磁记录介质

摘要： Co-llat% W films with different thicknesses （9--80 nm） were deposited on MgO （220） single crystal substrate with Cr underlayer （100 nm） by magnetron sputtering. The epitaxial growth relationship between Cr and Co-W layer is Cr（112）[117]//Co-W（1010） [ 12101 and Cr（112） [ 110 J//Co-W （1010） [ 00011. With the increasing of Co-W film thickness, the in- plane strain of Co-W layer decreases from - 0. 388 4 % to 0.271 1%, while the out-of-plane strain decreases from 0. 781 3 % to 0. 544 5 %, and the first order effective magnetic anisotropy constant K~ff decreases from 3.82 ~ 106 erg/cc to 2.58 ~ 106 erg/cc correspondingly. The results showed that the effective magnetic animtropy energy of magnetic layer can be tuned by adjusting the strain between underlayer and magnetic layer.%利用磁控溅射在250°C的MgO（220）单晶基片上先后沉积Cr（100 nm）下底层和不同厚度（9~80 nm）的Co-11%W（原子分数）磁性层,二者取向附生生长关系为Cr（112）[111]∥Co-W（1010）[1210]和Cr（112）[110]∥Co-W（1010）[0001].随着膜厚的增加,Co-W在薄膜面内的压应变（ε〈0）由-0.388 4%减小到-0.271 1%,Co-W在薄膜法线方向拉应变（ε〉0）从0.781 3%减小到0.544 5%,相应地其有效磁晶各向异性能一级常数Ke1ff由3.82×106减小到2.58×106erg/cc.该结果表明通过设计磁性层和下底层之间的应变状态,可以达到调节磁记录介质有效磁晶各向异性能的作用.

摘要： In order to control the homogeneous distribution of fine L10-FePt nano-phase in a non- magnetic matrix, it is necessary to systematically study phase diagrams of Fe-Pt-X systems. In this work, phase relationships and equilibrium phase compositions in the Fe-rich corner of the Fe- Pt-Au ternary system at 950 °C were studied by both alloying method and diffusion couple technique using X-ray diffraction and scanning electron microscopy assisted with energy dispersive spectroscopy（SEM-EDS）, thus the isothermal section of Fe-rieh corner was constructed in this system at 950 °C. The results showed that there exists a wide（y Fe ＋ aAu） and a narrow（ yFe ＋ L10-FePt）two-phase regions. The ,solubility of Au in the yFe phase increases from -4% to -15% with the addition of Pt, whereas the solubility of Fe in the aAu phase decreases rapidly. With the addition of Au, the solubility of Pt in the yFe phase decreases and the（ yFe ＋ L10-FePt） two-phase region remains unexpanded.%为了控制细小的L10-FePt纳米相均匀分布在非磁性基体中，有必要对Fe—Pt—x系的相图进行系统研究．通过合金法和扩散偶法，利用x射线衍射（XRD）、扫描电镜及能谱成分（SEM—EDS）分析确定了Fe—Pt—Au三元系950°C富Fe角处相平衡关系及各相平衡成分，从而建立了富Fe角的等温截面相图．结果表明，该等温截面存在成分范围很宽的（yFe＋aAu）两相区和成分范围很窄的（yFe＋LIn—FePt）两相区．Pt的加入使Au在7Fe中的固溶度从约4％提高到约15％（原子数分数），而大大降低了Fe在aAu中的固溶度；Au的加入使Pt在yFe中的固溶度降低，并且没有扩大（yFe＋L10-FePt）两相区．

摘要： CoCrPt casting alloy was prepared by vacuum melting method. It was quenched under three different conditions, and was hot rolled at 1000°C. The structure and morphology of alloys were investigated by means of X -ray diffraction (XRD) and scanning electronic microscopy(SEM). The results indicated that CoCrPt casting alloy consist of three phases, which are fcc εCo solid solution ,hcp εCo solid solution, and chromium oxide. The bulk proportion of hcp εCo sosoloid was raised in the quenching alloy.The rolling alloy was also composed of the same three phases.%用真空熔炼法制备得到的CoCrPt合金铸锭,采用不同淬火条件优化其相组成,采用1000°C保温50 min后热轧的工艺对其进行热加工;利用X射线衍射仪(XRD)、金相和扫描电子显微镜(SEM)分析合金的结构和形貌.结果表明:所制备的CoCrPt合金铸锭由高温相面心立方固溶体(αCo)和低温相密排六方固溶体(εCo)及氧化铬黑色颗粒3种物相组成,Cr和Pt在钴合金中主要以固溶的形式存在.淬火后的Co基合金中hcp相的体积比例明显提高.热轧后的合金也是由αaCo固溶体、εCo固溶体和氧化铬黑色颗粒3种物相组成.

摘要： 这是一种银纳米颗粒阵列模板，利用自组装法制备，银纳米颗粒的平均大小为10～500nm、密度10^8～10^12／cm^2。该方法包括如下步骤：（1）利用真空沉积薄膜设备，在基板上沉积一层均匀的银薄膜；（2）通过热退火处理使沉积的银薄膜形成离散的纳米颗粒，即可制得随机排布的银纳米颗粒阵列模板。本发明的优点：银模板采用自组装法制备，颗粒的大小和密度可由银薄膜厚度控制；制备方法简单、易于操作、成本低；银模板具有高密度、随机排布的特点，有助于磁记录介质、平面场发射器等器件产品的设计制作。

摘要： 利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响.结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性.降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650°C热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用.

摘要： 信息技术的不断发展,使人们对信息存储密度的要求不断提高.但随着记录密度的提高,单位信息位越来越小,晶粒尺寸也越来越小,磁记录介质的稳定性或抗干扰问题也引起了人们的关注.本文介绍了高密度磁记录介质的稳定性问题及研究进展,特别是利用损伤扩散方法研究高密度磁记录介质稳定性的基本思想、目前取得的主要结果、面临的问题和可能的解决办法.

摘要： Monodisperse cobalt nanoparticles with relatively high coercivities were synthesized by thermal decomposition of cobalt acetate for the application of ultra-high density magnetic recording media. Without using any reducing agent, Co nanoparticles of 13.9-21.3 nm in size were prepared using various protecting agents and a high boiling point solvent trioctylamine. The Co nanoparticles prepared with the mixture of oleic acid, oleylamine, and polyvinylpyrrolidone (PVP) showed clear crystalline structure of face centered cubic, and their coercivity was measured to be 27.2 kA/m. PVP was effective in controlling particle growth while hindering agglomeration between the particles. The as-prepared Co nanoparticles with a moderate coercivity can be applicable to patterned media.

摘要： 对于磁记录介质,记录噪声与晶粒间磁相互作用相关.ΔM是表征磁记录介质晶粒间磁相互作用的重要参数.首先介绍了它的理论依据和意义,接着阐述了通过振动样品磁强计测量样品的等温剩磁(IRM)和直流退磁剩磁(DCD)曲线,经过对测量数据的处理和计算获得ΔM曲线的方法和步骤,讨论了影响ΔM测量的相关问题.最后应用该方法测量了两种TbFeCo薄膜样品的ΔM曲线,定性比较分析了薄膜晶粒间磁相互作用的大小和类型.

摘要： 采用化学镀法制备了Co-P磁记录薄膜.当薄膜厚度为0.3μm时,矫顽力可达4.54×104A/m,剩余磁化强度为0.068T.X射线衍射分析表明,当Co-P薄膜较薄时,薄膜结构中无明显择优取向,晶粒较小,此时矫顽力较高;当厚度增加至3～4μm以上时,结构中择优取向明显,晶粒较大,此时薄膜的矫顽力较低.将其应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,制成直径Φ40mm的磁鼓,当原始充磁磁极对数为512时,脉冲计数完整,输出信号强,波形稳定.

摘要： 磁记录在过去的50年内经历了磁带、硬盘水平记录模式和垂直记录模式,其记录面密度达到～150Gbit/in~2,50年中记录面密度提高了约10~7倍。在未来5～10年内,磁记录面密度的目标是1000Gbit/in~2(即今天的6～7倍)。本演讲将从磁记录介质因素(磁晶各向异性能和磁有序诱发相分离)和记录模式两方面来评述磁记录面密度的发展过程和相关科学问题的解决、现在面,临的"瓶颈"困境以及未来的发展方向。首先从热力学的角度综述了最近几年对当前唯一可行的Co-Cr基合金介质发生的这种磁有序诱发相分离的认识和理解,通过实验证据和热力学计算来阐明该合金体系能形成纳米双相组织的成因,并解释有效合金化元素Pt、Ta、B对Co-Cr基合金薄膜提高其有效磁晶各向异性能和降低记录噪音的作用。详细分析该体系多元合金作为磁记录介质发展过程中的科学问题(磁晶各向异性能的改善、磁记录信噪比(SNR)的提高与双相组织的关系)以及目前面临的困境(超顺磁)和可能解决的方案。着重阐明未来可能的超高密度记录材料(相分离型合金Co-W和Co-Mo、有序化型合金CoPt和FePt,稀土型合金FeNdB和SmCo_5等)的研究进展和以上各种材料目前存...

摘要： 本文主要阐述了国内外高磁晶各向异性的磁记录介质薄膜材料的研究现状。目前硬盘普遍使用的是Co基合金薄膜，其磁晶各向异性较低，难以满足超高密度磁记录硬盘的要求;L10-FePt和SmCo合金薄膜均具有极高的磁晶各向异性，可以在晶粒尺寸小到3～5nm时仍保持良好的热稳定性，是极具潜力的下一代磁记录介质的首选材料。但将L10-FePt和SmCo合金薄膜应用于超高密度磁记录介质中，还需要解决很多实用化问题，例如如何实现具有综合磁学性能的薄膜、解决写入场过大等问题。

摘要： 采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)Nb/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550°C高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4﹪(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论.

摘要： 过高的有序化温度会给工业生产带来很大的困难，而且增加成本，因此降低FePt薄膜的有序化温度是FePt磁记录介质研究的一个重要方面。在FePt有序化的过程中，FePt薄膜中Fe与Pt的相对成分、FePt薄膜的厚度以及热处理条件对FePt薄膜有序化过程有重要的影响。笔者前期的工作表明，成分为Fe52Pt48薄膜具有最低的有序化温度，鉴于此，本文探讨了Fe52Pt48薄膜有序化对薄膜厚度和热处理条件的依赖关系。

摘要： 常用的磁记录介质是稀土(RE)与过渡族金属(TM)形成的非晶薄膜,其代表性材料为Sm-Co、Tb-Fe-Co合金.目前,RE-TM合金薄膜主要是采用真空蒸镀和磁控溅射等物理方法制备,这些方法存在成本高、效率低、沉积层组成不易控制等缺点.相对来说,电沉积方法沉积合金镀层有明显优势.但是,由于RE3+/RE的标准电极电势较负,致使其从水溶液中电沉积极其困难.为此,本文提出采用离子液体为电解液来电沉积RE-TM合金薄膜，研究了不同添加剂对RE-TM合金镀层外观的影响，并通过对电解液进行循环伏安曲线、极化曲线等测试，确定了Co、Fe-Co、Sm-Co、Tb-Fe-Co合金在离子液体[BMIM]BF4中的电沉积过程的控制步骤。

摘要： Co-Cr-Ta合金薄膜是一种重要的磁记录介质,目前广泛应用于磁记录领域。Co-Cr-Ta合金具有铁磁性,有高的磁导率。对于铁磁性靶材来讲,磁通密度(Pass Through Flux,简称PTF)值越高,溅射越容易起孤,溅射效率也会越高,薄膜的质量也会越好。本文讨论了不同热处理制度下Co-Cr-Ta合金微观结构和靶材表面PTF值的变化,并探讨了合金微观结构和靶材表面PTF值之间的关系。

摘要： 近十年来,垂直磁记录的研究备受关注,科技工作者不断开发出能够满足更高记录密度的记录介质.在技术上,超高密度磁记录介质要求其具有更小的颗粒尺寸、更高的矫顽力及颗粒间较小的磁交换作用.其中,具有L10结构的FePt合金颗粒薄膜由于具有非常高的磁晶各向异性能(Ku约107J/m3),是超高密度磁记录介质的理想材料. 本文利用微磁学模拟方法研究了非磁性介质Au含量对L10相FePt:Au颗粒膜的磁学性质的影响,从矫顽力、剩磁和反磁化模式方面进行了讨论;并通过与实验结果的对比研究,对反磁化机制与非磁性介质比例的依赖关系进行了探讨。

摘要： 化学镀技术应用于计算机薄膜硬磁盘的生产，可以大大提高磁盘的存储容量。非磁性的化学镀Ni-P合金沉积在经高精度抛光的铝合金基体上，再经抛光、活化后镀上一层Co-P合金。可得到经济、耐用、高速、高性能的磁记录介质层。该文介绍了薄膜硬磁盘的生产过程。重点讨论了化学前处理、非磁性Ni-P合金底层和Co-P合金磁记录介质层的技术特点与沉积性能。

摘要： 本文讨论了Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru结构的矫顽力与交换场随Ru底层与反铁磁耦合Ru层厚度变化的规律.其矫顽力(Hc)与交换场(H)随Ru底层厚度增加而增大,这是由Ru层hcp结构引起的.矫顽力与交换场在0.8nm处有峰值.就我们所知,H随Ru底层厚度显著变化,还未见报导.

摘要： 本文讨论了Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru结构的矫顽力与交换场随Ru底层与反铁磁耦合Ru层厚度变化的规律.其矫顽力(Hc)与交换场(H)随Ru底层厚度增加而增大,这是由Ru层hcp结构引起的.矫顽力与交换场在0.8nm处有峰值.就我们所知,H随Ru底层厚度显著变化,还未见报导.

摘要： 本文讨论了Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru结构的矫顽力与交换场随Ru底层与反铁磁耦合Ru层厚度变化的规律.其矫顽力(Hc)与交换场(H)随Ru底层厚度增加而增大,这是由Ru层hcp结构引起的.矫顽力与交换场在0.8nm处有峰值.就我们所知,H随Ru底层厚度显著变化,还未见报导.

摘要： 提供一种磁记录介质基板用玻璃，其为非晶态的氧化物玻璃，该非晶态的氧化物玻璃中，以摩尔％表示，SiO2含量为45～68％、Al2O3含量为5～20％、SiO2与Al2O3的总含量为60～80％、B2O3含量为0～5％、MgO含量为3～28％、CaO含量为0～18％、BaO和SrO的总含量为0～2％、碱土金属氧化物的总含量为12～30％、碱金属氧化物的总含量为3.5～15％，包含选自Sn氧化物和Ce氧化物组成的组中的至少一种，Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.05～2.00％，该非晶态的氧化物玻璃的玻璃化转变温度为625°C以上、杨氏模量为83GPa以上、比重为2.85以下、且100～300°C的平均线性膨胀系数为48×10‑7/°C以上。

摘要： 以摩尔％表示计，磁记录介质基板用玻璃的SiO2含量为56～75％，Al2O3含量为0.1～10％，Li2O含量为0～2％，Na2O和K2O的总含量为3～15％，MgO、CaO和SrO的总含量为14～35％，Ti氧化物含量为0.20～2.50％，Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.10～1.55％，Sb氧化物含量为0～0.02％，Li2O含量相对于SiO2和Al2O3的总含量的摩尔比{Li2O/(SiO2+Al2O3)}为0.02以下，且玻璃化转变温度为600°C以上。

摘要： 提供一种磁记录介质基板用或磁记录再生装置用玻璃间隔物用的玻璃，其中，Li2O、Na2O、K2O、B2O3和ZnO的总含量(Li2O+Na2O+K2O+B2O3+ZnO)为0摩尔％以上3摩尔％以下，Al2O3与MgO的总含量相对于SiO2与CaO的总含量的摩尔比[(Al2O3+MgO)/(SiO2+CaO)]为0.30以上0.6以下，SiO2与Al2O3的总含量(SiO2+Al2O3)为64摩尔％以上85摩尔％以下，并且SiO2、Al2O3、MgO和CaO的总含量(SiO2+Al2O3+MgO+CaO)为87摩尔％以上98摩尔％以下。

摘要： 提供一种磁记录介质基板用玻璃，其为SiO2含量为54摩尔％以上62摩尔％以下、MgO含量为15摩尔％以上28摩尔％以下、Li2O含量为0.2摩尔％以上、以及Na2O含量为5摩尔％以下的非晶态玻璃。

摘要： 提供一种磁记录介质基板用玻璃，其是比重为2.75g/cm3以下、玻璃化转变温度为650°C以上且杨氏模量为90GPa以上的非晶态的氧化物玻璃，该非晶态的氧化物玻璃中，SiO2含量为56～80摩尔％、Li2O含量为1～10摩尔％、B2O3含量为0～4摩尔％、MgO与CaO的总含量(MgO+CaO)为9～40摩尔％。

摘要： 根据本发明的磁记录介质玻璃基板用玻璃坯料的制造方法、和利用该制造方法的磁记录介质玻璃基板的制造方法、磁记录介质的制造方法、以及磁记录介质玻璃基板用玻璃坯料的制造装置，能够谋求改善平面度；在该磁记录介质玻璃基板用玻璃坯料的制造方法中，在使一对冲压成形模大致同时与熔融玻璃块接触后进行冲压成形从而制成板状玻璃，并在利用一对冲压成形模持续对板状玻璃进行冲压之后将板状玻璃取出，并且，对持续冲压板状玻璃的时间进行控制使得玻璃坯料的平面度达到10μm以下，其中，一对冲压成形模在水平方向上相对置而配置且冲压成形面及冲压成形面的温度实质上相同。

摘要： 提供一种磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板、磁记录介质和磁记录再生装置用玻璃间隔物。一种磁记录介质基板用玻璃，其为具有特定组成的非晶态的氧化物玻璃，该非晶态的氧化物玻璃的玻璃化转变温度为625°C以上、杨氏模量为83GPa以上、比重为2.85以下、且100～300°C的平均线性膨胀系数为48×10‑7/°C以上。

摘要： 提供一种磁记录介质基板用玻璃，其为非晶态的氧化物玻璃，该非晶态的氧化物玻璃中，以摩尔％表示，SiO

摘要： 一种用于磁记录介质的硅基底的制造方法具有以下步骤：形成通过其间的隔离物层叠的许多硅基底的层叠体，其中各硅基底具有在所述基底的中心处的圆孔；将所述硅基底的所述层叠体浸入其中颗粒悬浮的抛光液中；以及抛光所述硅基底的所述圆孔的内周端面，其中在抛光时，抛光刷接触所述端面，同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对旋转，以及在抛光期间倒转所述硅基底的所述层叠体。所述抛光所述内周端面的步骤可以在对所述硅基底的内和外周进行倒棱之后进行。优选地，所述抛光刷由聚酰胺树脂制成。

摘要： 本发明提供了一种适于在擦除磁记录介质中的数据时证实数据是否被完全擦除掉的装置和方法。通过磁场擦除磁记录介质(M)中记录的数据的记录数据擦除器包括：对供应给励磁控制部(5)以激励线圈(3)的电力的输入电压进行监视的输入电压监视器(56)，用于监视电容器的充电电压的充电电压监视器(55)，以及具有用于基于来自两个监视器的输出来通报异常的警告装置的操作检查部(57)。