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刘丽丽; 孙士帅; 张颖涛; 李洪涛;
天津理工大学理学院,天津300384;
中国原子能研究院,北京102413;
直拉硅; 快中子辐照; 氮气氛退火; 红外光谱; 缺陷;
机译:高压退火氮掺杂的直拉硅的缺陷结构
机译:退火气氛对常规和氮掺杂直拉硅片中通过快速热处理形成的铜沉淀物的复合活性的影响
机译:锗掺杂对直拉硅中氧和碳相关缺陷的退火特性的影响
机译:高温退火后快中子辐照氮掺杂的直拉硅的缺陷
机译:氮掺杂硅中缺陷的形核和生长。
机译:PECVD对低温生长的掺硼氢化晶体硅的退火
机译:低温退火对导致p型硅中与铜有关的光致降解的缺陷的影响
机译:激光退火离子注入硅中的取代氮
机译:氮和氢退火气氛生产硅铁材料的方法
机译:氮和氢退火气氛生产硅铁片材的方法
机译:在氮和氢的退火气氛下生产硅铁片材的方法
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