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机译:基于多域FeFET模型的超密集2FeFET TCAM设计
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机译:基于氧化铪的单一域切换的证据:多级FFET存储器单元的启动器
机译:基于HfO2的FeFET:即将接管DRAM或闪存的重新出现的技术
机译:利用透射菊池衍射的Si和Zr掺杂氧化Ha薄膜和集成FeFET的结构和电学比较
机译:具有缩放铁电HFZRO1和ALON界面层的基于SI的N和P-FEFET之间的不对称存储器窗口。
机译:基于单端口存储单元的快速多端口存储器