Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e.V., P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany,;
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e.V., P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany,;
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, Halle D-06120, Germany;
IBM Zuerich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland;
Dept. of Materials Science and Engineering, Univ. of Illinois, 1304 W Green St., II 61801, USA;
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, Halle D-06120, Germany;
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e.V., P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany;
Si nanowires; doping; ion implantation; scanning spreading resistance microscopy;
机译:扫描扩散电阻显微镜分析硅纳米线中的受体失活
机译:VLS生长过程中硅纳米线的可控原位n掺杂及其通过扫描扩展电阻显微镜表征
机译:ZnO / ZnO:Sb核壳纳米线的截面成像和p型掺杂评估的扫描电容显微镜和扫描扩展电阻显微镜
机译:通过扫描散射电阻显微镜分析硅纳米线中的受体去激活
机译:用扫描隧道显微镜和原子跟踪研究硅(001)上的氢扩散,碳氢化合物吸附和钯纳米线。
机译:通过透射电子显微镜和扫描电子显微镜分析染色质纤维组装成中期染色体。
机译:锗中N型掺杂剂扩散谱的定量扫描抗性显微镜及掺杂剂失活的起源