In2O3

摘要： 采用水热法制备了由纳米片组装而成的分级结构In_(2)O_(3)微球,在350~450°C下对其进行了退火处理,并制备了相应的气敏传感元件,研究了退火温度对In_(2)O_(3)微球结构和气敏性能的影响。结果表明,随着退火温度的增加,In_(2)O_(3)的晶粒尺寸随之增大,而其比表面积随之减小。在140°C的最佳工作温度下,350°C退火处理制备的气敏元件对0.01%质量分数正丁醇气体的灵敏度高达82.3,且具有良好的气体选择性和较快的响应速度,进一步讨论了退火温度对分级结构In_(2)O_(3)微球气敏性能的影响机制。

摘要： 采用模板法成功制备了具有介孔结构的毛线团状In_(2)O_(3)空心球,该空心球具有大的比表面积(30.88 m^(2)/g),并研究了苯二甲酸的种类对产物形貌、结构和气敏性能的影响。利用XRD、TEM、FT-IR、DSC-TG和氮气物理吸附对所合成的产物进行表征。结果表明苯二甲酸的种类对最终产物的形貌有显著影响。气敏性分析表明,与其他In_(2)O_(3)及其体状材料相比,基于毛线团状In_(2)O_(3)空心球的传感器对乙醇表现出优异的气敏性能。用对苯二甲酸所合成的In_(2)O_(3)空心球在工作温度为280°C时对100 ppm乙醇的响应值约为28,是In_(2)O_(3)体状材料的3倍以上。该传感器对10 ppm的乙醇也有着高的气敏响应值(约为3.6),其能够检测到环境中的低浓度乙醇气体。其响应与恢复时间分别为16s和39s,具有快速响应和恢复的特性。此外,该传感器在30 d的稳定性测试后响应值还能达到初始值的91%,表明毛线团状In_(2)O_(3)空心球在检测乙醇气体方面具有优异的气敏稳定性能。

摘要： Cl_(2)作为消毒剂重要的工业原料,在当前疫情肆虐的情况下其需求量日益增大,而Cl_(2)是一种有毒气体,常见的金属氧化物半导体气敏材料对低浓度Cl_(2)响应低,因此开发对微量泄露灵敏的Cl_(2)传感材料具有重要意义。采用一种简便的NaBH_(4)还原方法,对脱脂棉模板法合成的In_(2)O_(3)微管材料进行处理,在室温条件下成功制备了具有丰富氧空位浓度的In_(2)O_(3)微管材料。利用XRD、SEM、XPS和EPR表征手段,考察了该方法对其晶体结构、微观形貌和氧空位的影响,结果表明,该方法只提高In_(2)O_(3)材料中的氧空位浓度而不对晶体结构和微观形貌产生影响。由气敏性能测试结果可知,NaBH_(4)处理后的In_(2)O_(3)微管比未处理的In_(2)O_(3)微管对相同低浓度Cl_(2)的响应值提高了约13倍。由此可见,表面氧空位对Cl_(2)气敏性能起着重要作用。通过气敏机理分析,Cl_(2)主要是直接吸附于材料表面和吸附在材料表面的氧空位上。由于NaBH_(4)处理后In_(2)O_(3)微管比未处理的In_(2)O_(3)微管氧空位多,因此富氧空位的In_(2)O_(3)微管对低浓度Cl_(2)表现出了优异的灵敏度。

摘要： In_(2)O_(3)作为一种良好的光电和气敏材料,因高温下具有优异的热电性能在热电领域也获得广泛关注。本研究通过固相反应法结合放电等离子烧结(SPS)成功将原位自生的InNbO_(4)第二相引入到In_(2)O_(3)基体中,优化了块体样品的制备工艺。同时,InNbO_(4)改善了样品的电输运性能,使载流子浓度明显提高,在1023 K时电导率最高可达1548 S·cm^(–1),高于大多数元素掺杂的样品。其中,0.998In_(2)O_(3)/0.002InNbO_(4)样品的热电性能测试表明,在1023 K时,其功率因子可达到0.67 mW·m^(–1)·K^(–2),热电优值(ZT)达到最高值0.187。综上所述,通过在In_(2)O_(3)中原位复合InNbO_(4)第二相可以很好地改善In_(2)O_(3)基热电陶瓷的电性能,进而调控其高温热电性能。

摘要： 采用低温油浴的方法,制备出具有“TypeⅡ”异质结构的In_(2)O_(3)/Ag:ZnIn_(2)S_(4)复合材料光催化剂。使用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)以及光电化学测试(PEC)等技术对物相、形貌结构、元素化合状态、光响应特性等方面进行探究。在可见光照射下进行光解水制氢和光降解甲基橙(MO)实验来评价光催化剂的光催化活性,结果表明,粉末状光催化剂In_(2)O_(3)/40.0%(质量分数)Ag:ZnIn_(2)S_(4)的光催化制氢速率达到21.85μmol·h^(-1),约是In_(2)O_(3)和Ag:ZnIn_(2)S_(4)的57.5倍和1.5倍。在可见光下的降解MO实验中,In_(2)O_(3)/40.0%Ag:ZnIn_(2)S_(4)光降解速率为0.3466 min^(-1),分别约是In_(2)O_(3)和Ag:ZnIn_(2)S_(4)的105倍和2.1倍。这主要归因于In_(2)O_(3)和Ag:ZnIn_(2)S_(4)之间形成的“TypeⅡ”异质结构,促使光生载流子的快速迁移和分离。

摘要： 为了提升半导体金属氧化物的光催化性能,以荷花花粉为生物模板,辅以化学液相浸渍法制备了In2 O3微球,利用SEM、XRD、FT-IR、UV-Vis DRS、N2物理吸附等手段对材料进行表征,并以亚甲基蓝和四环素为模拟污染物探究了材料的光催化性能.结果表明:生物模板法制备的In2 O 3微球成功复制了荷花花粉模板的微球形貌,微球直径为25μm,比表面积高达48 m2·g-1;与无模板In2 O3相比,In2 O3微球的转化率更高.以氙灯为光源,在120 m in时对亚甲基蓝的转化率达90％ 以上;90 m in时对四环素的转化率达90％.

摘要： 运用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)第一性原理计算方法,研究了Mo掺杂In_(2)O_(3)半导体的电子结构和光学性质.研究结果表明:Mo属于n型掺杂,引入的杂质能级使掺杂体系的有效禁带宽度变窄,掺杂体系载流子浓度的提高有效地改善了In_(2)O_(3)半导体的导电性;Mo O(Mo替代O缺陷)引入的杂质能级可以作为电子从价带向导带跃迁的桥梁,使得掺杂体系光学吸收谱的吸收边发生了明显的红移,有效提升了In_(2)O_(3)半导体材料在可见光区、红外光区和远红外光区对光子的吸收幅度,从掺杂体系的反射系数也可以得到同样的结论;Mo掺杂引入的杂质能级可以有效提升In_(2)O_(3)半导体材料的介电性能,这有利于光生电子-空穴对的产生和分离,从而提高了In_(2)O_(3)半导体材料对光子的吸收和转化效率.总之,Mo的掺杂可有效改善In_(2)O_(3)半导体光学性能,进一步拓展了In_(2)O_(3)在红外光光电子器件领域的应用.

摘要： 采用浸渍法制备了V2O5-MoO3-In2O3/TiO2脱硝催化剂,通过XRD、N2-吸附脱附、H2-TPR、NH3-TPD、O2-TPD等技术表征了催化剂的物化性能,通过固定床反应器考察了催化剂的脱硝性能.表征结果表明,In2O3的负载使V2O5-MoO3/TiO2催化剂的比表面积和孔体积略有降低、孔径略有提升,但没有改变V2O5-MoO3/TiO2催化剂的晶型结构及载体的孔道结构.催化剂的脱硝性能评价实验结果显示,In2O3的负载提升了催化剂的还原性能,增强了催化剂的表面酸性,从而提高了催化剂的脱硝活性.In2O3的存在提高了催化剂的抗SO2/H2O蒸气的性能,催化剂的高温抗SO2/H2O蒸气性能优于低温状态下.

摘要： 由于暴露于NO2气氛的高危害性,种类繁多的NO2气体传感器得以被开发.近年来,室温气体传感器引起了研究者的广泛关注,并且已经成为该领域一个流行的发展方向.然而,在低温下,传感器的响应值很低.此外,敏感材料表面的气体分子很难脱附,这会导致其恢复过程很慢.利用静电纺丝法和随后的煅烧工艺成功合成了 In2O3纳米纤维,通过X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜证实了其成分和微结构.气敏测试结果表明,基于制备的In2O3纳米纤维气体传感器在室温下对NO2表现出高响应.更重要的是,引入了一种有效的可见光照射法对所制备的传感器的恢复过程进行了加速.基于所有的实验数据,最后提出了一些合理的机理和解释.

摘要： InSe具有高载流子迁移率,在光电探测和场效应器件应用上具有非常好的前景.但InSe易于氧化,特别是在一定光和热激发下会氧化成In2O3.在InSe的研究中,拉曼光谱、荧光光谱等手段均需采用激光进行激发,目前激光照射测试过程对测试结果的影响并不清楚.通过采用拉曼光谱、原子力显微镜和开尔文探针显微镜,详细研究了激光照射过程对InSe拉曼光谱测试、表面形貌和表面电势的影响.结果表明:在激光功率为0.20 mW、曝光时间10 s的条件下,激光照射对材料基本没有影响;随着激光照射功率增强,激光诱导表面氧化而产生结构形变,拉曼光谱峰强下降,表面电势升高;随着高激光功率照射时间增长,表面的氧化程度迅速增加,但拉曼强度呈现先下降后增长再下降的变化,其原因来自于氧化层形态的变化.光谱测试对InSe材料产生不可忽略的影响,在材料分析中需要给予重视.

摘要： 本文在纳米三氧化铟(InO)材料中掺入1﹪Pdcl,通过对其气敏性能进行研究,以期开发一种新型的对TMA敏感的材料.文章介绍了气敏元件的制作.

摘要： 本文在纳米三氧化铟(InO)材料中掺入1﹪Pdcl,通过对其气敏性能进行研究,以期开发一种新型的对TMA敏感的材料.文章介绍了气敏元件的制作.

摘要： 本文在纳米三氧化铟(InO)材料中掺入1﹪Pdcl,通过对其气敏性能进行研究,以期开发一种新型的对TMA敏感的材料.文章介绍了气敏元件的制作.

摘要： 本文在纳米三氧化铟(InO)材料中掺入1﹪Pdcl,通过对其气敏性能进行研究,以期开发一种新型的对TMA敏感的材料.文章介绍了气敏元件的制作.

摘要： 本文在纳米三氧化铟(InO)材料中掺入1﹪Pdcl,通过对其气敏性能进行研究,以期开发一种新型的对TMA敏感的材料.文章介绍了气敏元件的制作.

摘要： 本文报道了用微乳法制备纳米SnO、InO的方法.当其它条件相同时,选择不同的主乳化剂,所得粒径不同,与体相材料相比,其红外震动峰有所加宽,峰位向高频方向移动,吸收性能与体相材料相比也有较大的差异.

摘要： 本文报道了用微乳法制备纳米SnO、InO的方法.当其它条件相同时,选择不同的主乳化剂,所得粒径不同,与体相材料相比,其红外震动峰有所加宽,峰位向高频方向移动,吸收性能与体相材料相比也有较大的差异.

摘要： 本文报道了用微乳法制备纳米SnO、InO的方法.当其它条件相同时,选择不同的主乳化剂,所得粒径不同,与体相材料相比,其红外震动峰有所加宽,峰位向高频方向移动,吸收性能与体相材料相比也有较大的差异.

摘要： 本文报道了用微乳法制备纳米SnO、InO的方法.当其它条件相同时,选择不同的主乳化剂,所得粒径不同,与体相材料相比,其红外震动峰有所加宽,峰位向高频方向移动,吸收性能与体相材料相比也有较大的差异.

摘要： 本文报道了用微乳法制备纳米SnO、InO的方法.当其它条件相同时,选择不同的主乳化剂,所得粒径不同,与体相材料相比,其红外震动峰有所加宽,峰位向高频方向移动,吸收性能与体相材料相比也有较大的差异.

摘要： 本发明公开了1,1‑二（三氟甲氧基）二氟乙烯联产1,2‑二（三氟甲氧基）二氟乙烯的制备方法，具体包括如下过程：1）CF

摘要： 本发明涉及包含颗粒形式的苯并嗪酮(I)的苯并嗪酮(I)的组合物，其中每体积颗粒至多50％具有3μm以下的直径。

摘要： 公开了使用二取代的碳二亚胺,二亚丙基三胺和任选地醚属溶剂和/或醇，生产1,5,7‑三氮杂双环[4.4.0]癸‑5‑烯的方法。海公开了在可电沉积的涂料组合物中使用通过这一方法生产的1,5,7‑三氮杂双环[4.4.0]癸‑5‑烯，和在基底上电泳沉积这一涂层，形成涂布的基底。

摘要： 本发明涉及1,5‑二甲基‑6‑硫代‑3‑(2,2,7‑三氟‑3‑氧代‑4‑(丙‑2‑炔基)‑3,4‑二氢‑2H‑苯并[b][1,4]噁嗪‑6‑基)‑1,3,5‑三嗪烷‑2,4‑二酮的新晶型A。本发明还涉及一种生产该晶型的方法以及含有1,5‑二甲基‑6‑硫代‑3‑(2,2,7‑三氟‑3‑氧代‑4‑(丙‑2‑炔基)‑3,4‑二氢‑2H‑苯并[b][1,4]噁嗪‑6‑基)‑1,3,5‑三嗪烷‑2,4‑二酮的该新晶型的植物保护用配制剂。

摘要： 本发明提供将包含DAPTAD的三唑啉二酮化合物以固体状从反应液中分离出的方法、及所分离的固体状的三唑啉二酮化合物、和三唑啉二酮化合物的新型制造方法。使溶解有包含DAPTAD的三唑啉二酮化合物的三唑啉二酮溶液、与碳原子数为5～15的烃系不良溶剂接触，得到固体状的三唑啉二酮化合物。另外，使用不副产酸的氧化剂将三唑烷二酮化合物氧化，得到三唑啉二酮化合物。

摘要： 本发明涉及使用一种或多种固体酸催化剂由未取代或取代的三亚甲基碳酸酯聚合生成未取代或取代的聚(1，3-丙二醇碳酸酯1，3-丙二醇醚)二醇的无溶剂方法。

摘要： 本发明涉及一种化合物二羟基二氟化三硼酸胍及二羟基二氟化三硼酸胍非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]，分子量为212.53，采用蒸发法、水热法或室温溶液法制备；该晶体的化学式为[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]，分子量为212.53，晶体属三斜晶系，空间群P1，晶胞参数为a=4.8288(7)Å，b=6.8455(10)Å，c=7.3212(11)Å，α=114.308(5)，β=90.258(5)，γ=102.865(5)，Z=1，V=213.75(6)Å3。通过该方法获得的[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]非线性光学晶体具有较宽的透光波段，物化性能稳定，机械硬度适中，不易碎裂，易于切割、抛光加工和保存等优点。

摘要： 本发明公开了1,1‑二(三氟甲氧基)二氟乙烯联产1,2‑二(三氟甲氧基)二氟乙烯的制备方法，具体包括如下过程：1)A反应：CF3OF与1,2‑二氯乙烯和保护剂，经液相加成、碱液中和、干燥之后，最后精馏纯化，获得ClCF3OCHCHClF纯品；2)B反应：ClCF3OCHCHClF、碱液和相转移催化剂，经皂化、分层、水洗、干燥，制得混合物a，混合物a包括CF3OCH＝CClF及ClCF3OC＝CHF；3)C反应：混合物a与CF3OF、保护剂，经液相加成，碱液中和、干燥，制得混合物b，混合物b包括(CF3O)2CHCClF2、CF3OFCHCClFOCF3、FClCF3OCCHFOCF3、(CF3O)2ClCCHF2；4)D反应：混合物b、碱液和相转移催化剂，经皂化、分层、水洗、干燥，最后精馏纯化，获得目标产物。本工艺可实现联产，一条工艺获得两种目标产物，工艺简单，收率高。

摘要： 本发明涉及一种ICP‑AES快速测定含铬高铝质耐火材料中主量元素三氧化二铝、二氧化硅和三氧化二铬含量的方法，采用氢氧化钠溶液+盐酸+硝酸作为消解体系经微波消解处理后，将消解液稀释，用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP‑AES)测定出含铬高铝质耐火材料中主量元素三氧化二铝、二氧化硅和三氧化二铬的含量。该方法对试样处理快速，溶解效率高，采用仪器检测高含量(可达95％)主量元素，完全替代传统化学分析法，出具的结果稳定可靠；检测成本较低；所用试剂安全环保，合理利用仪器分析取代人工操作，提高了工作效率，具有很高的推广应用价值。

摘要： 本发明涉及使用4‑([1,1':3',1''‑三联苯]‑2'‑基氧基)‑S‑二萘并[2,1‑d:1',2'‑f][1,3,2]二氧磷杂环庚三烯将环辛二烯加氢甲酰化的方法。