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Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV
Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV
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1.
New results on the bound exciton luminescence in Germanium
机译:
锗的束缚激子发光的新结果
作者:
M. Allardt
;
VI. Kolkovsky
;
S. Kolodinski
;
N.V. Abrosimov
;
K. Irmscher
;
P. Clauws
;
J. Weber
;
K. Zuber
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
germanium;
luminescence;
bound excitons;
haynes rule;
2.
Light trapping in monocrystalline Si solar cells using back-side diffraction gratings
机译:
使用背面衍射光栅捕获单晶硅太阳能电池中的光
作者:
Ralph Rothemundl
;
Thomas Umundum
;
Gerald Meinhardt
;
Kurt Hingerl
;
Thomas Fromherz
;
Wolfgang Jantsch
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon solar cells;
diffraction grating;
light trapping;
rigorous coupled-wave analysis;
RCWA;
ray tracing;
solar cell modelling;
3.
Mechanisms of Dislocation Network Formation in Si(001) Hydrophilic Bonded Wafers
机译:
Si(001)亲水键合晶片中位错网络形成的机理
作者:
V. Vdovin
;
O. Vyvenko
;
E. Ubyivovk
;
O. Kononchuk
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon wafer bonding;
screw dislocations;
dislocation reactions;
transmission electron microscopy;
4.
Homogeneous and heterogeneous nucleation of oxygen in Si-CZ
机译:
Si-CZ中氧的均相和异相成核
作者:
J. Kubena
;
A. Kubena
;
O. Caha
;
M. Meduna
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
vacancies;
interstitials;
silicon;
nucleation;
precipitation;
5.
Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO_2 system and its influence on the interface properties
机译:
点缺陷与Si-SiO_2系统中杂质的相互作用及其对界面性能的影响
作者:
D.Kropman
;
E.Mellikov
;
T. Kaerner
;
I. Heinmaa
;
T.Laas
;
C.A. Londos
;
A.Misiuk
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Si-SiO_2 interface;
EPR;
NMR;
point defects;
stress relaxation;
6.
Formation of Copper-Related Deep-Level Centers in Irradiated p-Type Silicon
机译:
辐射的p型硅中与铜有关的深层中心的形成
作者:
Nikolai Yarykin
;
Joerg Weber
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
copper impurity;
radiation defects;
7.
Transmission electron microscopy investigations of metal-impurity-related defects in crystalline silicon
机译:
透射电子显微镜研究晶体硅中与金属杂质有关的缺陷
作者:
M. Seibt
;
R Saring
;
P. Hahne
;
L Stolze
;
M. A. Falkenberg
;
C. Rudolf
;
D. Abdelbarey
;
H. Schuhmann
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
extended defects;
silicon;
transmission electron microscopy;
EBIC/FIB;
photovoltaics;
8.
Peculiarities of Formation and Annealing of VO-Related Defects in Ge Doped with Tin
机译:
掺锡锗中VO相关缺陷的形成和退火的特殊性
作者:
L.I. Khirunenko
;
Yu.V. Pomozov
;
M.G. Sosnin
;
N.V. Abrosimov
;
H. Riemann
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
germanium;
tin;
oxygen;
radiation defects;
9.
Carrier Lifetime Studies in Diode Structures on Si Substrates with and without Ge Doping
机译:
含和不含锗掺杂的硅衬底上的二极管结构中载流子寿命研究
作者:
A. Uleckas
;
E. Gaubas
;
J.M. Rafi
;
J. Chen
;
D. Yang
;
H. Ohyama
;
E. Simoen
;
J. Vanhellemont
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
czochralski silicon;
germanium doping;
carrier lifetime;
defects;
10.
Polycrystalline silicon layers with enhanced thermal stability
机译:
具有增强的热稳定性的多晶硅层
作者:
David Lysacek
;
Jan Sik
;
Petr Babor
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
polycrystalline silicon;
multilayer structure;
gettering;
chemical vapor deposition;
11.
Defect engineering in 2D photonic crystals fabricated by electrochemical etching of silicon
机译:
通过硅的电化学刻蚀制造的二维光子晶体中的缺陷工程
作者:
E.V.Astrova
;
G.V.Fedulova
;
Yu.A.Zharova
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
photonic crystals;
electrochemical etching;
macroporous silicon;
tunable microcavity;
12.
Photocurrent and Photoluminescence of Amorphous Silicon Nanoclusters Embedded in Silicon Suboxide Matrix
机译:
嵌入氧化亚硅基体中的非晶硅纳米簇的光电流和光致发光
作者:
O.M. Sreseli
;
O.B. Gusev
;
J.S. Vainshtein
;
Yu.K. Undalov
;
O.S. Yeltsina
;
A.A. Sitnikova
;
E.I. Terukov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
amorphous nanocluster;
amorphous silicon;
photoluminescence;
photocurrent;
photodetector;
efficiency;
13.
Room temperature direct band-gap emission from an unstrained Ge p-i-n LED on Si
机译:
Si上不受应变的Ge p-i-n LED的室温直接带隙发射
作者:
Tzanimir Arguirov
;
Martin Kittier
;
Michael Oehme
;
Nikolay V. Abrosimov
;
Erich Kasper
;
Joerg Schulze
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Ge;
dislocations;
light emitter;
luminescence;
14.
IR Studies on VO_n, C_iO_i, and C_iC_s Defects in Ge-doped Cz-Si
机译:
掺Ge的Cz-Si中VO_n,C_iO_i和C_iC_s缺陷的红外研究
作者:
C.A. Londos
;
E.N. Sgourou
;
A. Andrianakis
;
A. Misiuk
;
V.V. Emtsev
;
H. Ohyama
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Ge-doped Si;
point defects;
electron irradiation;
IR spectroscopy;
15.
Analysis of electron-beam crystallized large grained Si films on glass substrate by EBIC, EBSD and PL
机译:
EBIC,EBSD和PL分析玻璃衬底上的电子束结晶大颗粒Si膜
作者:
W. Seifert
;
D. Amkreutz
;
T. Arguirov
;
M. Krause
;
M. Schmidt
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
solar silicon;
dislocations;
grain boundaries;
EBIC;
EBSD;
diffusion length;
photoluminescence;
16.
Impact of Hydrostatic Pressure Applied at Annealing on Homogeneity of Si-Ge Single Crystals
机译:
退火时施加的静水压力对Si-Ge单晶均质性的影响
作者:
Andrzej Misiuk
;
Jadwiga Bak-Misiuk
;
Barbara Surma
;
Wojciech Wierzchowski
;
Krzysztof Wieteska
;
Charalampos A. Londos
;
Nikolai V. Abrosimov
;
Jacek Kucytowski
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Si-Ge;
structural properties;
annealing;
hydrostatic pressure;
homogeneity;
17.
Analysis of Auger Recombination Characteristics in High Resistivity Si and Ge
机译:
高电阻率Si和Ge的俄歇复合特性分析
作者:
A. Uleckas
;
E. Gaubas
;
T.Ceponis
;
K. Zilinskas
;
R. Grigonis
;
V.Sirutkaitis
;
J. Vanhellemont
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
germanium;
silicon;
carrier recombination lifetimes;
auger recombination;
18.
In-Situ observation of the oxygen nucleation in silicon with X-Ray single crystal diffraction
机译:
X射线单晶衍射法原位观察硅中氧的形核
作者:
Johannes Will
;
Alexander Groeschel
;
Christoph Bergmann
;
Andreas Magerl
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
static debye-waller factor;
statistical dynamical theory;
single crystal diffraction;
oxygen nucleation;
in-situ;
X-ray;
wedge shaped geometry;
annealing;
19.
Investigation of germanium implanted with hydrogen for layer transfer applications
机译:
用于层转移应用的氢注入锗的研究
作者:
T.S. Perova
;
B.M. Armstrong
;
J. Wasyluk
;
P.Baine
;
P. Rainey
;
S.J.N. Mitchell
;
D.W. McNeill
;
H.S. Gamble
;
R. Hurley
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
germanium on insulator;
MOSFETs;
ion cut;
layer transfer;
spreading resistance profiling;
micro-raman spectroscopy;
20.
Positron Probing of Point Radiation Defects in Proton - Irradiated FZ- Silicon Single Crystals
机译:
质子辐照的FZ-硅单晶中的点辐射缺陷的正电子探测
作者:
N. Yu. Arutyunov
;
M. Elsayed
;
R. Krause-Rehberg
;
V.V. Emtsev
;
G.A. Oganesyan
;
V.V. Kozlovski
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
vacancies;
complexes;
radiation defects;
silicon;
positron;
annihilation radiation;
21.
Radiation-induced Defect Reactions in Tin-doped Ge Crystals
机译:
掺锡锗晶体中的辐射诱导缺陷反应
作者:
V.P. Markevich
;
A.R. Peaker
;
B. Hamilton
;
V.V. Litvinov
;
Yu.M. Pokotilo
;
A.N. Petukh
;
S.B. Lastovskii
;
J. Coutinho
;
M.J. Rayson
;
P.R. Briddon
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Ge:Sn;
tin-vacancy defects;
energy levels;
ab-initio modeling;
22.
Implementation of Highly Resistive Emitter Solar Cells in a Production Environment using an Inline Doping System
机译:
使用在线掺杂系统在生产环境中实现高电阻发射极太阳能电池
作者:
Wolfgang WILLE
;
Ralph ROTHEMUND
;
Gerald MEINHARDT
;
Wolfgang JANTSCH
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
sheet resistance;
contact resistance;
inline doping;
inline diffusion;
emitter profile;
23.
Investigation of defects in solar cells and wafers by means of magnetic measurements
机译:
通过磁测量研究太阳能电池和晶圆中的缺陷
作者:
Rajko Buchwald
;
Stefan Koestner
;
Felix Dreckschmidt
;
Hans-Joachim Moeller
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
shunt;
grain boundary;
electrical losses;
defects;
current;
current distribution;
current loss;
magnetic field distribution;
multicrystalline silicon;
magnetic measurement;
24.
Conversion efficiency of radiation damage profiles into hydrogen-related donor profiles
机译:
辐射损伤剖面到氢相关供体剖面的转换效率
作者:
J. G. Laven
;
R. Job
;
W. Schustereder
;
H.-J. Schulze
;
F.-J. Niedernostheide
;
H. Schulze
;
L. Frey
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
proton implantation doping;
high-purity silicon;
hydrogen-related donors;
25.
Analysis of Contaminated Oxide-Silicon Interfaces
机译:
污染的氧化物-硅界面的分析
作者:
M.L. Polignano
;
D. Codegoni
;
L. Castellano
;
S. Greco
;
G. Borionetti
;
F. Bonoli
;
A. Nutsch
;
R. Altmann
;
A. Leibold
;
M. Otto
;
P. Monge
;
C.Riva
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
oxide-silicon interface;
organic contamination;
surface segregation;
MOS-DLTS;
26.
Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO_2 system and its influence on the interface properties
机译:
Si-SiO_2体系中应变引起的应力松弛机理及其对界面性能的影响
作者:
D.Kropman
;
E.Mellikov
;
T. Kaerner
;
T.Laas
;
A.Medvid
;
P.Onufrijevs
;
E.Dauksta
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Si-SiO_2-Si_3N_4 interface;
EPR;
point defects;
stress relaxation;
27.
Towards the tailoring of P diffusion gettering to as-grown silicon material properties
机译:
致力于根据扩散的硅材料特性定制P扩散吸杂剂
作者:
Jasmin Hofstetter
;
Jean-Francois Lelievre
;
David P. Fenning
;
Mariana I. Bertoni
;
Tonio Buonassisi
;
Carlos del Canizo
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
multi-crystalline silicon;
phosphorous diffusion;
extended gettering;
defect engineering;
iron;
28.
C-V - and DLTS-investigations of pyramid-shaped Ge Quantum Dots embedded in n-type Silicon
机译:
嵌入n型硅的金字塔形Ge量子点的C-V和DLTS研究
作者:
Victor-Tapio Rangel-Kuoppa
;
Alexander Tonkikh
;
Nikolay Zakharov
;
Peter Werner
;
Wolfgang Jantsch
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Ge quantum dots;
Ge quantum pyramids;
CV;
DLTS;
deep level;
activation energy;
29.
Stimulated Creation of the SOI Structures with Si nano-clusters by low-dose SIMOX Technology
机译:
低剂量SIMOX技术促进了Si纳米团簇形成SOI结构
作者:
V. Litovchenko
;
B. Romanyuk
;
V. Melnik
;
V. Kladko
;
V. Popov
;
O. Oberemok
;
I. Khatsevich
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
nanocluster;
buried layer;
ion implantation;
defects;
30.
Electrical study of self-assembled Ge Quantum Dots embedded in p-type Silicon. Temperature dependent Capacitance Voltage and DLTS study
机译:
嵌入p型硅中的自组装Ge量子点的电学研究。温度相关的电容电压和DLTS研究
作者:
Victor-Tapio Rangel-Kuoppa
;
Gang Chen
;
Wolfgang Jantsch
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Ge quantum dots;
Ge QDs;
TCV;
DLTS;
deep level;
activation energy;
31.
The Mechanical Modeling of Oxygen-Containing Precipitates in Silicon Wafers on Different Stages of the Getter Formation Process
机译:
吸气剂形成过程不同阶段硅片中含氧沉淀物的力学模型
作者:
Pavel Shushpannikov
;
Robert Goldstein
;
Konstantin Ustinov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon wafer;
internal getter;
precipitate;
inclusion;
dislocation loop;
32.
Intrinsic Point Defects in Silicon Crystal Growth
机译:
硅晶体生长的本征点缺陷
作者:
V.V.Voronkov
;
R.Falster
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
vacancy;
self-interstitial;
oxygen;
voids;
33.
Time-resolved photocurrent measurements on PbS nanocrystal Schottky-contact photovoltaic cells
机译:
PbS纳米晶体肖特基接触光伏电池上的时间分辨光电流测量
作者:
Ralph Rothemund
;
Susanne Kreuzer
;
Thomas Fromherz
;
Wolfgang Jantsch
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
PbS nanocrystals;
schottky-contact solar cell;
time-resolved photocurrent measurement;
34.
Surface corrugation and stacking misorientation in multilayers of graphene on Nickel
机译:
镍上多层石墨烯的表面波纹和堆叠取向不良
作者:
Vito Raineri
;
Corrado Bongiorno
;
Salvatore di Franco
;
Raffaella Lo Nigro
;
Emanuele Rimini
;
Filippo Giannazzo
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
graphene;
nickel;
atomic force microscopy;
transmission electron microscopy;
35.
Classification of Recombination-active Defects in Multicrystalline Solar Cells made from Upgraded Metallurgical Grade (UMG) Silicon
机译:
升级冶金级(UMG)硅制成的多晶太阳能电池中复合活性缺陷的分类
作者:
D. Lausch
;
R. Bakowskie
;
M. Lorenz
;
S. Schweizer
;
K. Petter
;
C. Hagendorf
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
solar cell;
upgraded metallurgical grade silicon;
recombination active defects;
classification;
electrical breakdown;
36.
Evolution of oxygen associated defects in Cz silicon during thermal annealing treatments: Comparison between experiment and simulation
机译:
热退火处理过程中Cz硅中与氧有关的缺陷的演变:实验与模拟之间的比较
作者:
J. Nicolaie
;
N. Burle
;
B. Pichaud
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
oxygen precipitates;
high temperature annealing;
ham's theory;
37.
Solid Phase Epitaxial Re-growth of Amorphous Layer in Si:Si Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure
机译:
静水压力下退火的Si:Si中非晶层的固相外延生长
作者:
Jadwiga Bak-Misiuk
;
Andrzej Misiuk
;
Adam Barcz
;
Przemyslaw Romanowski
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Cz-Si:Si, SPER;
self-implantation;
annealing;
high hydrostatic pressure;
38.
Scanning X-ray Excited Optical Luminescence Microscopy as a New Tool for the Analysis of Recombination Active Defects in Multi-Crystalline Silicon
机译:
扫描X射线激发光学发光显微镜作为分析多晶硅复合活性缺陷的新工具
作者:
M. Trushin
;
O. Vyvenko
;
W. Seifert
;
A. Klossek
;
I. Zizak
;
M. Kittler
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
multycristalline silicon;
X-ray beam induced current (XBIC);
X-ray fluorescence (XRF);
X-ray excited optical luminescence microscopy (μ-SXEOL);
39.
Structural Defect Studies of Semiconductor Crystals with Laue Topography
机译:
劳厄形貌的半导体晶体结构缺陷研究
作者:
Alexander Groeschel
;
Johannes Will
;
Christoph Bergmann
;
Hannes Grillenberger
;
Stefan Eichler
;
Max Scheffer-Czygan
;
Andreas Magerl
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
X-ray diffraction;
topography;
silicon;
oxygen precipitates;
GaAs;
dislocations;
annealing;
in-situ;
40.
XBIC Investigation of the Grain Boundaries in Multicrystalline Si on the Laboratory X-ray Source
机译:
XBIC在实验室X射线源上对多晶硅中晶界的研究
作者:
R.R. Fahrtdinov
;
O.V. Feklisova
;
M.V. Grigoriev
;
D.V. Irzhak
;
D.V. Roshchupkin
;
E.B. Yakimov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
XBIC;
Si;
grain boundary;
iron contamination;
EBIC;
contrast;
simulation;
41.
Synthesis of light emitting Ge nanocrystals by reactive RF sputtering
机译:
反应性射频溅射合成发光锗纳米晶
作者:
Arturo Hernandez-Hernandez
;
Victor-Tapio Rangel-Kuoppa
;
Thomas Plach
;
Francisco De Moure-Flores
;
Jose G. Quinones-Galvan
;
Karen E. Nieto Zepeda
;
Martin Zapata-Torres
;
Miguel Melendez-Lira
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Ge nanocrystals;
light emitting;
reactive RF sputtering;
efros-shkovskii hopping;
42.
Formation of Voids in SiO_2/Si Substrate by Zn Implantation and Thermal Annealing
机译:
Zn注入和热退火在SiO_2 / Si衬底中形成空隙。
作者:
V.V. Privezentsev
;
P.N. Chernykh
;
D.V. Petrov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
ion implantation;
thermal annealing;
SiO_2;
Zn impurity;
voids;
43.
Characterization of traps in crystalline silicon on glass film using deep-level transient spectroscopy
机译:
使用深层瞬态光谱法表征玻璃膜上结晶硅中的陷阱
作者:
T. Mchedlidze
;
J.-H. Zollondz
;
M. Kittler
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
thin film solar cells;
crystalline silicon on glass;
DLTS of dislocation related traps;
44.
Defect investigations via positron annihilation spectroscopy on proton implanted silicon
机译:
通过正电子an没光谱研究质子注入硅的缺陷
作者:
A.J.Schriefl
;
S. Sgouridis
;
W. Schustereder
;
W. Puff
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
proton implantation;
positron annihilation;
silicon;
45.
Tailoring the Electrical Properties of Undoped GaP
机译:
调整未掺杂GaP的电性能
作者:
P. Kamihski
;
R. Kozlowski
;
S. Strzelecka
;
A. Hruban
;
E. Jurkiewicz-Wegner
;
M. Piersa
;
M. Pawlowski
;
M. Suproniuk
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
defect levels;
SI gallium phosphide;
HRPITS;
46.
Boron-Oxygen-Related Defect in Silicon
机译:
硅中与硼氧有关的缺陷
作者:
L.I. Khirunenko
;
Yu.V. Pomozov
;
M.G. Sosnin
;
A.V. Duvanskii
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
boron;
oxygen;
illumination;
solar cells;
47.
Effects of Ultrasonic Cleaning on Carrier Lifetimes and Photovoltage in Monocrystalline Silicon
机译:
超声清洗对单晶硅载流子寿命和光电压的影响
作者:
A. Nadtochiy
;
O. Korotchenkov
;
M. Drapalik
;
V. Schlosser
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
surface photovoltage;
surface cleaning;
ultrasonic cavitation;
48.
Recombination at oxide precipitates in silicon
机译:
在氧化物处的重组在硅中沉淀
作者:
J.D. Murphy
;
K. Bothe
;
R. Krain
;
M. Olmo
;
V.V. Voronkov
;
R.J. Falster
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
recombination;
lifetime;
oxide;
precipitate;
capture coefficient;
cross-section;
49.
Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques
机译:
通过X射线衍射技术研究氧沉淀
作者:
M. Meduna
;
O. Caha
;
J. Ruzicka
;
S. Bernatova
;
M. Svoboda
;
J. Bursik
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
czochralski silicon;
oxygen precipitates;
x-ray laue diffraction;
50.
Silicon PV Wafers: Mechanical Strength and Correlations with Defects and Stress
机译:
硅PV晶片:机械强度及其与缺陷和应力的关系
作者:
George Rozgonyi
;
Khaled Youssef
;
P. Kulshreshtha
;
M. Shi
;
Ethan Good
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
51.
Reconstruction of a High Angle Tilt (110)/(001) Boundary in Si Using O- lattice Theory
机译:
使用O格理论重建Si中的大角度倾斜(110)/(001)边界
作者:
N. Cherkashin
;
O. Kononchuk
;
M. Hyetch
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
interfaces;
direct wafer bonding;
o-lattice theory;
dislocations;
90° high angle grain boundary;
silicon;
52.
Spectroscopic studies of Iron and Chromium in Germanium
机译:
锗中铁和铬的光谱研究
作者:
Y. Gurimskaya
;
D. Mathiot
;
A. Mesli
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
germanium;
deep-level transient spectroscopy;
defects;
transition metals;
electronic properties;
53.
Visible light-emitting hydrogenated nanocrystalline silicon-on-insulator films: formation and properties
机译:
可见光发光氢化绝缘体上纳米晶硅膜:形成和性能
作者:
Ida E. Tyschenko
;
Vladimir A. Volodin
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
nanocrystals;
amorphous silicon;
hydrogen ion implantation;
silicon-on-insulator;
visible photoluminescence;
54.
Microdefects in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon
机译:
重掺杂磷的切克劳斯基硅中的微缺陷
作者:
Zhenhui Wang
;
Xiangyang Ma
;
Deren Yang
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
heavily phosphorus-doped;
czochralski silicon;
oxygen precipitation;
grown-in defects;
flow pattern defects;
FPDs;
voids;
rapid thermal annealing;
55.
1207cm~(-1) infrared absorption band in carbon-rich silicon crystal
机译:
富碳硅晶体中的1207cm〜(-1)红外吸收带
作者:
Lin Chen
;
Xuegong Yu
;
Peng Chen
;
Xin Gu
;
Jinggang Lu
;
Deren Yang
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon crystal carbon impurity infrared absorption;
56.
Nitrogen Enhanced Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Wafers Coated with Silicon Nitride Films
机译:
氮化硅膜覆盖的直拉硅片中的氮增强氧沉淀
作者:
Xiangyang Ma
;
Liming Fu
;
Deren Yang
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
oxygen precipitation;
nitrogen;
czochralski silicon;
rapid thermal annealing;
silicon nitride film;
57.
Luminescent and Structural Properties of Self-Implanted Silicon Layers in Relation to Their Fabrication Conditions
机译:
自注入硅层的发光和结构特性及其制造条件
作者:
N.A. Sobolev
;
Kalyadin
;
E.I. Shek
;
V.I. Vdovin
;
D.I. Tetelbaum
;
L.I. Khirunenko
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
luminescence;
defects;
dislocations;
ion implantation;
annealing;
58.
Hydrogenated Radiation Defects in Silicon: Isotopic Effect of Hydrogen and Deuterium
机译:
硅中的氢化辐射缺陷:氢和氘的同位素效应
作者:
Pavel Hazdra
;
Volodymyr Komarnitskyy
;
Vilma Bursikova
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
hydrogen;
deuterium;
silicon;
radiation defects;
59.
Accurate Extraction of MOSFET Unstressed Interface State Spatial Distribution from Charge Pumping Measurements
机译:
从电荷泵浦测量中准确提取MOSFET无应力界面状态空间分布
作者:
Ivan Starkov
;
Stanislav Tyaginov
;
Hubert Enichlmair
;
Jong Mun Park
;
Hajdin Ceric
;
Tibor Grasser
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
interface states;
charge pumping;
hot-carrier degradation;
TCAD;
MOSFET;
60.
Accumulation of VO Defects in n-Si at High-temperature Pulse Electron Irradiation: Generation and Annealing Kinetics, Dependence on Irradiation Intensity
机译:
高温脉冲电子辐照下n-Si中VO缺陷的累积:生成和退火动力学,取决于辐照强度
作者:
M. Krasko
;
A. Kraitchinskii
;
A. Kolosiuk
;
V. Neimash
;
V. Voitovych
;
V. Makara
;
R. Petrunya
;
V. Povarchuk
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
electron irradiation;
vacancy-oxygen complex;
irradiation intensity;
61.
Electron Mobility in Moderately Doped Si_(1-x)Ge_x
机译:
中掺杂Si_(1-x)Ge_x中的电子迁移率
作者:
V.V. Emtsev
;
G.A. Oganesyan
;
N. Abrosimov
;
B.A. Andreev
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
SiGe alloys;
electron mobility;
alloy scattering;
62.
Bistable Defects as the Cause for NBTI and RTN
机译:
双稳态缺陷是NBTI和RTN的原因
作者:
W. Goes
;
F. Schanovsky
;
H. Reisinger
;
B. Kaczer
;
T. Grasser
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
noise;
negative bias temperature instability;
charge trapping;
defects;
63.
Characterization of Structural Defects in Germanium Epitaxially Grown on Nano-structured Silicon
机译:
纳米结构硅上外延生长锗的结构缺陷的表征
作者:
P. Zaumseil
;
Y. Yamamoto
;
J. Bauer
;
M. A. Schubert
;
J. Matejova
;
G. Kozlowski
;
T. Schroeder
;
B. Tillack
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Ge;
heteroepitaxy;
nano-structured Si;
XRD;
TEM;
64.
Recombination Activity of Twin Boundaries in Silicon Ribbons
机译:
硅带中双边界的重组活性
作者:
E.B.Yakimov
;
O.V. Feklisova
;
S.K. Brantov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
si ribbon;
grain boundary;
twist boundary;
dislocation;
EBIC;
iron;
65.
Fast light-induced solid phase crystallization of nanometer thick silicon layers on quartz
机译:
石英上纳米厚硅层的快速光诱导固相结晶
作者:
T. Mchedlidze
;
T. Arguirov
;
M. Kittler
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
crystalline Si MQW;
thin Si films on quartz;
fast solid-phase crystallization by light;
66.
Acceptor deactivation in silicon nanowires analyzed by scanning spreading resistance microscopy
机译:
扫描扩散电阻显微镜分析硅纳米线中的受体失活
作者:
R. Koeegler
;
X. Ou
;
N. Geyer
;
P. Das Kanungo
;
D. Schwen
;
P. Werner
;
W.Skorupa
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
Si nanowires;
doping;
ion implantation;
scanning spreading resistance microscopy;
67.
The Nature of Lifetime-Degrading Boron-Oxygen Centres Revealed by Comparison of p-type and n-type Silicon
机译:
通过比较p型硅和n型硅揭示了终身降解的硼氧中心的性质
作者:
V.V.Voronkov
;
R.Falster
;
K.Bothe
;
B.Lim
;
J.Schmidt
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
boron;
oxygen;
lifetime degradation;
68.
Hydrogen decoration of vacancy related complexes in hydrogen implanted silicon
机译:
氢注入硅中空位相关配合物的氢修饰
作者:
Helge Malmbekk
;
Lasse Vines
;
Edouard V. Monakhov
;
Bengt G. Svensson
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
hydrogen;
DLTS;
MCTS;
implantation;
69.
Application of double crucible in Cz Si crystal growth
机译:
双坩埚在Cz Si晶体生长中的应用
作者:
Prostomolotov A.I
;
Verezub N.A
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
modeling;
double crucible;
heat transfer;
silicon;
single crystal;
CZ growth;
hot zone;
impurity diffusion;
70.
Studying light soaking of solar cells by the use of solar simulator
机译:
通过使用太阳能模拟器研究太阳能电池的光吸收
作者:
Tine Uberg Naerland
;
Birger Retterstol Olaisen
;
Lars Arnberg
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
light induced degradation;
Cz-Si;
IV- characterization;
irradiance;
temperature;
71.
Coefficient of Diffusion in Crystals of Si^xGe*: Role of Preexponential Factor
机译:
Si ^ xGe *晶体中的扩散系数:预指数因子的作用
作者:
Vasilii Gusakov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
SiGe alloys;
diffusion;
oxygen;
theory diffusion in alloys;
72.
TEM Characterization of Near Sub-Grain Boundary Dislocations in Directionally Solidified Multicrystalline Silicon
机译:
定向凝固多晶硅中近亚晶界位错的TEM表征
作者:
Maulid Kivambe
;
Gaute Stokkan
;
Torunn Ervik
;
Birgit Ryningen
;
Otto Lohne
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
dislocations;
sub grain boundaries;
mc-si;
TEM;
73.
Low-Temperature Diffusion of Transition Metals at the Presence of Radiation Defects in Silicon
机译:
硅中存在辐射缺陷的过渡金属的低温扩散
作者:
Jan Vobecky
;
Volodymyr Komamitskyy
;
Vit Zahlava
;
Pavel Hazdra
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
diffusion;
radiation enhanced diffusion;
platinum;
palladium;
chromium;
molybdenum;
nickel;
vanadium;
ion implantation;
helium;
carrier lifetime;
power devices;
74.
Deep level defects in 4H-SiC Schottky diodes examined by DLTS
机译:
DLTS检查4H-SiC肖特基二极管的深层缺陷
作者:
Lukasz Gelczuk
;
Maria Dabrowska-Szata
;
Mariusz Sochacki
;
Jan Szmidt
会议名称:
《》
|
2011年
关键词:
deep levels;
DLTS;
SiC;
75.
Hydrogen-induced dissociation of the Fe-B pair in boron-doped p-type silicon
机译:
氢致硼掺杂的p型硅中Fe-B对的解离
作者:
C. K. Tang
;
L. Vines
;
B. G. Svensson
;
E. V. Monakhov
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
iron;
iron-boron pair;
hydrogen;
silicon;
DLTS;
76.
Dislocation Structure, Electrical and Luminescent Properties of Hydrophilically Bonded Silicon Wafer Interface
机译:
亲水键合硅晶片界面的位错结构,电学和发光性能
作者:
Anton Bondarenko
;
Oleg Vyvenko
;
ILiya Kolevatov
;
Ivan Isakov
;
Oleg Kononchuk
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
dislocation network;
dislocation-related luminescence;
silicon wafer bonding;
cathodoluminescence;
77.
Modeling of lifetime distribution in a multicrystalline silicon ingot
机译:
多晶硅锭寿命分布的建模
作者:
Yacine Boulfrad
;
Gaute Stokkan
;
Mohammed Mhamdi
;
Eivind Ovrelid
;
Lars Arnberg
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
multicrystalline silicon;
ingot;
defects;
iron;
dislocations;
lifetime;
78.
Iron gettering at slip dislocations in Czochralski silicon
机译:
切克劳斯基硅中位错处的铁吸气剂
作者:
K. Lauer
;
M. Herms
;
A. Grochocki
;
J. Bollmann
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
silicon;
interstitial iron;
dislocation;
gettering;
excess charge carrier lifetime;
79.
Electronic properties of ZnO/Si heterojunction prepared by ALD
机译:
ALD法制备ZnO / Si异质结的电子性质
作者:
V. Quemener
;
M. Alnes
;
L. Vines
;
O. Nilsen
;
H. Fjellvag
;
E.V. Monakhov
;
B.G. Svensson
会议名称:
《Gettering and defect engineering in semiconductor technology XIV》
|
2011年
关键词:
zinc oxide;
silicon;
interface;
DLTS;
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