光刻法图案化石墨烯研究

摘要

介绍了光刻法石墨烯的制备方法,分析了光刻工艺过后石墨烯方阻升高的不良机理,并给出了相应的优化方案.首先,根据半导体工艺研发制程完成石墨烯图案化工艺方案,并对工艺方案进行有效优化.接着,分析了石墨烯光刻法图案化后方阻升高的机理.最后,通过改善工艺方案,增加金属湿法刻蚀的步骤,解决石墨烯方阻升高的问题.实验结果表明:通过光刻法制得的石墨烯具有更高的图案精细度,关键尺寸可达到5μm.双层石墨烯膜的方阻在光刻法图案化后,通过工艺改善可以保持原始膜最初阻值约330Ω/□,甚至可以降低到270Ω/□左右.光刻法图案化石墨烯技术,既能保证石墨烯图案尺寸精度,又可以保持甚至降低石墨烯方阻值,适合于量产开发.