改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置

摘要

本申请提供了一种改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置。该方法包括：获取涂覆后烘干工艺中的晶圆表面的第一温度分布；根据第一温度分布预测曝光后烘干工艺中的第二温度分布，涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成；根据第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，并采用补偿后的曝光能量对晶圆进行曝光，以改善晶圆的关键尺寸均匀性。由于涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成，使得可以采用第一温度分布预测第二温度分布，进而根据第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，使得改善了晶圆的关键尺寸均匀性。