高频特性

摘要： 碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体,具有高击穿场强(约为Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(约为Si的2倍)、高热导率(Si的3倍、GaAs的10倍)等优异性能。相比同类硅基器件,SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域具有重要的应用潜力。

摘要： 重点分析了搭载通信节点的直流信道的高频传输特性与阻抗特性,指出实际物理传输信道的特性是影响信号传输增益、有效传输距离及可靠性的关键,并利用信道结构的电路解析模型推导给出了不同通信节点配置情况下的高频信号传输增益计算式。在此基础上,搭建了总传输距离为8 m的多节点直流载波通信实验平台,分别在1 MHz双节点与2 MHz多节点传输工况下验证了分析所得的信道传输特性的正确性与有效性,最终实现了28 V/100 W的直流功率与通信速率为115.2 kbit/s、零误码率的信号同步传输。

摘要： 采用磁控溅射法制备了具有不同衬底层(Cu,Co和Ni_(80)Fe_(20))的FeFe_(65)Co_(35)双层合金薄膜.研究了不同衬底材料以及NiFe衬底层厚度对FeCo合金薄膜结构与磁性的影响.研究结果表明:衬底层的引入可以增加薄膜的面内单轴各向异性,且薄膜的软磁性能显著提升,获得良好软磁性的原因归结为晶粒的细化、层间的偶极相互作用以及表面粗糙度的降低,并且对于相同厚度的不同衬底层,NiFe衬底层对FeCo薄膜软磁性能的提升最为明显;通过改变NiFe衬底层厚度,实现了对薄膜各向异性的调控,NiFe/FeCo表现出良好的高频响应和低的阻尼系数,同时较小的薄膜厚度能够减小涡流损耗,因此,促进了其在高频微波磁性器件方面的应用.

摘要： 电子电路中,信号电流在线路间流动会发生串扰,从而使波形畸变导致电路偶发故障.本文通过分解电路中的各项寄生参数、将其做等效处理,对电路间串扰成因进行理论分析,研究不同频段内,寄生参量随频率而产生的频率响应传输特性,提出设计改善方案.并通过仿真实验加以佐证,找到解决串扰问题的方法.

摘要： 为准确反映液压减振器在高频激励下的输出特性,基于流体惯性和局部流动损失等因素对阻尼液流动的影响规律,结合高频激励下减振器阻尼间隙内的流动特征,建立能够准确反映液压减振器高频动态特性的动力学模型,对液压减振器产生的阻尼力进行理论预测研究.试验与仿真分析结果均验证了该模型的准确性.

摘要： 在品质检测上,除了常规的开路和短路测试外,这些PCB/FPC还需要20GHz或更高频率的精密检测,性能上须要满足高频信号在传输的过程中的低折射及低损耗,以确保信号高速及高完整性的传输特性。日本Yamaha Fine Technologies首次在市场上推出独家的Mirco Prober MP502系列,通过与矢量网络分析仪(简称网分仪)相结合,可以高速、高精度地检测LCP、MPI、氟素基板等裸基板线路5G或毫米波的高频特性,实现大批量、高效率及精准生产的全测。

摘要： 基于本征函数法对G波段交错栅慢波结构的高频特性建立了理论模型,考虑空间谐波级数项收敛后,计算得到了色散曲线和耦合阻抗以及损耗参量并采用仿真软件对计算结果进行了验证.对比发现理论模型计算的高频特性与仿真结果吻合较好,色散误差小于0.1％,耦合阻抗误差小于10％,损耗误差小于10％,可信度较高.研究结果表明,该模型对于拥有任意交错距离和上下栅高度的双栅结构具有普适性,在两种极限情况下可分别化为对齐双排矩形栅和矩形波导栅慢波结构.交错栅高频损耗主要发生在注通道区域,槽区底部损耗最小.

摘要： 文章提出了一种以电容阻抗高频特性为基础的串扰耦合干扰的滤波抑制方法.介绍了实际情况中电容的等效阻抗在高频工作条件下所表现出的特性,分析了电容滤波时的工作原理.电容滤波的本质是在信号传输通道与"地"之间搭建一条针对干扰信号的低阻抗通道,使干扰信号在进入敏感工作电路之前就通过低阻通道被泄入"地"中,进而达到滤除干扰的目的.利用电容这一特性,成功实现了对干扰信号的有效滤除,并通过仿真验证了其可行性.

摘要： 随着微电子技术、半导体器件技术的快速发展,要求功率元件的性能不断提卧,电子产品高频化是其中一个发展趋势。本文较详细了论述了电感元件等效电路和高频的参数的研究,在高频的时候,电感不是理想的感性元件,除了本身的感性特效,还要考虑起分布电感,对于某些使用磁材,磁性材料特性的对高频阻抗的影响,这些高频特性在某些EMC场景有最关重要的作用,掌握对这些高频参数测量和原理对器件设计有着重要作用。

摘要： 本文对应用于W波段带状注分布作用速调管(SBEIK)的一种强耦合式五间隙分布作用谐振腔进行了研究,并分别就五间隙谐振腔与五间隙输出腔对其高频特性和技术特征进行了分析.此外,对由于多间隙腔周期结构引入的模式竞争问题进行仿真与计算,验证了工作模式与竞争模式之间具有足够的频率间隔,完全可以满足SBEIK整体设计要求.本研究工作对毫米波和太赫兹频段新型SBEIK高频系统的物理设计工程研究具有重要的指导意义.

摘要： 在电磁勘探中,由于近地表存在电性局部不均匀体,因此在其表面产生静电荷积累,使实测水平电场发生变化,进而导致视电阻率随对数频率平移,以致严重影响勘探效果.对此,近年来发展了多种校正方法,主要有如下几类:①利用不受静态位移影响的数据进行矫正,如采用同时采集的阻抗相位、独立采集的瞬变电磁数据等进行校正.②利用静态位移的高频特性,进行低通滤波处理,如"空间滤波法"等.上述两类方法都在实际工作中有广泛的应用,但不足之处在于很多方法都依赖处理人员的经验和主观判断.独立采集的瞬变电磁数据校正方法虽然不受人为因素影响,但是需要独立的采集系统,除了增加额外的工作量外,也增加了其它影响因素,比如测点位置的影响、采集参数影响等.时频电磁勘探技术同时测量水平电场和垂直磁场两个分量,可将电场和磁场优势互补.在时频电磁勘探技术中,可以利用垂直磁场分量几乎没有静态位移效应这一特性对频率域电场分量进行静态位移校正.

摘要： 本文利用电子束光刻技术(electron beam lithography,E-beam)制备了210nm栅长T型栅mHEMT(应变高电子迁移率晶体管,metamorphic high electron mobility transistor)器件.为减小栅极的寄生电容和寄生电阻,采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210nm栅长T型栅极.InAlAs/InGaAs异质结GaAs-mHEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent360B矢量网络分析仪测试.直流测试结果显示,210nm栅长InAlAs/InGaAs沟道GaAs-mHEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195mS/mm,器件最大沟道电流160mA/mm.射频测试结果显示,电流增益截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46GHz和115GHz.同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,采用非退火工艺制作的欧姆电极接触电阻率为3.5110-5Ω.cm-2,栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8A/μm.

摘要： 介绍了机电波导开关工作原理和设计方法.设计了一款工作于ku波段的小型化机电波导开关,分析了微波通道断开间隙、波导口错位对其高频特性的影响.实测结果表明,12.4GHz～18.0GHz频率范围内,插入损耗小于0.05dB,电压驻波比优于1.03,隔离度大于64dB.实测结果和仿真结果吻合.

摘要： 设计了一种工作在2.7-6.5GHz的小型化宽带螺旋线行波管.通过三维电磁仿真软件建立慢波结构并对其高频特性进行仿真优化.基于螺距跳变技术和加载衰减器,利用大信号互作用模拟仿真软件对行波管的注-波互作用进行模拟计算和优化设计,使该行波管在互作用长度从200mm缩短至150mm时仍有较高的增益和输出功率.计算结果表明:当互作用长度为150mm时,在2.7-6.5GHz频段内输出功率大于394W,增益大于24.9dB,电子效率大于14.6％,二次谐波比值小于-3.46dB,各项指标满足微波功率模块对慢波结构的要求.

摘要： 电子式电流互感器凭借绝缘简单、体积小、重量轻、动态范围宽、无磁饱和等优良特性在变电站中得到了广泛的应用.本文分析了高压变电站VFTO产生和传播的物理过程,建立了电子式电流互感器罗氏线圈的高频暂态模型,得到了VFTO作用下罗氏线圈端口的信号波形.本文通过对比集中参数,分布参数以及实测的信号波形,证明分布参数模型可以更好地反映罗氏线圈在VFTO作用下的高频特性.

摘要： 本文采用新型脊加载曲折波导慢波结构设计了0.14THz连续波行波管.高频特性模拟结果显示,在相同的结构尺寸下,脊加载曲折波导慢波结构具有比常规的曲折波导慢波结构更高的耦合阻抗.同时,大信号互作用模拟结果显示,脊加载曲折波导行波管能够产生更大的输出功率和增益.因此脊加载曲折波导是一种有潜力应用于短毫米波甚至THz源的新型慢波结构.

摘要： 提出了一种H型金属翼片加载的新型螺旋线慢波结构.利用三维电磁仿真软件HFSS对该慢波结构和常规螺旋线慢波结构的高频特性进行了分析对比,基于螺距跳变技术采用2.5维大信号互作用程序对Ka波段螺旋线整管注-波互作用进行模拟.结果表明该慢波结构的色散曲线平坦,整体耦合阻抗值较大;在26.5 GHz-40 GHz内输出功率大于210W,电子效率大于12％,增益波动小于3.8dB.

摘要： 本文主要介绍了18-40GHz超宽带螺旋线行波管的设计.在设计的过程中,为了提高行波管的输出功率以及电子效率,采用了螺距跳变的技术对其进行优化设计.利用三维电磁仿真软件HFSS对螺旋线慢波结构的高频特性进行仿真计算,并用大信号互作用模拟仿真软件对行波管的注—波互作用过程进行模拟,计算结果表明;在18-40GHz的工作频率范围内,行波管的饱和输出功率超过了90W,饱和增益大于35dB,电子效率大于8％,二次谐波比值小于-6dB.

摘要： 文中概述了CSC磁粉心的产品规格，指出金属粉芯磁芯的优点大幅减少漏磁、实现高频化。结合电流输出滤波电感的设计实践，探讨CSC磁粉心应用情况。

摘要： 本发明旨在得到高频开关模块和用于高频电路的频率特性调整方法，其中表现出所需的频率特性，并且可以将脉动抑制到较小程度。一种高频开关模块，其中高频开关SW包括二极管D作为开关装置，与包括电感器L和L1以及电容器Cla的高频滤波器LPF，彼此结合在一起。构成π-型高频滤波器的电感器L与二极管D直接串联连接。通过插入电感器L，使得在二极管D导通时形成的Chebyshev-型低通滤波器电路的截止频率朝向低频一侧移动，并且还使脉动抑制到较小的程度。

摘要： 一种平衡高频器件，由平衡器件和相位电路构成。平衡器件输入侧连接至用作为非平衡输入/输出端的输入端(IN)而其输出侧连接至用作为平衡输入/输出端的输出端(OUT1)和(OUT2)。而且，相位电路接在输出端之间。

摘要： 一种封装的射频晶体管器件，包括：包括多个射频晶体管单元的射频晶体管管芯；耦合到所述多个射频晶体管单元的射频输入引线；射频输出引线；以及耦合在所述多个射频晶体管单元和所述射频输出引线之间的输出匹配网络。所述输出匹配网络包括具有相应的上部电容器板的多个电容器，其中所述电容器的所述上部电容器板耦合到所述射频晶体管单元中的相应的射频晶体管单元的输出端子。所述多个电容器可以被提供作为包括公共的基准电容器板和在所述基准电容器板上的电介质层的电容器块。所述上部电容器板可以在所述电介质层上。

摘要： 本发明旨在得到高频开关模块和用于高频电路的频率特性调整方法，其中表现出所需的频率特性，并且可以将脉动抑制到较小程度。一种高频开关模块，其中高频开关SW包括二极管D作为开关装置，与包括电感器L和L1以及电容器Cla的高频滤波器LPF，彼此结合在一起。构成π－型高频滤波器的电感器L与二极管D直接串联连接。通过插入电感器L，使得在二极管D导通时形成的Chebyshev－型低通滤波器电路的截止频率朝向低频一侧移动，并且还使脉动抑制到较小的程度。

摘要： 一种平衡高频器件，由平衡器件和相位电路构成。平衡器件输入侧连接至用作为非平衡输入/输出端的输入端IN，而其输出侧连接至用作为平衡输入/输出端的输出端OUT1和OUT2。而且，相位电路接在输出端之间。

摘要： 本发明提供一种价格便宜、高频特性良好的高频电路连接结构。在本发明的高频电路连接结构中，跨接构件(8)的跨接线(11)具有定位在绝缘基体(10)上且位于外罩(9)内被电屏蔽的基部(11a)、及从绝缘基体(10)的下面突出的端子部(11b)，由于跨接构件(8)的跨接线(11)在与第3导体(3c)交叉的状态，端子部(11b)贯通电路板(2)来与第1、第2导体(3a、3b)连接，所以，跨接线(11)的基部(11a)处于通过被外罩进行了电屏蔽的状态，可以得到良好的高频特性。

摘要： 本发明提供高频特性检查装置以及高频特性检查方法，将检查探针与基板自动连接，适当地检查高频特性。高频特性检查装置为检查基板的高频特性的高频特性检查装置，具有：检查夹具，其能够移动，且具有用于从基板的主表面侧检查基板的多个检查探针；摄像部，其对基板的主表面侧进行拍摄；基板保持器，其保持基板，且能够至少相对于基板的主表面平行地移动；控制部，其基于摄像部拍摄到的图像，至少使基板保持器移动，从而使检查探针与基板接触；控制部使基板保持器相对于基板的主表面平行地移动，在进行了基板相对于检查夹具的定位后，使检查夹具与基板保持器相对地在主表面的垂直方向上移动，从而使检查探针与基板接触。

摘要： 一种提高高频特性阻抗稳定性的方法及其高频连接器，其中方法为包括如下步骤，（1）、设计高频电连接器，包括绝缘本体、若干条收容于所述绝缘本体内的信号端子和接地端子；（2）、所述信号端子与接地端子分别包含接触部、端子脚，以及连接所述接触部与端子脚的连接部；（３）、将所述信号端子的焊脚设计成：在焊脚插入PCB板的插孔之后，所述焊脚从与插孔的接触处往上逐渐变宽，当所述焊脚与PCB板焊接后，焊锡堆填满焊脚与PCB板间的空位，使信号传输通道变宽，从而提高高频特性阻抗的稳定性。并且具有高频信号传输十分稳定，不会失真或漏掉信号的优点。

摘要： 本发明提供一种价格便宜、高频特性良好的高频电路连接结构。在本发明的高频电路连接结构中，跨接构件(8)的跨接线(11)具有定位在绝缘基体(10)上且位于外罩(9)内被电屏蔽的基部(11a)、及从绝缘基体(10)的下面突出的端子部(11b)，由于跨接构件(8)的跨接线(11)在与第3导体(3c)交叉的状态，端子部(11b)贯通电路板(2)来与第1、第2导体(3a、3b)连接，所以，跨接线(11)的基部(11a)处于通过被外罩进行了电屏蔽的状态，可以得到良好的高频特性。

摘要： 本实用新型构成特性阻抗实质上不依赖于电路基板的被测定点的信号电极与接地电极的间隔的高频测定用探针以及使用了该高频测定用探针的高频特性测定装置。高频测定用探针(101)具备：第1基板(10)，具有第1接地导体(12)和与该第1接地导体导通的接地探针(1)；第2基板(20)，具有传输线路和信号探针(3)，传输线路由信号导体和第2接地导体构成，信号探针与信号导体导通，并在与接地探针相同的方向上延伸；以及基板保持机构，保持第1基板和第2基板，使得能够在使第1接地导体和第2接地导体电导通的状态下对第1方向上的相对位置关系进行调整，第1方向是相对于接地探针以及信号探针的延伸方向的正交方向。