公开/公告号CN114137797A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司;
申请/专利号CN202010917348.2
申请日2020-09-03
分类号G03F7/20(20060101);
代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人刘广达
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 14:23:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
公开
发明专利申请公布
机译: 确定光刻胶厚度的方法和使用确定的光刻胶厚度形成的结构
机译: 用于修改光刻胶轮廓的方法和调整关键尺寸
机译: 预曝光已图案化的光刻胶膜,以在温度回流期间实现关键尺寸的减小