垂直磁记录

摘要： 提出了一种基于响应面的磁记录写场分析方法,该方法由基于有限元电磁场分析的参数化写头模型;基于有限差分法的磁性存储介质微磁模型;基于响应法的有效写场模型3个主要模块构成,并能够有效的分析写头几何结构与存储介质对有效写场梯度产生的综合影响.利用该方法,进一步分析了面向瓦片式磁记录的非对称式写头的几何设计参数与存储介质属性对有效写场梯度的影响.分析结果表明,在本办法涉及的写头设计参数中,主磁极尾部屏蔽间隙为主要影响参数,横向屏蔽间隙为次要影响参数.此外,磁性存储介质的各项异性能密度与写头几何参数会对有效写场梯度的影响有较强的交叉作用,从而说明了写头与存储介质作为整体进行设计的必要性.%In this paper,a novel method of magnetic recording writing field analysis utilizing response surface methodology (RSM) is proposed,on the basis of which the combined influence of write head geometry and media properties can be effectively analyzed.The method is composed of three main modules:Parametric write head model based on finite element electromagnetic field analysis;Micromagnetic model of magnetic storage medium based on finite difference method;Effective write field model based on RSM.Using the method proposed,the paper further analyzes the writing performance of an asymmetrically shielded write head for shingled magnetic recording (SMR).The results show that the effective writing field (EWF) gradient is mainly subjected to the shielding trailing gap,and shielding side gap has a secondary impact.In addition,the analysis shows that the effect on EWF gradient from the anisotropy energy density of medium and the write head geometry is highly dependent,which indicates the necessity of inclusive designing.

摘要： 对一种具有三层层间磁耦合调控层的垂直磁记录介质,通过改变调控层的膜厚,磁记录层之间的磁耦合强度被有效调控,介质的静态磁特性和动态读写性能随之改变.较弱的层间磁耦合可显著改善介质的信噪比和可擦写能力,但会导致磁道宽度变宽.三层调控层的影响程度不一致,需要综合优化三层的膜厚,以获得最高的信息存储密度.层间耦合强度还会影响到介质的热稳定因子,在介质的设计过程中需要综合考虑.

摘要： 采用Lakeshore7407型振动样品磁强计,以Co-Pt垂直磁记录薄膜为例,详细介绍了垂直薄膜等温剩磁(isothermal remanent magnetization,IRM)曲线、直流退磁剩磁(direct current demagnetization remanence,DCD)曲线的测量方法和退磁因子的计算方法,并给出根据退磁场修正后的IRM和DCD曲线计算垂直磁记录薄膜曲线和开关场分布(SFD)的方法.最后详细讨论了薄膜的微观组织和易磁化轴取向分布对退磁场、交换耦合作用和SFD的影响.结果表明:退磁场的存在使得直接测量得到的晶粒间交换耦合作用偏小,开关场分布宽化；影响晶粒间交换耦合作用的内在原因是介质的微观组织和易磁化轴的取向分布.

摘要： 介绍了磁记录的几种工作方式和原理，总结了垂直磁记录对记录介质和写磁头材料性能的要求，给出了垂直磁记录材料近几年的发展状况，由分析可知：热辅助垂直磁记录技术将会使磁记录技术推向海量存储的领域。

摘要： SmCo5垂直磁化膜具有极高的单轴磁晶各异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料.本文叙述了SmCo5垂直磁记录薄膜制备的国内外发展现状,着重介绍了底层材料和结构对SmCo5垂直磁化膜微观结构和磁性能的影响,同时对今后SmCo5垂直磁记录薄膜的研究方向作了展望.

摘要： 21世纪是信息的世界，人们掌握信息量的需求越来越高。在信息存储技术中，磁存储仍然是最重要的存储技术之一。为提高磁信息存储量，就必须不断减小用于记录信息的磁性颗粒的尺寸。但当尺寸减小到一定程度时，超顺磁效应就会影响到记录的磁信息的稳定性。所以研制新型高密度磁记录技术必须要注意介质的退磁场和稳定性的影响。目前商用硬盘的磁记录技术基本都采用垂直记录技术，一般可以获得超过200Gb／in^2记录密度。介绍新近发展起来的热辅助磁记录技术和图案化介质技术原理与优势。

摘要： 随着信息量的爆炸式增长，对信息存储技术提出了越来越高的要求。在当今的各种信息存储技术中，磁存储仍然是最重要的存储技术。为了提高磁信息存储量，就必须不断减小用于记录信息的磁性颗粒的尺寸。但当尺寸减小到一定程度时，超顺磁效应就会影响到记录的磁信息的稳定性。所以研制新型高密度磁记录技术，必须兼顾介质的退磁场、信噪比和稳定性等诸多方面的因素。目前商用硬盘的磁记录技术基本都采用了垂直记录技术。垂直记录技术与纵向记录技术相比的具有显著的优势，采用垂直记录技术已经获得了超过200Gb／in2记录密度。最后本文介绍了新近发展起来的热辅助磁记录技术和图案化介质技术原理与优势。

摘要： 本文采用磁控溅射和真空后退火方法在玻璃基片上制备了L10-FePt/FePt-C/Fe梯度薄膜,采用X射线衍射仪（XRD）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的结构和磁学性能进行了研究.结果表明,通过改变薄膜中纯FePt层厚度、FePt-C层中C含量和周期数可以制备出矫顽力小、热稳定高和晶粒间交换耦合作用小的梯度薄膜.我们还通过微磁模拟揭示了梯度薄膜的磁化反转机制.%A series of L10-FePt/FePt-C/Fe graded films were successfully deposited on the glass substrates by the magnetron sputtering and vacuum post-annealing.The structures and magnetic properties were determined by X-ray diffraction（XRD） and vibrating sample magnetometer（VSM）.The results indicate that the graded film with low coercivity,high thermal stability,and weak intergranular interaction can be fabricated by adjusting the pure FePt layer thickness,C content and cycles of FePt-C layers.Moreover,the magnetization reversal mechanism is revealed by micromagnetic simulation.

摘要： 磁记录是当今信息社会主要的信息记录方式.本文综述了热辅助新型光磁混合记录介质的研究状况以及最新进展情况,重点介绍了垂直磁记录和光磁混合记录的原理和优缺点比较,并对光磁混合记录介质的发展前景进行了展望.

摘要： 由於现今垂直磁记录媒体的碟片中所使用之常用基板为玻璃基板，而玻璃基板(glass substrate)舆FeCo台金之软磁层(soft under layer)之间附着性不佳,因此本实验开发之靶材为用於提升玻璃基板与软磁层间附着力之附着层(adhesion layer)靶材CrTi。本文中主要在探讨使用热压(HP)与热均压(HIP)所制造之靶材异同，并亦探讨使用不同型态原始粉末所产生之差异。实验中以SEM分析不同制程之靶材微结构，以HCP分析靶材纯度及气体含量，并以XRD鉴定其相组成，最後再以溅镀机测试靶材镀膜时之行为表现。由实验结果显示使用热均压(HIP))制程并搭配平均粒径小於200um之Ti粉末与Cr粉末可得机械性质与溅镀行为较佳之靶材。

摘要： 随着纳米电子学的发展，磁记录存储介质作为信息的载体要求其存储面密度大幅度提高，催化了垂直磁记录技术的诞生与发展。Fe、Co、Ni等磁性金属纳米线阵列由于其特殊的一维结构其存储密度远大于传统的商业硬盘，并且与传统的存储介质相比热稳定性极好在高密度垂直磁记录领域有着潜在的应用前景。目前，利用多孔氧化铝(AAO)模板已成功合成出各种磁性金属纳米线阵列。研究表明磁性金属纳米线由于较大的长径比而展现出垂直磁各向异性，并且能够消除晶介噪声的影响。但是传统的恒压二次氧化法制备的AAO模板较薄，长径比较小，而纳米线的长径比很大程度上受限于AAO模板，因此对于制备长径比超过1000的磁性纳米线及对其磁性能影响的研究还较少，从而限制了磁性纳米线的应用。

摘要： 作为Co基合金垂直磁记录介质中广泛采用的下底层Ru薄膜的取向对控制磁性层c轴垂直薄膜生长有着重要的作用。引导层Ta对决定Ru下底层(0002)取向起到至关重要的作用,但是相对研究较少。采用磁控溅射法在cornin97059基板上沉积Co77Pt23/Ru/Ta多层薄膜,考察了Ta层的溅射功率、气压和沉积厚度等工艺参数对Ru层和Co层c轴取向及Co77Pt23层磁性能的影响。X射线结果表明,数纳米厚的Ta层可以促进Ru层的(0002)取向,进而提高磁性层c轴(0002)的取向度。在功率适当、气压较低的条件下沉积Ta,获得的Ru和Co77Pt23层均形成良好的(0002)织构,多层膜Co77Pt23/Ru/Ta表现出垂直记录特征。振动样品磁强计(VSM)测试表明,薄膜垂直取向的磁滞回线矩形比随Co77Pt23(0002)峰强的增加而增大。

摘要： 采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了(001)择优生长的FePt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征。结果表明,在每一个FePt单元层中能得到较好(001)面择优的fct相FePt合金,并且随着B4C含量的增大,薄膜的有序度提高。高分辨透射电子显微镜及其傅立叶变换表明,FePt层为具有(001)织构的fct相Fe55Pt45合金.样品的M-H曲线显示其垂直膜面方向矫顽力约为302.48kA/m；平行膜面方向矫顽力很小。

摘要： 近十年来,垂直磁记录的研究备受关注,科技工作者不断开发出能够满足更高记录密度的记录介质.在技术上,超高密度磁记录介质要求其具有更小的颗粒尺寸、更高的矫顽力及颗粒间较小的磁交换作用.其中,具有L10结构的FePt合金颗粒薄膜由于具有非常高的磁晶各向异性能(Ku约107J/m3),是超高密度磁记录介质的理想材料. 本文利用微磁学模拟方法研究了非磁性介质Au含量对L10相FePt:Au颗粒膜的磁学性质的影响,从矫顽力、剩磁和反磁化模式方面进行了讨论;并通过与实验结果的对比研究,对反磁化机制与非磁性介质比例的依赖关系进行了探讨。

摘要： 近年来,单轴型六角结构铁氧体作为高密度垂直磁存储介质引起了人们的高度重视.本文从结构相变,磁性能和温度特性三个方面,阐述了掺杂效应对改善锶铁氧体磁记录性能的影响,介绍了最近在ZnNb,LnZn和ZnCr三个系列代换研究中取得的最新成果.

摘要： 近年来,单轴型六角结构铁氧体作为高密度垂直磁存储介质引起了人们的高度重视.本文从结构相变,磁性能和温度特性三个方面,阐述了掺杂效应对改善锶铁氧体磁记录性能的影响,介绍了最近在ZnNb,LnZn和ZnCr三个系列代换研究中取得的最新成果.

摘要： 近年来,单轴型六角结构铁氧体作为高密度垂直磁存储介质引起了人们的高度重视.本文从结构相变,磁性能和温度特性三个方面,阐述了掺杂效应对改善锶铁氧体磁记录性能的影响,介绍了最近在ZnNb,LnZn和ZnCr三个系列代换研究中取得的最新成果.

摘要： 近年来,单轴型六角结构铁氧体作为高密度垂直磁存储介质引起了人们的高度重视.本文从结构相变,磁性能和温度特性三个方面,阐述了掺杂效应对改善锶铁氧体磁记录性能的影响,介绍了最近在ZnNb,LnZn和ZnCr三个系列代换研究中取得的最新成果.

摘要： 近年来,单轴型六角结构铁氧体作为高密度垂直磁存储介质引起了人们的高度重视.本文从结构相变,磁性能和温度特性三个方面,阐述了掺杂效应对改善锶铁氧体磁记录性能的影响,介绍了最近在ZnNb,LnZn和ZnCr三个系列代换研究中取得的最新成果.

摘要： 一种垂直磁记录介质，其通过退火具有较高的矫顽力，为了实现该目的，本发明提供一种制造垂直磁记录介质的方法，该垂直磁记录介质包括沉积在非磁性基底上的磁记录层，其中至少相互层叠包含Co的磁性层和扩散层，并且对所层叠的层进行退火以制成磁记录层。

摘要： 一种垂直磁记录介质，是在非磁性基板上形成有在相对于所述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层，所述记录层具有多个记录部和分离相邻的所述记录部的多个分离区域部的垂直磁记录介质，其特征在于，所述分离区域部由粒状结构的材料构成。

摘要： 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括衬底、形成在该衬底上的软磁性衬层、形成在该软磁性衬层上的磁通限制层、形成在该磁通限制层上的中间层，以及形成在该中间层上的垂直磁化膜的记录层，其中，该磁通限制层部分由多个软磁部分和形成于相邻磁道区之间的非磁性部分组成，每个软磁部分沿多个磁道区的一个磁道区形成，该中间层由非磁性材料形成，并形成为能够覆盖该软磁部分和该非磁性部分的表面。

摘要： 本发明提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金，其在室温展现低饱和磁通密度，并且具有在高温小的饱和磁通密度下降。该合金包含，按原子％计，Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn中的一种或两种以上，和余量的Co、Fe，以及不可避免的杂质，并且满足以下全部：表达式(1)0≤Fe％／(Fe％+Co％)≤0.5；表达式(2)5≤Ti％+Zr％+Hf％+V％+Nb％+Ta％+B％／2；和表达式(3)0.3≤0.813×Fe％／(Fe％+Co％)-0.062×TNM+1.751≤1.2(其中，Fe％／(Fe％+Co％)是Fe的含量与Fe和Co的总含量之间的比例；并且TNM是所加入的Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn的量的总百分数，其中，仅对于B，使用其1／2的值)。

摘要： 本发明提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金，相对于室温的饱和磁通密度，其在高温具有高饱和磁通密度。该合金包含按原子％计的：一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素；Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和B中的一种或两种以上，或／和C、Al、Si、P、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Mo、Sn和W中的一种或两种以上；以及余量的Co、Fe，以及不可避免的杂质；并且满足以下表达式的全部：(1)0.5≤TLA≤15；(2)5≤TLA+TAM；和(3)TLA+TAM+TNM≤30(其中TLA是所述一种或多种具有57至71的原子数的镧系元素的加入量的总百分数；TAM等于Y+Ti+Zr+Hf+V+Nb+Ta+B／2的加入量的总百分数，其中，仅对于B，使用其1／2的值；并且TNM等于C+Al+Si+P+Cr+Mn+Ni+Cu+Zn+Ga+Ge+Mo+Sn+W的加入量的总百分数)。

摘要： 一种垂直磁记录介质，其通过退火具有较高的矫顽力，为了实现该目的，本发明提供一种制造垂直磁记录介质的方法，该垂直磁记录介质包括沉积在非磁性基底上的磁记录层，其中至少相互层叠包含Co的磁性层和扩散层，并且对所层叠的层进行退火以制成磁记录层。

摘要： 一种垂直磁记录介质，是在非磁性基板上形成有在相对于所述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层，所述记录层具有多个记录部和分离相邻的所述记录部的多个分离区域部的垂直磁记录介质，其特征在于，所述分离区域部由粒状结构的材料构成。

摘要： 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括衬底、形成在该衬底上的软磁性衬层、形成在该软磁性衬层上的磁通限制层、形成在该磁通限制层上的中间层，以及形成在该中间层上的垂直磁化膜的记录层，其中，该磁通限制层部分由多个软磁部分和形成于相邻磁道区之间的非磁性部分组成，每个软磁部分沿多个磁道区的一个磁道区形成，该中间层由非磁性材料形成，并形成为能够覆盖该软磁部分和该非磁性部分的表面。

摘要： 本发明涉及图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器。该图案化垂直磁记录盘具有Co合金记录层，该Co合金记录层被图案化成离散的数据岛，该岛布置成同心道，该磁记录盘呈现窄的翻转场分布(SFD)。该盘包括：衬底；在该衬底上的NiTa合金平坦化层；在该平坦化层上的非磁含Ru衬层；钨氧化物Co合金磁记录层；以及在该含Ru层和该Co合金磁记录层之间的超薄氧化物膜。该氧化物膜可以是选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物，且是超薄的从而其可视为不连续膜。该平坦化层和超薄氧化物膜改善了Co合金记录层的生长均质性，从而具有数据岛的图案化盘表现出显著减小的SFD。

摘要： 本发明的实施方式提供一种抑制磁性粒子的粒径分散，具有良好的记录再生特性，能够高密度记录的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层之上形成的以与膜面垂直的方向为易磁化轴的磁记录层。基底层具有间隔1nm～20nm的距离而排列的多个凸部。磁记录层包含以顶端从基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁粒子，至少凸部侧的磁粒子被分离。