基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺

摘要

本发明公开了一种基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，主要包括以下步骤：（1）进舟；（2）升温稳定；（3）第一步沉积；（4）第二步沉积；（5）推进；（6）吸杂；（7）低温再次推进；（8）降温退火出舟。本发明通过太阳能行业生产过程中多晶硅扩散工艺的创新来实现低少子寿命B类多晶硅片中金属离子的去除和硅片晶体结构的改善，提高地少子寿命B类片所产出的太阳能电池光电转换效率，使得此类硅片少子寿命平均值不低于12μs，并且使该类硅片生产的电池效率比使用产线正常工艺生所产生电池的电池效率高0.2%。