
D. Vigar
;
V. Chandra
;
R. Aitken
;
B. Kaczer
;
G. Groeseneken
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
96.
High performance and reliable silicon field emission arrays enabled by silicon nanowire current limiters
机译:
通过硅纳米线限流器实现的高性能和可靠的硅场发射阵列
作者:
Stephen A. Guerrera
;
Akintunde I. Akinwande
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
97.
Highly integrated CMOS microsystems to interface with neurons at subcellular resolution
机译:
高度集成的CMOS微系统以亚细胞分辨率与神经元对接
作者:
Andreas Hierlemann
;
Jan Muller
;
Douglas Bakkum
;
Felix Franke
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
98.
Increasing the switching frequency of GaN HFET converters
机译:
增加GaN HFET转换器的开关频率
作者:
Brian Hughes
;
Rongming Chu
;
James Lazar
;
Karim Boutros
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
99.
Interest of SiCO low k=4.5 spacer deposited at low temperature (400¿¿C) in the perspective of 3D VLSI integration
机译:
从3D VLSI集成的角度来看,在低温(400°C)下沉积的SiCO低k = 4.5垫片的兴趣
作者:
D. Benoit
;
J. Mazurier
;
B. Varadarajan
;
S. Chhun
;
S. Lagrasta
;
C. Gaumer
;
D. Galpin
;
C. Fenouillet-Beranger
;
D. Vo-Thanh
;
D. Barge
;
R. Duru
;
R. Beneyton
;
B. Gong
;
N. Sun
;
N. Chauvet
;
P. Ruault
;
D. Winandy
;
B. van Schravendijk
;
P. Meijer
;
O. Hinsinger
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
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2015年
100.
Modification of 'native' surface donor states in AlGaN/GaN MIS-HEMTs by fluorination: Perspective for defect engineering
机译:
氟化对AlGaN / GaN MIS-HEMT中“天然”表面施主态的修饰:缺陷工程的观点
作者:
M. Reiner
;
P. Lagger
;
G. Prechtl
;
P. Steinschifter
;
R. Pietschnig
;
D. Pogany
;
C. Ostermaier
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
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