BSI

摘要： 事件:PAS 1884:2021《自动车辆测试和试验中的安全操作员指导》发布内容:英国标准协会(BSI)发布了《自动车辆测试和试验中的安全操作员指导》(PAS 1884:2021)。该标准指导了如何培训安全操作员、管理安全风险和监督车辆的运行。该标准对安全操作员的全面培训包括安全操作员的责任、安全操作员的选拔要求、试验形式和对自动驾驶的适应性。

摘要： 以昆明市Landsat 8 OLI为数据源,结合地表比辐射率、大气透射率、大气亮度温度、大气平均作用温度等参数,通过覃志豪单窗算法(Mono-window Algorithm,MW法)反演昆明市地表温度,并提出五种遥感地表指数,对昆明市城市热岛效应与地表指数作回归分析,得到昆明市地表温度与五种不同指数之间的相关系数,由高到低为:土壤亮度指数(NDSI)、归一化建筑指数(NDBI)、裸土指数(BSI)、修改后的土壤调节植被指数(MSAVI)、改进归一化差异水体指数(MNDWI).

摘要： 创造力是一个集个人、团体、社会、文化相互交织的系统,因此创造力的培养也需要综合考虑。本文在融合以往创造力研究的基础上,建构了一套系统创造力培养的“蝴蝶理论”,创造力培养需要抓住核心来统领全局,同时兼顾创造力培养所需要统筹兼顾的各个部分。动力系统的激活是创造力培养的核心。新颖、适用的创造性成果的产出,需要社会文化中的个体或团体在创造性心理动力的基础上来完成。创造性心理动力有效的激活则需要一些基本条件,如在认知层面,需要具备一定的能力,如一般认知能力、思维方法的掌握、元认知以及高效的资源整合能力等;在非智力因素方面,基本心理需要的满足,个性心理的健康发展等是创造力得以发挥的必要条件,推而广之还包括:合理的社会支持、互动以及文化的包容等等。除了理论方面的整合,本文还从实践的角度分析如何激活学生的动力系统,重点分析了什么是兴趣以及如何激发个体的兴趣,因为以兴趣爱好为核心的内部动机是自主性最高的动力来源。本文从理论(创造力培养的蝴蝶理论)与实践(创造力培养的兴趣激发)两个角度为创造力培养提供了支持。

摘要： 阐述背照式图像传感器(Backside Illumination,BSI)芯片,将硅片减薄后,在photodiode背面搭建CF及Micro Lens,光线由背面射入,增大了光电元件感光面积,减少了光线经过布线时的损失,以此可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力.在华力BSI芯片流程中,钨刻蚀工艺是影响芯片光学信号噪音(RTS)的关键步骤,其关键尺寸及氧化层厚度的稳定性决定了产品质量的稳定性.但整个钨刻蚀工艺流程极长,其中多道工序对钨塞的形貌有显著影响,且依赖钨刻蚀工艺的关键尺寸等监控参数评估其工艺稳定性,给钨刻蚀工艺线上参数的管控带来诸多影响因子.通过工艺窗口实验,线上异常数据分析等方式,系统评估了钨刻蚀工艺线上监控参数与产品质量的关系,并详细讨论了BSI钨刻蚀整段工艺流程中前道工序对钨刻蚀后线上监控参数的影响,提出了各道工艺的影响机理及其对产品质量的影响因素.数据显示当钨刻蚀工艺的关键尺寸小于60nm时晶片边缘开始出现DINU的失效,当氧化层厚度小于850?时同样有晶片边缘DINU失效的风险.另外,钨刻蚀工艺后在晶片表面存在钨残留会导致一定的产品良率损失.而在整段钨刻蚀工艺流程中,硅沟槽的湿法刻蚀、金属钨沉积和钨的研磨步骤皆会对钨刻蚀后的关键尺寸造成影响,氧化层沉积厚度会对钨刻蚀后氧化层厚度造成接近1:1的影响.量产过程中主要的良率损失均来源于关键尺寸小于60nm后的DINU失效.

摘要： BSI与安徽省质标院签署战略合作BSI大中华区董事总经理张翼翔一行四人访问安徽省质量和标准化研究院双方举行了战略合作签约仪式暨BSI安徽办事处揭牌仪式。未来双方将致力于新标准在安徽省内的引进、并在食安安徽和皖美制造方面展开更多的交流与合作,让新标准的价值令更多的安徽企业受益。

摘要： 11月12日,BSI英国标准协会向上海美罗城商业管理有限公司/上海汇美房产有限公司颁发BSI英国标准协会ISO50001:2018能源管理体系认证证书。至此,美罗城、美罗大厦在ISO9001、ISO14001、ISO18001三大管理体系贯标基础上,再添新证。

摘要： 事件欧洲标准组织CEN和CENELEC批准了一项计划,确保英国脱欧后至2020年底,BSI继续保持正式会员资格。在此过渡期间,CEN和CENELEC将与BSI协调,研究确定CEN和CENELEC在2020年后的会员标准框架和BSI会员身份。同时,CEN和CENELEC将修订更新各自的章程,使其未来有能力处理类似的情况。

摘要： 目前城市桥梁检测评定已经是确定桥梁荷载能力及运行能力的重要指标,也是桥梁养护及加固设计的重要依据,而城市桥梁的检测打分及等级评定目.前只有《城市桥梁养护技术标准》[1]可以依据,本文将用某三跨钢筋混凝土连续箱梁桥为例并以2017年实施的新标准[2]为打分评定依据,深入探讨城市桥梁中打分评定中的问题。

摘要： Soil organic matter (SOM) is an important term to realize soil productivity and quality that is extremely influential on soil physical, chemical and biological processes;SOM is one of the key soil properties controlling nutrient budgets in agricultural production systems and is an important index of soil productivity. Remote sensing (RS) and Geographic Information System (GIS) techniques were used to assess organic matter in soil and determine the relationship between measures SOM in field and digital data to calculate or obtain the correlation coefficients applied to evaluate the strength and direction of the linear relationships. In this study Normalized Difference Vegetation Index (NDVI), Soil Adjusted Vegetation Index (SAVI) and Bare Soil Index (BSI) were used. The results show that the relationship between vegetation indices (NDVI, SAVI) and SOM in whole study area was (R2 = 0.19, p 2 = 0.01, p 2 = 0.13, p 2 = 0.11, p < 0.05), soil organic carbon increases with increasing NDVI and decreasing BSI. NDVI, SAVI and BSI were considered a useful index to detect the spatial distribution of SOM concentrations and mapping using remote sensing data.

摘要： 一种BSI图像传感器及其形成方法，所述形成方法包括：提供器件晶圆和承载晶圆，所述器件晶圆内具有多个图像传感器器件，相邻的图像传感器器件之间具有切割区域，且所述器件晶圆的正面具有第一键合层，所述承载晶圆的正面具有第二键合层；对所述切割区域内的第一键合层进行刻蚀以得到多个第一沟槽，和/或，对所述第二键合层进行刻蚀以得到多个第二沟槽；将所述器件晶圆的正面以及所述承载晶圆的正面键合。本发明方案可以减少键合层中的空洞，提高BSI图像传感器的品质。

摘要： 本发明实施例提供了一种用于高接合结构的具有接触通孔阵列的焊盘结构。在一些实施例中，半导体衬底包括焊盘开口。互连结构位于半导体衬底下方，并且包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列。布线层和接触通孔阵列位于ILD层中。此外，接触通孔阵列邻接布线层并且位于布线层和半导体衬底之间。焊盘开口中的焊盘覆盖接触通孔阵列，并且突出至ILD层以接触位于接触通孔阵列的相对侧上的布线层。本发明也提供了用于制造焊盘结构的方法以及具有焊盘结构的图像传感器。本发明实施例涉及用于背照式(BSI)图像传感器的焊盘结构。

摘要： 本发明涉及一种BSI图像传感器及其制作方法。所述制作方法先通过PVD工艺沉积一氮化钛层，以提供粗糙度极低的钨生长面，再采用CVD工艺沉积钨薄膜，并刻蚀所述钨薄膜和氮化钛层以形成钨光栅，由于钨生长面的平整性好，所述钨薄膜中钨晶粒较小，钨薄膜的均匀性和平整性较好，并且可以减少刻蚀过程中发生晶间腐蚀而导致钨缺失的风险，从而可以提高钨光栅的平整性，优化钨光栅形貌，有助于提升BSI图像传感器的光学性能。

摘要： 本发明提供一种通过降低晶圆翘曲度提高BSI工艺稳定性的方法；利用沉积机台在衬底上生成多层薄膜层，使得衬底的晶圆翘曲度符合光刻机台的预设范围。本发明通过调整键合氧化层和硬掩膜层来增加薄膜应力，从而有效改善晶圆翘曲度。本发明不涉及设备的更换和生产线更新，而是仅在原有设备和工艺基础上优化工艺，提高了BSI工艺窗口，工艺稳定性得到显著提升。

摘要： 本发明涉及一种BSI图像传感器。所述BSI图像传感器中，金属导线沿相应导线沟槽的延伸方向延伸，并间隔背面介质层覆盖相应所述导线沟槽的内表面，相对于在平坦表面设置金属导线的情况，可以在不需增大像素基底尺寸的情况下，降低金属导线的电阻，提升BSI图像传感器的背面金属导线的导电性能；并且，所述BSI图像传感器中，至少部分所述金属导线内设置有应力释放插槽，所述应力释放插槽贯穿相应的所述金属导线，所述应力释放插槽可以有效分担及缓释金属导线两侧的隔断槽区域的应力，减小所述隔断槽内的应力聚集，降低缺陷产生几率，有助于满足可靠性测试要求。

摘要： 本发明涉及一种BSI图像传感器装置及制作方法。所述制作方法中，在衬底背面形成凹槽和穿通孔，穿通孔从衬底背面穿通至设置于衬底正面的互连结构顶面，互连结构通过所述穿通孔中形成的导电柱和于衬底背面和凹槽内表面形成的电连接层电性引出，焊盘形成在凹槽中的电连接层上，从而焊盘与互连结构实现了电性连接。所述穿通孔的位置不设置焊盘，因而穿通孔的孔径可设置得较小，且焊盘的位置受互连结构的引出位置影响小，可根据节约衬底面积的需要设置焊盘，便于缩小焊盘对衬底面积的消耗，提高设计灵活性和实现小尺寸。所述图形传感器装置可采用所述制作方法制作。

摘要： 本发明提供一种通过调整DTI钨阻挡层厚度改善BSI RTS水平的方法，提供硅基底，在硅基底上形成深沟槽；在深沟槽中依次覆盖第一氧化层、HK介质层、第二氧化层、钨粘着层；在硅基底上沉积钨以填充深沟槽；刻蚀去除硅基底表面的钨；在填充满钨的深沟槽上表面通过PECVD的方法沉积厚度为的氧化阻挡层。显著降低了芯片RTS的整体水平，P50和P97参数改善20％以上；同时芯片白点像素和暗电流水平也大幅降低；芯片的噪声水平得到显著改善，提高了芯片良率，在相同成本下获得更多利润。

摘要： 本发明提供一种增强BSI图像传感器对抗暗电流的方法，提供基底，基底上表面具有自然氧化层；去除基底上的所述自然氧化层；利用解耦等离子体氧化法在基底上表面生长一层薄膜氧化层；该解耦等离子体氧化法在氧化过程中的温度为200～500°C；该解耦等离子氧化法利用连续脉冲的模式，并以氧气为解离气体；在薄膜氧化层上生长一层氧化铝薄膜；在氧化铝薄膜上生长一层氧化钽薄膜；在氧化钽薄膜上生长一层氧化物层。本发明利用高温生长环境以及连续脉冲模式下解耦等离子体氧化法生长的薄膜氧化层，与现有技术相比，生长相同厚度的薄膜氧化层，其薄膜表面的缺陷浓度降低，并且器件的光学电性参数暗电流降低，从而提升了界面处薄膜的质量。

摘要： 本发明提供一种BSI图像传感器及其制作方法，所述BSI图像传感器的制作方法用于在像素之间的隔离阱中形成复合隔离层，首先利用湿法蚀刻去除隔离阱内的自然氧化层，再利用低温等离子体氧化工艺形成基底氧化层并在所述基底氧化层上形成金属氧化层以填充所述隔离阱。由于利用低温等离子体氧化工艺形成的基底氧化层相较于自然氧化层更为致密，有助于后续金属氧化层的沉积，从而可以起到较佳的隔离效果，提高BSI图像传感器的光学性能。本发明提供的BSI图像传感器包括在像素之间的隔离阱中形成的复合隔离层，复合隔离层中的基底氧化层采用低温等离子体氧化形成，结构更为致密，使得隔离效果更佳。

摘要： 本发明公开了一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，包括以下步骤：刻蚀形成深沟槽隔离后淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；采用晶圆面内刻蚀速率能调节刻蚀工艺，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充。本发明可改善晶圆面内均匀性，解决晶圆边缘窗口不足的问题；采用两步移除深沟槽隔离表面金属还可以调节深沟槽隔离顶部金属尺寸，降低天线效应，降低RTS。