首页> 外文OA文献 >Simulation study of scaled In0.53Ga0.47As and Si FinFETs for sub-16 nm technology nodes

【2h】

Simulation study of scaled In0.53Ga0.47As and Si FinFETs for sub-16 nm technology nodes

机译：亚16nm技术节点的缩放In0.53Ga0.47as和si FinFET的仿真研究

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Kalna Karol;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2016
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Simulation study of scaled In0.53Ga0.47As and Si FinFETs for sub-16 nm technology nodes [J] . Seoane N., Aldegunde M., Nagy D., Semiconductor science and technology . 2016,第7期

机译：16纳米以下技术节点的按比例缩放的In0.53Ga0.47As和Si FinFET的仿真研究
2. A Simulation Study of NBTI Impact on 14-nm Node FinFET Technology for Logic Applications: Device Degradation to Circuit-Level Interaction [J] . Subrat Mishra, Hussam Amrouch, Jerin Joe, Electron Devices, IEEE Transactions on . 2019,第1期

机译：NBTI对用于逻辑应用的14 nm节点FinFET技术影响的仿真研究：器件降级到电路级交互
3. Simulation Study of Low Dimensional Effects in Pitch-Scaled (90 nm Technology Node) High Electron Mobility Transistors for Very Large Scale Integration Applications [J] . Umesh P. Gomes, Kuldeep Takhar, Yogendra K. Yadav, Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics . 2013,第2期

机译：用于大规模集成应用的节距（90纳米技术节点）高电子迁移率晶体管中的低尺寸效应的仿真研究
4. Scaling of SOI FinFETs down to fin width of 4 nm for the 10nm technology node [C] . Chang J. B., Guillorn M., Solomon P.M., 2011 Symposium on VLSI Technology . 2011

机译：针对10nm技术节点将SOI FinFET的尺寸缩小至4nm的鳍宽
5. Static Random-Access Memory Designs Based on Different Finfets at Lower Technology Node (7NM) [D] . Nizam, Athiya . 2019

机译：基于较低技术节点（7nm）的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
6. A Multi-Scale Study of Water Dynamics under Confinement Exploiting Numerical Simulations in Relation to NMR Relaxometry PGSE and NMR Micro-Imaging Experiments: An Application to the Clay/Water Interface [O] . Patrice Porion, Alfred Delville 2020

机译：封闭条件下水动力学的多尺度研究利用与NMR弛豫PGSE和NMR微成像实验相关的数值模拟：在粘土/水界面中的应用
7. Simulation Study of Multiple FIN FinFET Design for 32nm Technology Node and Beyond [O] . Edited T. Grasser, S. Selberherr September, Xinlin Wang, 2014

机译：32nm技术节点及其超宽带多FIN FinFET设计仿真研究

Simulation study of scaled In0.53Ga0.47As and Si FinFETs for sub-16 nm technology nodes

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅