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磷化铟; 基板; 纳米线; 外延生长; Ⅲ-Ⅴ族半导体; 飞利浦; 高频特性; 团队; 科技; 整合;
机译:高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅基板上应变硅-锗梯度薄层上的纯锗外延生长
机译:硅上垂直磷化铟纳米线的自催化外延生长
机译:在高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅衬底上的应变硅锗梯度薄层上纯锗外延生长
机译:硅上锗的低温外延生长,朝着性价比高的III-V太阳能电池基板发展
机译:硅和锗纳米线以及硅/锗纳米线异质结构的合成。
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:在InP纳米线在锗和硅外延生长的双胞胎形成
机译:硅上的硅锗碳异质外延生长
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:通过外延生长在一定位置上在硅和/或锗上生产硅或锗膜的方法
机译:制造薄层元件包括在晶体层上外延生长锗材料的晶体层,以及在与硅锗板相对的锗材料的表面上形成氧化物层。
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