ABB Switzerland Ltd., Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH-5600, Lenzburg, Switzerland,Dept. of Microelectronics, CTU in Prague, Technicka 2, CZ-166 27, Czech Republic;
Dept. of Microelectronics, CTU in Prague, Technicka 2, CZ-166 27, Czech Republic;
Dept. of Microelectronics, CTU in Prague, Technicka 2, CZ-166 27, Czech Republic;
Dept. of Microelectronics, CTU in Prague, Technicka 2, CZ-166 27, Czech Republic;
diffusion; radiation enhanced diffusion; platinum; palladium; chromium; molybdenum; nickel; vanadium; ion implantation; helium; carrier lifetime; power devices;
机译:硅中存在辐射缺陷时过渡金属的低温扩散
机译:同步辐射X射线技术在分析具有扩展缺陷的太阳能电池和单晶硅中过渡金属的行为中的应用
机译:碳存在下点缺陷注入对硼在硅和硅锗中扩散的影响
机译:过渡金属在硅辐射缺陷存在下的低温扩散
机译:在金属硅化物存在下硅中的掺杂剂失活和扩散。
机译:通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:用过渡金属过饱和在硅中产生的缺陷的能量水平
机译:金属 - 非金属转变对硼掺杂硅低温磁热导率的影响