关键尺寸

摘要： 总压探针结构是影响探针性能的关键因素,结构对总压系数、不敏感角大小等性能影响很大。为了研究总压探针性能的结构敏感性,制作不同类型且不同关键尺寸的总压探针,包括凸嘴型总压探针和带套型总压探针。在校准风洞上对这些探针进行总压系数校准试验,发现整流罩型探针性能最好,屏蔽罩型探针次之,凸嘴型探针性能最差。通过对比试验结果,得到了探针关键尺寸对其性能的影响规律。

摘要： 摆线减速器作为一种新型减速器,可用于火炮炮塔传动机构、工业机器人、数控机床和雷达等方面。摆线偏心轴作为摆线减速器的核心零件,被称为“摆线轨迹发生器”,决定了摆线减速器的性能,所以摆线偏心轴的加工就成为了摆线减速器的关键技术之一。为了提高摆线偏心轴的合格率,该文从摆线偏心轴的结构形式出发,阐述了摆线偏心轴在摆线齿轮相位形成中的作用,通过3层偏心台阶摆线偏心轴工程技术要求对其进行了工艺分析,制定了加工工艺流程,针对摆线偏心轴的成型设计了摆线偏心轴精加工工装,特别指出了专用工装设计中的关键点,按照编写工艺卡片进行了摆线偏心轴的加工。经实物测量,摆线偏心轴关键尺寸合格率为100%,表明了该工艺及专用工装的设计研究的有效性。

摘要： 阐述在14nm FinFET及以下工艺,由于器件需要,较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm。DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右。探讨在形成最终的关键尺寸过程中,刻蚀工艺起到至关重要的作用。通过刻蚀工艺的细致研究,不仅可以根据需求得到不同的刻蚀偏差,同时能够对关键尺寸均匀性(CD Uniformity)进行优化,从而达到芯片制造的需求。

摘要： 四轮定位参数对底盘综合性能非常关键,参数角度受实物制造过程偏差影响,因此尺寸工程需要在前期设计阶段进行角度偏差校核.定位参数角度偏差通过2D尺寸链计算比较复杂,准确率低,文章通过使用3DCS软件,介绍某车型双横臂空气悬架系统模型的定位参数仿真分析及识别建立关键尺寸的方法.

摘要： 目的:为了满足面板新型显示亚微米级检测要求,导入了线上电子显微镜系统.对该系统在面板显示中的检测能力进行研究.方法:由AOI等检测设备提供缺陷或异常的坐标,或者选择感兴趣的坐标点位(如工艺监控点),线上电子显微镜系统根据坐标将待测样品移动到SEM视野里,然后测试获得SEM图、EDX光谱、EDX元素匹配.通过系统自带算法计算得到晶粒尺寸,通过系统自带工具,测得关键尺寸.结果:实验结果表明:线上电子显微镜分辨率在纳米级别;系统的关键尺寸量测偏差在1％以内;晶粒尺寸计算结果能够反映ELA工艺变化.结论:该系统基本满足面板新型显示亚微米级检测要求.

摘要： 阐述背照式图像传感器(Backside Illumination,BSI)芯片,将硅片减薄后,在photodiode背面搭建CF及Micro Lens,光线由背面射入,增大了光电元件感光面积,减少了光线经过布线时的损失,以此可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力.在华力BSI芯片流程中,钨刻蚀工艺是影响芯片光学信号噪音(RTS)的关键步骤,其关键尺寸及氧化层厚度的稳定性决定了产品质量的稳定性.但整个钨刻蚀工艺流程极长,其中多道工序对钨塞的形貌有显著影响,且依赖钨刻蚀工艺的关键尺寸等监控参数评估其工艺稳定性,给钨刻蚀工艺线上参数的管控带来诸多影响因子.通过工艺窗口实验,线上异常数据分析等方式,系统评估了钨刻蚀工艺线上监控参数与产品质量的关系,并详细讨论了BSI钨刻蚀整段工艺流程中前道工序对钨刻蚀后线上监控参数的影响,提出了各道工艺的影响机理及其对产品质量的影响因素.数据显示当钨刻蚀工艺的关键尺寸小于60nm时晶片边缘开始出现DINU的失效,当氧化层厚度小于850?时同样有晶片边缘DINU失效的风险.另外,钨刻蚀工艺后在晶片表面存在钨残留会导致一定的产品良率损失.而在整段钨刻蚀工艺流程中,硅沟槽的湿法刻蚀、金属钨沉积和钨的研磨步骤皆会对钨刻蚀后的关键尺寸造成影响,氧化层沉积厚度会对钨刻蚀后氧化层厚度造成接近1:1的影响.量产过程中主要的良率损失均来源于关键尺寸小于60nm后的DINU失效.

摘要： 重型板式给料机的溜槽和裙板是外围非核心部件,缺乏深入的理论研究.从散体力学角度进行理论推导,得到溜槽和裙板关键尺寸的设计公式,并深入分析物料经溜槽导入裙板的运动机理,给出与速度、裙板高度相关的物料流动图形,为设计人员提供了参考.

摘要： 介绍了光刻法石墨烯的制备方法,分析了光刻工艺过后石墨烯方阻升高的不良机理,并给出了相应的优化方案.首先,根据半导体工艺研发制程完成石墨烯图案化工艺方案,并对工艺方案进行有效优化.接着,分析了石墨烯光刻法图案化后方阻升高的机理.最后,通过改善工艺方案,增加金属湿法刻蚀的步骤,解决石墨烯方阻升高的问题.实验结果表明:通过光刻法制得的石墨烯具有更高的图案精细度,关键尺寸可达到5μm.双层石墨烯膜的方阻在光刻法图案化后,通过工艺改善可以保持原始膜最初阻值约330Ω/□,甚至可以降低到270Ω/□左右.光刻法图案化石墨烯技术,既能保证石墨烯图案尺寸精度,又可以保持甚至降低石墨烯方阻值,适合于量产开发.

摘要： 本发明涉及关键图形的尺寸检测装置及尺寸检测方法，该装置包括光源、成像单元、判断单元、灰度检测单元和光调节单元；光源用于照射待检测基板；成像单元用于对待检测基板上的预设区域进行成像；判断单元用于在成像单元所采集的图像中的多个检测位置确定关键图形的尺寸值；灰度检测单元用于检测每个检测位置处的平均灰度是否在预设灰度范围之内；在存在平均灰度处于预设灰度范围之外的检测位置时，光调节单元能够调节光源照射向预设区域上对应于该平均灰度处于预设灰度范围之外的检测位置处的光线的强度，以使成像单元再次采集的预设区域的图像上的该检测位置处的平均灰度处于预设灰度范围之内。其可准确地反映出关键图形的尺寸值是否符合要求。

摘要： 本发明涉及关键图形的尺寸检测装置及尺寸检测方法，该装置包括光源、成像单元、判断单元、灰度检测单元和光调节单元；光源用于照射待检测基板；成像单元用于对待检测基板上的预设区域进行成像；判断单元用于在成像单元所采集的图像中的多个检测位置确定关键图形的尺寸值；灰度检测单元用于检测每个检测位置处的平均灰度是否在预设灰度范围之内；在存在平均灰度处于预设灰度范围之外的检测位置时，光调节单元能够调节光源照射向预设区域上对应于该平均灰度处于预设灰度范围之外的检测位置处的光线的强度，以使成像单元再次采集的预设区域的图像上的该检测位置处的平均灰度处于预设灰度范围之内。其可准确地反映出关键图形的尺寸值是否符合要求。

摘要： 本公开的实施例涉及计算机实现的零件尺寸自动标注方法及装置。该方法包括：读取待标注零件图；基于待标注零件图确定待标注零件的多个关键点；基于多个关键点利用第一神经网络模型获得待标注零件的多个候选标注点；基于多个候选标注点，利用第二神经网络模型获得待标注零件的多个匹配标注点对；基于多个匹配标注点对，在待标注零件图中，对相关的待标注零件的尺寸进行标注，获得标注后的零件图；以及基于多个匹配标注点对，构建标注关系图并且利用标注关系图检查标注后的零件图，获得检查结果。通过使用这种方法，可以通过机器学习方式自动完成零件标注中标注点的选择和匹配，实现零件线性尺寸自动标注。

摘要： 一种关键尺寸测量系统，包括电压测量单元、控制单元和关键尺寸测量单元。电压测量单元可以测量光掩模的掩模图案的电势。控制单元可以包括信息存储单元，该信息存储单元用于存储关于由电压测量单元测量的掩模图案的电势的分布信息，以及关于与光掩模的掩模图案相对应的布局图案的信息。关键尺寸测量单元可由控制单元以第一测量模式和比第一测量模式运行更短时间的第二测量模式操作，并测量掩模图案的关键尺寸。

摘要： 一种关键尺寸测量系统，包括电压测量单元、控制单元和关键尺寸测量单元。电压测量单元可以测量光掩模的掩模图案的电势。控制单元可以包括信息存储单元，该信息存储单元用于存储关于由电压测量单元测量的掩模图案的电势的分布信息，以及关于与光掩模的掩模图案相对应的布局图案的信息。关键尺寸测量单元可由控制单元以第一测量模式和比第一测量模式运行更短时间的第二测量模式操作，并测量掩模图案的关键尺寸。

摘要： 本申请公开了一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，包括：制造出具有阶梯状结构的晶圆；在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品，只需要一个晶圆即可实现该方法，简化了工艺，大大降低了成本，且节省了工艺时间。

摘要： 本申请提供了一种改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置。该方法包括：获取涂覆后烘干工艺中的晶圆表面的第一温度分布；根据第一温度分布预测曝光后烘干工艺中的第二温度分布，涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成；根据第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，并采用补偿后的曝光能量对晶圆进行曝光，以改善晶圆的关键尺寸均匀性。由于涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成，使得可以采用第一温度分布预测第二温度分布，进而根据第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，使得改善了晶圆的关键尺寸均匀性。

摘要： 本发明提供了一种关于线的关键尺寸的测量方法及带电粒子束设备，所述方法包括：提供模板图、实测图、待测量区域信息和矩形的测量框；在实测图中获取具有待测线的感兴趣区域，获取待测线的离散边缘点和边缘直线；计算旋转角、第一矢量距离和第二矢量距离，获取第二矢量距离对应的第一期望和第一方差；在所述模板图中获取参考的第二期望和第二方差；根据第一期望和第二期望的比较结果在实测图上进行测量框的移动，比较所述第一方差和第二方差以在当满足预设的迭代停止阈值时，停止移动并记录测量框在实测图中的目标位置，根据目标位置计算待测线的关键尺寸。本发明可降低定位漂移对关键尺寸测量的干扰，提高测量的可重复性和测量结果的准确性。

摘要： 本发明公开了一种获得光刻工艺关键尺寸摇摆曲线的方法包括以下步骤，准备第一掩膜版，所述第一掩膜版在制备过程中被划分为多个列，每列具有不同的透光率，透光率沿宽度方向呈现出递增趋势；准备一片测试晶圆，将所述测试晶圆划分为多个曝光区域，每个所述曝光区域为一个独立的曝光单元；光刻、曝光、显影、测量，将测量所得的光刻胶膜厚和测量所得的关键尺寸绘制成光刻工艺关键尺寸摇摆曲线。本发明在单个曝光单元获得光刻胶膜厚与关键尺寸的关系曲线，降低了测试时间和成本，并且可以通过摇摆曲线的极值点确定光刻工艺的最佳膜厚。

摘要： 本发明公开了确定1000MW级准东高钠煤锅炉炉膛关键尺寸的方法，包括如下步骤：1.根据锅炉燃煤输入热量以及对炉膛截面放热强度的要求，确定合适的炉膛宽度和深度D；2.根据锅炉燃煤输入热量以及得出的炉膛宽度和炉膛深度，结合对炉膛燃烧器区壁面放热强度的要求，得出燃烧器高度；3.根据锅炉燃煤输入热量以及得出的炉膛宽度和深度以及燃烧器高度，结合对炉膛容积热强度的要求，同时得出燃尽高度。本方法为后期1000MW级大容量高参数的准东煤机组开发提供了技术储备，从炉膛尺寸侧提高了锅炉的抗结渣和抗沾污能力。且对炉膛的宽深比作了进一步规定，对有严重结渣的准东高钠煤是非常有必要的。