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机译:同时进行DRAM行业的小型化和增加产量的投资,因为工艺数量增加20nm使供需平衡
机译:用于半导体工艺的20nm滤光片的性能:评估20nm区域中的颗粒去除性能的方法和先进的滤光片性能
机译:20nm dram:另一场革命的新开始
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:20nm栅极长度N型硅GAA结的直流性能分析(SI JL-GAA)晶体管
机译:来自韩国的DRam和DRam模块。调查编号701-Ta-431(最终版)