IHP, Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder), Germany,Charles University, Ke Karlovu 5, 121 16 Prague 2, Czech Republic;
IHP, Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder), Germany,Technische Universitaet Berlin, HFT4, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, Germany;
Ge; heteroepitaxy; nano-structured Si; XRD; TEM;
机译:纳米结构硅上外延生长的锗中的结构缺陷的表征
机译:减少SOI衬底上纳米结构Si岛上外延生长的Ge中的结构缺陷
机译:通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上外延生长的富锗硅锗薄膜
机译:纳米结构硅外延生长的锗结构缺陷的特征
机译:在不匹配的锗和硅锗/硅衬底上生长的外延砷化镓材料中的缺陷的微观结构研究。
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:在InP纳米线在锗和硅外延生长的双胞胎形成