典型错例

摘要： 为了做好小学数学中年级“图形与几何”的错题分析,并寻找和探究改进对策,笔者以苏教版小学数学三年级下册“长方形和正方形面积”一课为例,通过在课前根据以往教学经验,精心选好例题;在课中收集学生典型错题,深度剖析交流;在课后学生记录各种错题,强化减少错误的教学策略,帮助教师读懂学生的错题。

摘要： “典型错例”是指学生作业中具有代表性的错例。追溯典型错例的形成原因主要有两点:一是知识与方法的缘由;二是心理与情感的因素。矫正典型错例应奉行长期主义,葆有长程视域,把每一个错“点”联结成“线”,系统地看待错失与疏漏,其基本流程与策略是:错误原因预判、引领课堂讨论、倡导直观分析、学生自主出题,以期矫正得当。结合教学实践,从概念理解、算理算法和问题解决三方面进行案例分析,进一步丰富了典型错例的题型和矫正方法,以供一线教师教学时借鉴。

摘要： 本期“典型错例分析及矫正策略”从学生平时易错例题入手,通过细致诊断,精心分析其错误生成的原因并提出有效的矫正策略,为学生形成良好思维打下基础。

摘要： 小学生由于年龄小,受经验和认知能力的影响,难免会发生这样或那样的错误。作为教师,我们不仅要宽容“错误”,更要将其视为一种有效的教学资源,正确、巧妙地加以运用。本专辑梳理了小学数学中的典型错例,并进行全面诊断分析,制订出可行的矫正策略,供大家参考。

摘要： 日常教学中,典型错例是数学课堂教学的一大资源.合理利用错例进行纠错教学,对于提高课堂效率,巩固新授知识,有效规避数学错误等有积极的作用.让错例成为学生初探究或再探究的资源,不断改进教学,就会获得更内化的收获.

摘要： 一、精心搜集,呈现典型错例六年级下学期整理和复习完"常见的数量关系"后,接连两份测试卷中都出现了"平均速度",如图所示:学生错误面大、错误率极高,许多学生还会反复出错。原因何在?如何解决?二、直面"困惑",访谈错误原因交卷后及时对十余个学生进行了个别访谈,主要思路摘录如下:生1:求平均的速度,当然就要把速度加起来,再平均嘛!生2:求往返的平均速度,现在去的速度和回来的速度都告诉了,所以就把这两个速度合起来再平均分,所以就是(15+10)÷2=12.5(千米)。

摘要： 数学是学生重点学习的课程之一.为保证小学六年级学生学习数学课程的质量,使其数学考试成绩有所提升,教师应该对目标数学问题的失误原因进行分析,并围绕典型的错误问题展开授课,引导学生改正自身数学学习方式,以提升小学生的数学学习效率.以小学数学六年级典型的错误问题为中心展开探讨,对其错误原因及改进对策进行细致分析.

摘要： 小学阶段是大脑发育的关键时期,也是培养学生计算能力,理解能力及思维分析能力的关键阶段。通过对小学数学典型错例的科学研究,能够制定出高效的分析和矫正方法,从而进一步学生的综合能力的提高创造积极的环境,提升小学生的综合素质。当前,已经有许多教育者正在积极研究小学数学相关典型例题的分析与矫正方法,并取得巨大进步,本文旨在学习已有经验,对小学数学典型错例进一步分析,并提出几点矫正方法策略,以供相关教育者参考交流。

摘要： 数学典型错例折射的是教与学的问题,是一种宝贵的教学资源。如何利用"小学数学典型错例微课"提升教与学的成效,是我们一直在思考的问题。下面笔者就从"开发、应用"这两个维度,谈谈具体做法。一、数学典型错例分析微课资源开发的策略我们从错例微课的内容选择、解说分析、视频录制、同步练习编拟、课件资源积累、思维策略展示等层面进行实践研究,现已逐步形成专项微课开发的基本框架策略.

摘要： "学而不思则罔,思而不学则殆."在漫漫英语学习的路途上,是需要不断总结和归纳的.如果说词是地,篇是天的话,那句子就是衔接词和篇的桥梁.学生要想写出正确的句子,不仅需要大量的单词积累,还需要正确的语法作为支撑.所以从某种程度上来说,学生对句子掌握的灵活度,决定了其英语学习的最终高度.

摘要： 在部分文献中发现，有些作者在进行动力学分析时，画“受力图”存在问题，因而导致理论分析、计算演绎或研究结果的差错和谬误。该文通过典型错例的分析，说明画受力图的重要性、严肃性和严格性。

摘要： 本发明提供一种具有典型长颗粒形貌、富含层错和孪晶的碳化硅晶须陶瓷及其制备方法。以β‑碳化硅晶须为原料，在碳化硅晶须中加入高温液相烧结助剂Y

摘要： 本发明公开了刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的建模方法。该方法的主要内容包括，在给定包含晶体模型原子结构信息的文件的前提下，根据拟构建的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的Burgers矢量、位错线的位置、滑移面的要求，利用C/C++语言提取文件中的晶体模型原子结构信息，自动计算出包含符合要求的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的晶体模型的原子坐标，然后按分子动力学软件能识别的文件格式输出数据到文件。本发明可方便快捷地在晶体内部指定位置直接构建指定方位、组态的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构，为分子动力学及其它计算机仿真技术对刃位错和螺位错垂直相接的位错线的形态及行为的精准研究创造了有利条件。

摘要： 本发明公开了一种同时综合运用错高、错层、错叠技术设计的别墅化公寓塔楼，通过对称柱及其截面为斜曲形的横梁方案，使每一单元包括100M

摘要： 本发明提供一种具有典型长颗粒形貌、富含层错和孪晶的碳化硅晶须陶瓷及其制备方法。以β‑碳化硅晶须为原料，在碳化硅晶须中加入高温液相烧结助剂Y2O3‑Al2O3‑SiO2。在高温烧结过程中，通过液相烧结助剂在压力下的流动来填充碳化硅晶须骨架之间的空隙，在实现碳化硅晶须致密化的同时，避免了晶须在高温烧结过程中的异常长大和二次再结晶，进而使得碳化硅晶须长颗粒形貌和大量孪晶、位错等微观结构在烧结得到的碳化硅陶瓷中得以保留。通过该方法得到的碳化硅陶瓷，具有结构均匀、晶须形貌保留度高、致密度高以及力学性能好等诸多优点。

摘要： 本发明公开了刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的建模方法。该方法的主要内容包括，在给定包含晶体模型原子结构信息的文件的前提下，根据拟构建的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的Burgers矢量、位错线的位置、滑移面的要求，利用C/C++语言提取文件中的晶体模型原子结构信息，自动计算出包含符合要求的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的晶体模型的原子坐标，然后按分子动力学软件能识别的文件格式输出数据到文件。本发明可方便快捷地在晶体内部指定位置直接构建指定方位、组态的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构，为分子动力学及其它计算机仿真技术对刃位错和螺位错垂直相接的位错线的形态及行为的精准研究创造了有利条件。

摘要： 本发明公开了一种同时综合运用错高、错层、错叠技术设计的别墅化公寓塔楼，通过对称柱及其截面为斜曲形的横樑方案，使每一单元包括100M

摘要： 本公开涉及一种模型错例分析方法、装置、设备及介质。其中，模型错例分析方法包括：响应于接收到对预先训练好的图像识别模型的错例获取操作，从多个验证图像样本对应的验证数据中筛选出错例图像样本对应的验证数据；显示错例展示页面；响应于接收到对预先训练好的图像识别模型的错例分析操作，基于错例展示页面所包括的页面内容，生成预先训练好的图像识别模型的错例分析结果；显示预先训练好的图像识别模型的错例分析页面。根据本公开实施例，能够直观的向用户显示错例分析结果，从而能使用户可以快速准确的获取影响该图像识别模型精准度的原因。

摘要： 本发明涉及模型错例的分析方法、装置及电子设备。该方法包括：获取错例集，错例集包括多个错判图像，多个错判图像均为基于同一模型的错判案例，模型为使用多个第一样本图像通过机器学习训练得出；提取每个错判图像的特征数据；根据特征数据，获取每个错判图像在错例集中的最相似图像，确定任意两个错判图像之间是否存在最相似关系；根据最相似关系对错例集进行聚类，得到聚类结果，聚类结果包括至少一个团簇，每个团簇对应多个错判图像。

摘要： 本实用新型公开一种防错接电路，包括第一MOS管U1、第二MOS管U2、电容C1以及电容C2；第一MOS管U1的源极作为与外接电源电连接的正接线端EXT+，第二MOS管U2的源极作为与外接电源电连接的负接线端EXT‑，第一MOS管U1的栅极与第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与外接电源电连接的地接线端EXTGND；第一MOS管U1的漏极通过电容C1与第一MOS管U1的栅极电连接，并作为与振镜电连接的正接线端V+，第二MOS管U2的漏极通过电容C2与第二MOS管U2的栅极电连接，并作为与振镜电连接的负接线端V‑，第二MOS管U2的栅极作为与振镜电连接的地接线端VGND。本实用新型可以防止因人工疏忽的电源错接导致振镜驱动板烧毁的问题。

摘要： 本实用新型提供了一种角度错装防错工装，包括工装主体，工装主体上设有互相连通的蝶形法兰孔和端盖孔，其中蝶形法兰孔用于与轮毂轴承的蝶形法兰相匹配，端盖孔用于与端盖相匹配；工装主体上还设有传感器接口孔，传感器接口孔用于与传感器接口相匹配。本实用新型的有益效果为：本实用新型提供了一种重新设计的打字工序工装，在打字过程中，由于增设了与传感器接口相匹配的传感器接口孔，可以有效识别传感器接口角度位置错装的产品，当角度错装时，不能正常打字标识，防止不合格品被流出。