机译:PVT变化下的FinFET电路模块的延迟/功率建模和优化:观察22nm和14nm技术节点之间的趋势
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机译:基于反应扩散模型的16nm CMOS技术节点的BTI引起的平面MOSFET和FinFET寿命可靠性的比较研究
机译:16/14nm节点及超越的FinFET技术随机变化的预测紧凑型模型
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:亚16nm技术节点的缩放In0.53Ga0.47as和si FinFET的仿真研究