首页> 外文OA文献 >DC performance analysis of a 20nm gate lenght n-type silicon GAA junctionless (Si JL-GAA) transistor

【2h】

DC performance analysis of a 20nm gate lenght n-type silicon GAA junctionless (Si JL-GAA) transistor

机译：20nm栅极长度N型硅GAA结的直流性能分析（SI JL-GAA）晶体管

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Faiza Merad; Ahlam Guen-Bouazza;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. DC performance analysis of a 20nm gate lenght n-type silicon GAA junctionless (Si JL-GAA) transistor [J] . Faiza Merad, Ahlam Guen-Bouazza International Journal of Electrical and Computer Engineering . 2020,第4期

机译：20nm栅极长度N型硅GAA结的直流性能分析（SI JL-GAA）晶体管
2. Performance Analysis of n-Type Junctionless Silicon Nanotube Field Effect Transistor [J] . Ambika R., Srinivasan R. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics . 2016,第3期

机译：n型无结硅纳米管场效应晶体管的性能分析
3. Two-dimensional (2D) analytical investigation of an n-type junctionless gate-all-around tunnel field-effect transistor (JL GAA TFET) [J] . Ajay, Narang Rakhi, Saxena Manoj, Journal of Computational Electronics . 2018,第2期

机译：n型无结全方位栅隧道场效应晶体管（JL GAA TFET）的二维（2D）分析研究
4. Performance analysis of N-type double gate junctionless transistor [C] . Shweta Yadav, Vimal Kumar Mishra, R. K. Chauhan 2016 International Conference on Emerging Trends in Electrical Electronics amp; Sustainable Energy Systems . 2016

机译：N型双栅无结晶体管的性能分析
5. Analysis and modeling of physical mechanisms contributing to the AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor reliability. [D] . Sheu, Shyh-Horng. 1997

机译：分析和建模有助于AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管可靠性的物理机制。
6. Valley-engineered ultra-thin silicon for high-performance junctionless transistors [O] . Seung-Yoon Kim, Sung-Yool Choi, Wan Sik Hwang, -1

机译：山谷设计的超薄硅用于高性能无结晶体管
7. Performance Analysis of Double Gate Junctionless Tunnel Field Effect Transistor: RF Stability Perspective [O] . Veerati Raju, Sivasankaran K 2019

机译：双栅极连接隧洞场效应晶体管性能分析：RF稳定性视角
8. Study and Analysis of AlGaAs/GaAs Modulation Doped Field-Effect Transistors Incorporating P-Type Schottky Gate Barriers [R] . Priddy, K. L. 1985

机译：掺入p型肖特基栅极势垒的alGaas / Gaas调制掺杂场效应晶体管的研究与分析

DC performance analysis of a 20nm gate lenght n-type silicon GAA junctionless (Si JL-GAA) transistor

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅