Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
V.A. Fok Institute of Physics, Saint-Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia;
Physical Technical Research Institute of Nizhnii Novgorod State University, 603950 Nizhnii Novgorod, Russia;
Institute of Physics of the NAS of Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine;
silicon; luminescence; defects; dislocations; ion implantation; annealing;
机译:自注入硅层的发光和结构特性与其制造条件的关系
机译:与位错相关的注入的硅层的结构和发光特性
机译:硅衬底上生长的Mg2Si层的结构和电性能的生长条件依赖性
机译:与其制造条件相关的自植石层的发光和结构性能
机译:沉积条件对氢化非晶硅和硅锗合金(太阳能电池,薄膜晶体管)的结构,光电和器件性能的影响。
机译:新型烧结多层丝网多孔板的制备结构表征及单轴拉伸性能
机译:具有位错相关发光的注入硅层的结构和发光特性
机译:共聚物的微观结构研究。揭示聚合条件与聚合物性能关系的关键