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第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

召开年：2004
召开地：天津
出版时间： 2004-05-27

主办单位：中国物理学会;中国电子学会

会议文集：第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集

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1.氮分压对铁氮膜磁性质和结构的影响
- 赵慈;姜恩永;杜洪明;吴萍
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：对向靶制备纳米多晶铁氮膜,多种因素影响着Fe-N膜的磁性质、相结构及成膜质量.本文采用透射电镜(TEM),震动样品磁强计(VSM)和X-射线衍射仪(XRD)表征膜的磁化强度和结构,研究了氮流量(N<,2>)对Fe-N膜结构、磁性质及膜中晶粒大小的影响.结果表明,在给定实验条件下,用对向靶制备可制备纳米多晶铁氮膜,氮流量不同,Fe-N膜的结构、磁性和膜中晶粒大小也不同,其中N<,2>为2.0sccm时,得到的FeN膜的晶粒分布最为均匀,大小为9.0nm;N<,2>为2.6sccm时,相对饱和磁化强度值最大;在N<,2>在1.2~2.8sccm范围内,样品中出现了FeN化合物的各个相:α′-马氏体,α″-Fe<,16>N<,2>,γ′-Fe<,4>-N,ε-Fe<,2-3>-N,ζ-Fe<,2>-N.
2.电脉冲退火下Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe复合纳米晶形成的研究
- 李晓红;高振山;李伟;张静武;李养贤;张湘义
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文采用X射线衍射技术研究了Nd<,8>Fe<,84>Co<,3>B<,5>非晶合金在电脉冲退火后α-Fe/Nd<,2>Fe<,14>B纳米晶结构的形成.结果表明,该非晶合金在电脉冲退火后形成的纳米晶的尺寸小于普通真空退火形成的晶粒尺寸.随着脉冲电压的增加,α-Fe相晶粒尺寸变化不大,其相含量的增加取决于成核的量的增加.
3.对向靶直流磁控溅射Fe-C颗粒膜的结构和磁性
- 米文博;郭磊;李志青;吴萍;姜恩永;白海力
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用对向靶直流磁控溅射法制备了Fe-C颗粒膜.X射线光电子能谱分析结果表明薄膜中的Fe原子百分比为48﹪,透射电子显微镜分析表明制备态和退火后的薄膜均具有颗粒膜形貌,退火使颗粒尺寸增大并且结晶更好.用振动样品磁强计分析了样品的磁性,分析结果表明制备态的样品均为超顺磁性,经过退火处理的样品表现为铁磁性并且矫顽力随退火温度的增加而增加.
4.多晶Nd<,1-x>Na<,x>MnO<,3>的磁性以及电子自旋共振特性
- 刘新军;姜恩永;李志青;程雅慧;李养贤;李文润;白海力
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用Pechini方法制备了Nd<,1-x>Na<,x>MnO<,3>(0.05≤x≤0.30)多晶样品,对其结构、磁性以及微磁特性进行了研究.结果表明:在77-300K温度范围内,随着温度的降低,较低Na含量的样品(0.05≤x≤0.15)发生了顺磁相到铁磁相的转变,而较高Na含量(0.20≤x≤0.30)在顺磁态中发生了电荷有序转变.
5.钒的氧化物薄膜微观结构的研究
- 潘梦霄;曹兴忠;孙建忠;王宝义;马创新;周春兰;魏龙;李养贤
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用直流磁控溅射,通过控制氧分压溅射得到取向性很好的V<,2>O<,5>薄膜,并经过退火得到VO<,2>薄膜.XRD的结果表明,在氧分压增大时V<,2>O<,5>薄膜沿c轴垂直方向取向,(001)面平行于衬底生长,并在退火后得到的VO<,2>薄膜中延续了(001)的取向.SEM照片中观察到细长呈针状的V<,2>O<,5>晶粒层层平铺于衬底,和退火后长大呈棒状的致密的VO<,2>薄膜.用傅立叶变换红外光谱分析薄膜的分子结构和薄膜的晶格转化过程.
6.高性能纳米复合永磁材料的模拟计算研究
- 张宏伟;荣传兵;张绍英;沈保根
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：我们构造了在软磁相基体中析出规则形状硬磁相的各向异性和各向同性纳米复合永磁材料Pr<,2>Fe<,14>B/-Fe.利用微磁学的有限元法,模拟计算了样品的磁滞回线.通过对剩磁、矫顽力和最大磁能积与软磁相厚度的关系的分析,我们发现软磁相厚度为0-12nm的范围内,复合磁体的矫顽力随软磁相厚度的增加而单调下降,而最大磁能积则是在适当的矫顽力和剩磁下达到最高.我们预计纳米复合Pr<,2>(Fe,Co)<,14>B/-(Fe,Co)的各向同性磁体的最大磁能积最高可达248kJ/m<'3>,而各向异性的则高达784kJ/m<'3>.
7.钴系纳米图形介质的垂直磁记录性质分析
- 王琰;朴琨;韦丹
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本论文用介质和磁头场的微磁模拟模型研究了垂直磁记录方式下纳米图形介质的数据存储性质,特别是对钴纳米颗粒磁晶各向异性场不同取向分布的影响进行了分析.针对记录面密度为100Gbit/in<'2>的系统几何参数,计算了钴材料纳米图形介质的磁滞回线,并得到了不同磁晶各向异性取向参数α与矫顽力和回线方形度的关系.对针型单极磁头的产生的磁场进行了三维模拟.为避免可能出现的2种0-1数据错误记录方式,分析了不同磁晶各向异性分布的图形磁介质最优化的数据记录条件,并在方波、三角波、梯形波的写入电流波形选择下进行了比较分析.
8.间隙原子C对LaFe<,11.7>Al<,1.3>磁性和磁熵变的影响
- 王芳;王光军;孙继荣;沈保根
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：制备了LaFe<,11.7>Al<,1.3>C<,x>(x=0-0.4)间隙化合物,研究发现,间隙原子C并不改变其原有的立方NaZn<,13>型晶体结构,但是随碳含量的增加,晶格常数单调上升.且磁基态由原来的弱反铁磁性逐渐变为铁磁态.在LaFe<,11.7>Al<,1.3>C<,0.1>中,由低温区铁磁到反铁磁相变引起的磁熵变与较高温区由反铁磁到顺磁相变引起的磁熵变叠加,在一宽温区内得到相当于Gd的大磁熵变行为.而在x>0.1的化合物中,仅由铁磁到顺磁相变引起的大磁熵变.
9.溅射MnBiAl薄膜的结构相变
- 刘何燕;孟凡斌;李养贤;王荫君
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文采用磁控溅射法制备MnBiAl薄膜,研究了其成分及沉积周期对MnBiAl结构的影响.研究结果表明在Al含量一定的情况下,只有当Mn:Bi原子比接近于1时,才能获得结构完整的NiAs型六角结构.在总厚度不变的前提下,单周期的样品在真空退火后具有比双周期样品更完整的NiAs型六角晶体结构取向性.我们发现在室温至400℃的升温过程中,溅射MnBi<,0.93>Al<,0.18>薄膜的晶格只发生了膨胀,而不存在从低温相至高温相的转变.
10.金属界面电阻和合金电阻率的第一性原理计算
- 徐鹏翔;夏钶
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文用第一性原理的方法研究了Cu/Ag, Cu/Au和Ag/ Au的界面电阻以及Cu <,x>Ag <,1-x>, Cu <,x>Au <,1-x>, Au <,x>Ag <,1-x>合金的电阻率.除了Cu-Ag系统,,本文的计算与实验测量值在定量上吻合.Cu-Ag合金中计算结果与实验测量值有较大差异.这是由于Cu-Ag合金几乎不互溶,在实验中合金组份的确定存在问题,有待更精确的实验工作.而Cu/Ag界面电阻的测量结果显示存在界面间电子的相干输运.
11.晶粒间界相对纳米Nd<,2>Fe<,14>B永磁材料有效各向异性的影响
- 冯维存;高汝伟;朱明刚;韩广兵;郑直;李卫
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：微量元素的掺杂,以及其他杂质和微结构缺陷等非磁性成分所形成的晶粒间界相,在纳米硬磁材料中起着强烈的退耦合作用.本文以纳米晶Nd<,2>Fe<,14>B永磁材料为例,采用立方体晶粒结构模型,研究了不同厚度的晶粒间界相对材料有效各向异性的影响.
12.空位含量x对La<,0.67>Sr<,0.18-x>Ag<,0.15>MnO<,3>块体材料磁电阻效应的影响
- 唐贵德;刘兴民;侯登录;刘力虎;赵旭;聂向富;禹日成;余勇;靳常青
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用溶胶-凝胶法制备了不同空位浓度的La<,0.67>Sr<,0.18-x>Ag<,0.15>MnO<,3>(x=0.00,0.03,0.05)系列粉体样品,用陶瓷工艺将粉体制备成块体.X射线衍射实验结果显示样品为单相钙钛矿结构,利用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁滞回线,以及磁化强度随温度变化的M-T曲线,分析了空位浓度对样品的居里温度Tc和磁电阻效应的影响.实验结果表明空位浓度对掺杂将样品的磁电阻有显著影响,1.8T下,La<,0.67>Sr<,0.18>Ag<,0.15>MnO<,3>样品的磁电阻在330K出现峰值,其峰值为35﹪,对于x=0.05的样品,磁电阻在333K出现峰值,其峰值40﹪.尤其是发现一个很有趣的现象:在275-310K温度范围内磁电阻基本不随温度改变而改变,从而为进一步提高类钙钛矿结构块体材料在室温附近磁电阻的温度稳定性提供了线索.虽然磁电阻的大小仅仅有9﹪.但这对于应用具有重要意义.
13.块体纳米晶复合Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe永磁体制备研究
- 岳明;田猛;王公平;刘卫强;张东涛;张久兴
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用放电等离子烧结技术制备了块体纳米复合Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe永磁材料.考查了工艺条件对磁体的磁性能和密度的影响.利用VSM、B—H回线仪、扫描电镜和XRD对其磁性能和显微组织结构进行了分析测试.结果表明,较高的烧结温度有利于磁体的致密化过程,但会造成磁体磁性能的下降,低温烧结磁体磁性能较高,但磁体密度相对有所下降.在相同的烧结温度下,升高烧结压力会使磁体磁性能和密度显著升高.此外,磁粉在烧结之后形成了一定程度的晶体C轴织构,同时显微组织观察其晶粒度略有长大,但仍然保持是纳米晶.目前磁体的最佳磁性能为:剩磁0.923T,矫顽力591.2kA/m,最大磁能积114kJ/m<'3>
14.快淬Pr(Co<,1-x>Fe<,x>)<,6.7>Zr<,0.3>纳米晶磁体的结构和磁特性
- 杜晓波;闫羽;王文全;王学凤;王向群;周向东;苏峰
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用甩带的方法制备了Pr(Co<,1-x>Fe<,x>)<,6.7>Zr<,0.3>(z=0,0.1,0.2,0.3,0.4)纳米晶条带,发现甩带是制备1:7亚稳相的有效方法.剩磁、矫顽力和磁能积随着Fe含量的增加显著提高,更多的Fe则导致矫顽力和磁能积的下降.由于晶粒尺寸为纳米尺度,晶粒间较强的交换相互作用导致了剩磁增强效应.
15.利用复合磁性层实现自旋极化电子注入半导体的磁电特性研究
- 季刚;陈延学;刘宜华;曹强;宋红强;张云鹏;颜世申;梅良模
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文利用磁控溅射的方法制备了(Co(3nm)/CoZnO(3nm)<,2>/ZnO/ CoZnO(3nm)/FeNi (3nm) <,2>)三明治结构的样品.利用铁磁金属和磁性半导体的复合结构作为磁性注入层.大大降低了磁性半导体的饱和场,获得90K下1.12﹪,室温(290K)0.35﹪的磁电阻.
16.利用光刻去胶法制备高磁电阻磁性隧道结
- 李飞飞;王天兴;丰家峰;冯玉清;王伟宁;韩秀峰
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：利用磁控溅射和光刻去胶法制备了结区面积为20×40μm<'2>的磁性隧道结(MTJ),室温下隧穿磁电阻(TMR)比值为28.7﹪,结电阻和结面积的积矢(RS)为4068Ωμm<'2>.经过退火处理后,室温磁电阻达到49.1﹪,RS为6325Ωμm<'2>,自出层的反转场为50Oe.结果表明,这种利用光刻去胶法制备的钉扎型磁性隧道结可以用于制备磁随机存储器(MRAM)的存储单元或其它磁敏传感器的探测单元.
17.纳米结构材料的隧穿磁电阻的数值模拟
- 黄志高;张凤鸣;都有为
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：基于实验结果和Monte Carlo模拟,提出了一个包含原子团磁矩的相对取向、原子团的内禀特性、库仑阻塞效应共作用的双层次模型.研究了磁电阻的温度效应和磁场效应.从模拟结果可以看到,在高温下大的MR主要起源于原子团的内在特性.
18.石榴石磁泡薄膜内第Ⅰ类哑铃畴的行为
- 刘素平;徐建萍;孙会元;唐贵德;郭革新;聂向富
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现从室温到T<,O>范围内的任一不同温度T下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H<,ip><'(1)>(T),H<,ip><'(2)>(T)],当H<,ip><'(1)>(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H<,ip><'(1)>(T)<'(2)>(T)时 ,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场H<,ip>的增大,越来越多的VBL丢失;当H<,ipH<,ip><'(2)>(T)时,VBL完全解体.面内场范围[H<,ip><'(1)>(T),H<,ip><'(2)>(T)]随温度的升高而减小,其中H<,ip><'(1)>(T),H<,ip><'(2)>(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T<,O><'(1)>和T<,O>处减小到零.
19.双钙钛矿化合物Sr<,2>FeMo<,1-x>W<,x>O<,6>的制备与磁性能研究
- 钟伟;牛晓坤;吴小玲;刘威;陈伟;都有为
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用高能球磨法制备了一系列多晶Sr<,2>FeMo<,1-x>W<,x>O<,6>(0≤x≤0.5)双钙钛矿氧化物,研究了材料的组成、结构与磁性能之间的变化关系.结果表明随着样品中W含量增加,居里温度下降,磁化强度先升后降.通过测量等温磁化曲线计算了该系列样品的磁熵变效应,表明在居里温度附近具有较大的磁卡效应.
20.双势垒磁性隧道结中自由层的动态磁结构及反转磁性质
- 韩秀峰;赵素芬;李飞飞;魏红祥;曾中明;张谢群;詹文山
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：利用磁控溅射和光刻方法在Si/SiO<,2>热氧化硅衬底上制备了双势垒磁性隧道结(DBMTJ),其结构为Ta(5)/Ni<,79>Fe<,21>(40)/Ir<,22>Mn<,78>(10)/Co<,75>Fe<,25>(4)/Al(1)-oxide/Co<,75>Fe<,25>(8)/Al(1)-oxide/Co<,75>Fe<,25>(4)/Ir<,22>Mn<,78>(10)/Ni<,79>Fe<,21>(30)/Ta(5),每层膜厚单位为纳米.结的尺寸分布在100×100~8×8μm<'2>之间.如:对一个尺寸为80×80μm<'2>的DBMTJ,观测到其在4.2K和室温下的隧穿磁电阻(TMR)、结面积和结电阻的积矢RS、自由层的反转矫顽力Hc分别为30.0﹪和22.1﹪、32.0和27.5kΩμm<'2>、201和141Oe.利用系统能量极小的微磁学计算方法,给出了当隧穿电流通过DBMTJ自由层时诱导而产生的有涡旋特征的磁畴结构.计算结果表明:这些有涡旋特征的磁畴结构的形成,是DBMTJ的TMR比值比理论预期值低的主要原因.
21.铁氮系列纳米线阵列的制备
- 许雪飞;张丽英;薛德胜
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：通过电化学沉积法和热处理,在氧化铝模板中成功制备了铁氮纳米线阵列系列.热处理过程中,氢气和氨气的比例对产物影响很大.纳米线直径约为150纳米,长度约为3微米,由直径约为50纳米的纳米颗粒组成.用振动样品磁强计对样品磁性进行了测量,发现随气氛比例的不同,纳米线磁性变化明显.
22.铁铬氰化物分子磁体纳米线阵列的制备和磁性研究
- 幺金丽;周平衡;薛德胜
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用电化学沉积方法在阳极氧化铝模板上制备了Fe<'2+>[Cr<'3+>(CN)<,6>]<,3>·H<,2>O纳米线,模板孔洞的直径和深度可以通过改变氧化电压和氧化时间来控制.透射电镜结果表明,纳米线直而且均匀.X射线衍射结果表明,纳米线为非晶结构.穆斯堡尔和红外结果表明了纳米的金属离子的氧化态可以表示为Cr<'3+>-CN-Fe<'2+>.有场冷却(FC)和零场冷却(ZFC)曲线给出了纳米线的居里温度和超顺磁转变温度.磁滞回线给出了纳米线的磁性结果.
23.铁基纳米晶合金条带在低频低场下的磁化机制的磁谱研究
- 徐锋;覃文;彭坤;都有为
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文利用磁谱研究了铁基纳米晶合金条带在低频低场下的动态磁化性能对条带厚度的依赖性,从而探讨了其磁化机制.实验结果和基于畴壁振动方程的解释充分一致,证实了被钉扎的畴壁的振动是在低频低场下该种材料的主导的磁化机制.
24.团簇对甩带Fe-Ga合金磁致伸缩的贡献
- 刘国栋;李养贤;曲静萍;代学芳;胡海宁;柳祝红;陈京兰;吴光恒
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：最近几年人们发现,在元素Fe中掺入少量非磁性元素Ga(Al)能使其磁致伸缩增加十倍以上.目前报道最大Fe-Ga合金的磁致伸缩(3/2λ<,100>)已达400qqm.相对于广泛研究的稀土磁致伸缩材料而言,Fe-Ga合金还具有良好的延展性,较低的饱和磁场和低廉的价格.目前,Fe-Ga合金已经成为磁致伸缩材料领域研究的一个热点.本工作采用甩带急冷的方法制备了Fe-Ga系列合金,在甩速为12m/s的Fe<,85>Ga<,15>合金中,发现的高达1300ppm的巨大磁致伸缩.研究表明Fe-Ga合金的巨大磁致伸缩不是由于传统磁弹性效应造成的,而是来源于合金中形成的非对称形状Ga原子团簇.
25.退火对Co掺杂La<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>的结构、电阻及磁性质影响的原位测量
- 乔培涛;赵永刚;赵振华;张晓平
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文研究了La<,0.5>Sr<,0.5>Ti<,0.93>Co<,0.07>O<,3+δ>薄膜在室温以下其结构、电输运特性和磁性质随温度的变化,发现样品在620℃附近由于吸氧使得结构发生变化,导致样品发生金属一绝缘体转变,并且样品的铁磁性消失.
- 化合物;
- CO掺杂;
- 电阻;
- 磁性;
- 退火;
26.外加直流磁场对FeNbBCu软磁纳米晶条带低频下畴壁磁化过程的影响
- 徐锋;覃文;彭坤;都有为
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文用磁谱的方法研究了直流磁场对Fe<,82>Nb<,7>B<,10>Cu<,1>软磁纳米晶条带低频下畴壁磁化过程的影响.结果显示小的纵向磁场会帮助畴壁脱离钉扎,而较大的纵向磁场会增加钉扎场,阻碍畴壁的运动.而横向直流磁场对钉扎场则没有明显的影响.
27.微结构对纳米晶永磁Pr<,2>Fe<,14>B磁性能的影响
- 贺淑莉;张宏伟;荣传兵;陈仁杰;张绍英;沈保根
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用微磁学有限元法模拟了不同晶粒形状及分布的纳米晶Pr<,2>Fe<,14>B磁体.计算结果表明,晶粒尺寸的分布能够影响纳米晶磁体的磁性能.随着晶粒尺寸D的降低,导致体系的交换作用增强,致使矫顽力下降,微结构对磁体的磁性能有着比较重要的影响.
28.液相催化沸腾回流法制备纳米Mn-Zn铁氧体研究
- 于文广;魏雨;王新;崔银芳;李养贤
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：以ZnSO<,4>·7H<,2>O、FeCI<,3>·6H<,2>O和MnSO<,4>为原料,采用液相催化沸腾回流法,回流6小时,制备出纳米锰锌体氧体,平均粒径为4.35nm.研究了反应体系的初始pH值、反应时间、浓度、催化剂等因素对制备反应的影响,并得出结论.用XRD、TEM、SEM对产物进行了表征.
29.中频脉冲磁控溅射ZnO:Al透明导电膜工艺参数对材料性能的影响
- 王雅欣;孟凡斌;薛俊明;周祯华;李养贤
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文研究了利用中频脉冲磁控溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,工作气压、靶电压、O<,2>/Ar、本底真空度等参数对材料性能的影响.通过XRD、Hall、分光光度计等方法,对制备薄膜的结构及光电特性进行分析,找到最佳的工艺参数:工作气压0.6Pa,靶电压265V,O<,2>/Ar随沉积速率改变,本底真空度尽量大.
30.纵向巨磁阻抗效应中磁化率张量的理论研究
- 王霞;郑鹉;姚建敏
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：根据文献[3]和[4]建立了铁磁层/导体层/铁磁层多层膜在纵向巨磁阻抗效应中的磁化模型.采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法,同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响,推导出用于多层膜纵向巨磁阻抗效应理论研究的磁化率张量的表达式.
31.Fe-N薄膜的结构和磁性研究
- 陈逸飞;姜恩永;李志青;白海力
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用RF磁控浅射法制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.研究了氮气分压和纯Fe衬层对Fe-N薄膜结构和磁性的影响.结果表明:当氮气分压为2×10<'-4>Torr时,最有利于α″-Fe<,16>N<,2>相的形成.在此条件下制备的FeN薄膜的饱和磁化强度高达2.735T.
32.FeZrB及FeZrBCu软磁合金薄膜的巨磁阻抗效应
- 王文静;萧淑琴;陈卫平;袁慧敏;姜山;武震宇;刘宜华;颜世申
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用射频溅射法制备了Fe<,88>Zr<,7>B<,5>、(Fe<,88>Zr<,7>B<,5>)<,0.97>Cu<,0.03>和(Fe<,88>Zr<,7>B<,5>)<,0.94>Cu<,0.04>非晶软磁合金薄膜.研究了掺杂不同原子百分比的Cu对Fe<,88>Zr<,7>B<,5>软磁合金巨磁阻抗(GMI)效应的影响,未掺Cu的Fe<,88>Zr<,7>B<,5>制备态薄膜几乎无GMI效应,而掺Cu量为3at﹪的溅态薄膜样品获得显著的GMI效应,在13MHz下,最大纵向磁阻抗比为17﹪,表明适量Cu元素的掺杂改善了Fe<,88>Zr<,7>B<,5>材料的软磁特性,因而得到如此大的GMI比.该样品经不同温度退火热处理后GMI比下降,说明(Fe<,88>Zr<,7>B<,5>)<,0.97>Cu<,0.03>薄膜材料在制备过程中形成的横向应力各向异性有利于产生较大的GMI效应.
33.La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>薄膜的晶粒尺寸对电学输运性能的影响
- 李培刚;符秀丽;王小平;张海英;陈雷明;唐为华
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用脉冲电子束沉积技术在Si(100)衬底上生长La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>薄膜.通过改变薄膜的生长温度,得到了不同颗粒度的La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>薄膜.利用扫描电镜观察获得La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>薄膜的表面形貌,并采用表面形貌仪测量了薄膜的表面粗糙度.采用标准的直流四引线法测量薄膜的电阻-温度特性.结果发现,随着薄膜生长温度升高,薄膜的颗粒变大,金属-绝缘体转变温度Tp升高.发现颗粒晶界对庞磁电阻材料的输运特性具有重要影响.
34.NiMn(Fe)Ga铁磁性形状记忆合金马氏体相变行为
- 王睿嘉;卢斌;陈小丽;王花宾
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：通过研究Ni-Mn-Ga系4种不同成分多晶样品的XRD、金相、金相和交流磁化率的马氏体相变特征,发现马氏体相变温度和居里温度对成分变化比较敏感,Ni、Mn成分的升高显著提高了马氏体相变温度和居里温度,成分的高整对马氏体相变行为有重要影响,固溶热处理工艺对马氏体相变行为也具有很大影响,可以减少马氏体相变阻力,一定程度上提高相变温度,并发现加入磁性改性元素Fe使样品马氏体相变温度降低.本实验对成分的改变和热处理工艺对材料相变温度的影响进行了研究.
35.NiO顶部和底部钉扎自旋阀的比较
- 孙亮;任远;杜军;吴小山;盛雯婷;王雅新;游彪;鹿牧;胡安
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用磁控溅射法制备了NiO顶部钉扎和底部钉扎的自旋阀.底部钉扎自旋阀的磁电阻值大约比顶部钉扎的要大30﹪,原因在于顶部钉扎自旋阀的NiO/Co界面粗糙度要比底部钉扎的大.同时我们使用XRD对两种自旋阀的结构进行了比较,发现顶部钉扎自旋阀中NiO的晶面取向要比底部钉扎的好得多.
36.permalloy/CoO和permalloy/FeMn多层膜中纵向和垂直交换偏置
- 周仕明;袁淑娟
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：对于坡莫(Py)/CoO和Py/FeMn溅射多层膜,在纵向交换偏置和垂直交换偏置中,交换偏置场和矫顽力都随着温度的升高而减小.垂直交换偏置可以在CoO/Py中产生垂直各向异性,当Py很薄时,Py/CoO多层膜变成垂直膜.
37.Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z反磁化过程的微磁学分析
- 陈仁杰;荣传兵;张宏伟;贺淑莉;张绍英;沈保根
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：通过微磁学有限元方法研究了微结构对取向的Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体磁性能的影响.计算结果表明,饱和磁极化强度与样品中2:17及1:5相的比例有关;矫顽力随着2:17相晶胞尺寸的增大而增大,随1:5胞壁相厚度的增大而减小;最大磁能积随晶界相厚度增大而减小,随晶胞尺寸增大而增大.
38.TbFe磁性薄膜的磁力显微镜(MFM)成像研究
- 周宇;王志红;陈琨
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文介绍了利用磁力显微镜(MFM)对TbFe磁性薄膜进行了不同抬举距离(60-780nm)的成像比较实验.在实验中,比较了低抬举距离(100nm以下)磁力像中样品——针尖的互相干扰.同时发现在高抬举距离磁力像中,随抬举距离增大,出现了与形貌对应的黑斑及与之相关的亮沿.亮沿随抬举距离的变化也改变着位置与强度.
39.YBa<,2>Cu<,3>O<,7>/SrTiO<,3>/Nd<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,3>结的自旋准粒子隧穿注入
- 崔旭高;张世远;杨名;曹春海;杨森祖;尤立星;吉争鸣;康琳;许伟伟
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用脉冲激光沉积法制备了Nd<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,3>膜和YBa<,2>Cu<,3>O<,7>/SrTiO<,3>/Nd<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,3>结,研究了Nd<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,3>膜的结构和磁输运性能以及YBa<,2>Cu<,3>O<,7>/SrTiO<,3>/Nd<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,3>非均匀结构的自旋准粒子隧穿注入效率随注入结窗口尺寸的变化.
40.不同处理状态下(Tb<,0.3>Dy<,0.7>)<,35>Fe<,65>磁致伸缩薄膜的结构及其磁性能
- 姜训勇;袁志好;徐惠彬
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用直流磁控溅射法使用合金靶制备了(Tb<,0.3>Dy<,0.7>)<,35>Fe<,65>薄膜.在400℃以下处理时薄膜均为非晶态.在500℃以上处理的薄膜中出现了α-Fe相.镀态薄膜呈现出垂直磁各向异性,随着基板预变形的增加,薄膜的垂直磁各向异性逐渐消失,达到一定的预变形后,薄膜没有明显的易磁化方向,这种趋势经200℃处理仍保持.经400℃处理后,所有薄膜呈现出平面磁各向异性.
41.超微Fe<,3>O<,4>颗粒磁性的Preisach研究
- 赵晶;徐静;白云;唐贵德;侯登录
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：测量了Fe<,3>O<,4>超微粒的零场冷却(ZFC)和加场冷却(FC)的磁化强度随温度的变化关系,以及不同温度下的磁滞回线.考虑热涨落和自由能壁垒随温度的变化,用Preisach模型对测量数据进行了拟合.数值模拟再现了测量结果的变化规律,其中包括各温度下的磁滞回线,不同外磁场下的ZFC/FC磁化强度曲线等.对拟合得到的巴克豪森跳跃谱的有关参数进行了讨论.
42.衬底温度对磁性Fe-N薄膜生长机制影响的研究
- 王欣;龙北红;田宏伟;于陕升;郑伟涛;于文学
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用直流磁控溅射方法,以N<,2>/Ar作为放电气体,在玻璃衬底上(衬底分别处于高温和250℃温度)沉积了Fe-N薄膜.采用X光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、超导量子干涉(SQUIDS)分析了薄膜的成分、结构及磁性性能.结果表明,当氮气流量比为10﹪(N<,2>/N<,2>+Ar)时,衬底温度对Fe-N薄膜的成分、结构及磁性性能有较大的影响.采用原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线衍射(GIXD)获得了薄漠表面形貌信息,结合动力学标度方法研究了薄膜的生长机制同衬底温度的关系.结果表明,采用磁控溅射方法制备的Fe-N薄膜动力学标度指数之间满足α+α/β=2的关系,两种衬底温度条件下得到的薄膜表面都存在一定程度的空位或孔洞,粒子有悬臂生长现象.直流磁控溅射条件下沉积的Fe-N薄膜属于KPZ生长普适类.
43.磁力显微镜中磁力信号对形貌像干扰的研究
- 陈琨;王志红
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：使用磁力显微镜(MFM)对硬磁盘、磁带以及TbFe非晶薄膜等硬磁材料进行检测磁力信号的过程中,由于针尖的磁化方向发生偏转以及仪器参数的不恰当设置,都容易使磁力信号和表面微结构信号间产生干扰.目前国内外文献中很少对干扰的消除与理论原理进行讨论.本工作针对磁力信号对形貌像产生干扰的情况进行了较深入的研究,探讨了日本精工的SPA-300HV型MFM消除干扰的实验方法.并对其原理进行了分析.
44.磁性半导体Co<,x>Ti<,1-x>O<,2>薄膜磁性和结构研究
- 葛世慧;杨建洪;王新伟;周雪云;陈学康;吴敢;王锐;杨建平
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文采用脉冲激光沉积镀膜的方法制备了磁性半导体Co<,0.06>Ti<,0.94>O<,2>薄膜样品,初步探索了制备方法和工艺条件,获得了居里点在室温以上的透明铁磁性半导体;利用x射线衍射、超导量子干涉磁强计等详细研究了薄膜的结构、磁性和电学性质,为制备有实用价值的具有优异电、磁、光性质的自旋电子学材料提供实验依据.
45.磁致伸缩/压电层状复合材料磁电系数的理论研究
- 沈仁发;万红
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：为了分析超磁致伸缩/压电复合材料的磁-机-电耦合问题,采用2-2连通型的两层模型,引入界面耦合参数κ,推导了3-1方向的磁电系数的理论表面式.定性地讨论了各相关参量对磁电系数大小的影响,发现磁电系数与界面耦合参数κ、磁致伸缩相厚度、压电系数、压磁系数成正比;而与磁致伸缩相和压电相的弹性柔度系数、压电相的厚度成反比.
46.粗糙度对自旋阀巨磁电阻的影响
- 王磊;单荣;周良成;薛菲;杨新菊;周仕明
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：在衬底(Si)/Ta/Co/Cu/Co/FeMn/Ta自旋阀中,随着铜层和铁磁层厚度的增加,GMR先增加后逐渐减少,存在最大值.实验发现自旋阀的GMR对底部铁磁层厚度的变化更加敏感,实验发现这是由于薄膜粗糙度强烈影响自旋阀的GMR.
47.大规模制备Ni<,80>Fe<,20>纳米线阵列及其磁学特性研究
- 符秀丽;李培刚;陈雷明;张海英;涂清云;唐为华
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：大规模合成磁性纳米线阵列材料在磁性器件应用研究中引起了极大兴趣.本文利用电化学沉积方法在高度有序纳米孔氧化铝模板中大规模制备了Ni<,80>Fe<,20>纳米线阵列.该方法得到的Ni<,80>Fe<,20>纳米线产量高(大约10<'12-13>/cm<'2>),而且这些纳米线阵列具有(11)择优生长取向和很高的纵横比.与其体材料相比,这些Ni<,80>Fe<,20>纳米线阵列具有增强的矫顽力和较大的剩磁化等性能,在微型磁性元件领域将具有广泛应用前景.
48.单晶Co纳米线阵列的X射线表征及其磁性研究
- 胡海宁;陈京兰;吴光恒
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文利用电化学沉积的方法在在较高的沉积电位下制备了沿[100]晶向择优取向生长的单晶Co纳米线阵列.不同的测量手段揭示了更高的沉积电位将生长出包含左旋和右旋曲扭的纳米线.基于X-射线摇摆曲线和极图的测量,我们提出了一个具有手性的曲扭模型.两个不同样品之间晶体各向异性的差别可以归结为曲扭阻碍了纳米线中畴壁的运动.另外,我们的工作还显示出纳米线的各向异性对缺陷非常敏感.
49.La<,1-⊿>MnO<,3>薄膜的缺陷对巨磁电阻效应的影响
- 冯尚申;潘国卫;焦正宽
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用溶胶—凝胶方法,用La和Mn的环烷酸盐溶液在LaAlO<,3>(100)基底上合成了La<,1-⊿>MnO<,3>薄膜(0.02<⊿<0.36)样品.阻温特性测量表明⊿>0.05时,薄膜发生了半导体到金属的转变,转变温度随着缺La量的增加而增加,最大磁转变温度在⊿=0.3附近.MR随着缺La量的增加而减少.当缺La量比较少时,大部分缺La位已被空穴所取代;但当缺La量比较大时,缺La位并没有完全被空穴所取代,而是部分分离为Mn<,2>O<,3>相,部分增加了氧缺位.
50.Co/Co<,3>O<,4>双层膜的磁性能研究
- 王雅新;王一星;田卫;徐金;李旗;胡安;鹿牧
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文利用多功能光电子能谱(XPS)和振动样品磁强计(VSM)对双层膜Co(25nm)/Co<,3>O<,4>(30nm)的磁性能进行了分析.发现在Co层和Co<,3>O<,4>层之间出现了CoO.热处理加速了Co和Co<,3>O<,4>层之间的扩散过程,改变了CoO层的厚度.面内变化角度测得的磁滞回线偏置场的最大值出现在45°,而不是0°,函数关系可以用∑bncosnφ来描述.
51.CoNbZr非晶软磁薄膜晶化动力学研究
- 蒋向东;张怀武;文歧业;钟智勇;杨争;唐晓莉
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用DSC热分析技术,结合XRD、TEM和AFM实验,对磁控溅射制备的Co<,85.5>Nb<,8.9>Zr<,5.6>非晶合金软磁薄膜,进行了变温和等温晶化动力学的研究.结果表明,升温晶化时,薄膜的晶化的表观激活能为99.82KJ/mol;局域激活能随晶化度增加;在等温晶化过程中,平均激活能为88.51KJ/mol,Avrami指数1.17~1.39,晶化行为主要是一维表面晶化,晶核长大受扩散控制的过程.
52.CoNi/FeMn双层膜的铁磁共振线宽研究
- 袁淑娟;周仕明
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：对于Co<,40>Ni<,60>(楔型,0—25nm)/FeMn(15nm)双层膜,用Landau-Lifshitz-Gilbert方程分析了out-of-plane铁磁共振谱,发现共振线宽out-of-plane角度依赖关系可用内禀吉尔伯特阻尼和磁不均匀性得到很好的描述,线宽与内禀阻尼系数α都随着CoNi层厚度的增加而减少.
53.CoPt(FePt)-C纳米复合膜的制备、结构与磁性
- 王浩;薛双喜;曹歆;王君安;杨辅军;杨尊先;胡建江;顾豪爽;赵子强;谢文发;黄世平
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用磁过滤脉冲真空电弧沉积的方法制备了CoPt(FePt)-C纳米复合薄膜,并在不同温度下进行了退火处理,研究了薄膜中碳的含量以及退火温度对薄膜结构与磁性能的影响.制备态薄膜经过足够高的温度退火后,X射线衍射以及磁力显微镜分析都发现,在碳基质中生成了fct相的CoPt(FePt)纳米颗粒.对于特定组分为Fe<,43>Pt<,35>C<,22>的薄膜,矫顽力以及颗粒尺寸都随着退火温度的升高而增加,当退火温度为650℃时,相应值分别为3.5kOe和10.5nm.
54.CoPt合金薄膜的结构和磁性能
- 杨治广;许小红
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用磁控溅射法在玻璃基片上制备了具有等原子比组成的不同厚度的CoPt薄膜.真空退火后的结果表明,膜厚对CoPt薄膜的微观结构和磁性能有着重要的影响.膜厚较薄时(δ≤15nm)有利于易磁化轴(c轴)垂直于膜面取向,从而具有高的垂直磁各向异性,500℃退火后,15nm厚的CoPt薄膜的垂直矫顽力为4.2kOe,面内矫顽力为2.3kOe.
55.Co含量对Pr<,10>Fe<,74-x>Co<,10+x>C<,4>B<,4>(x=0,2,4,6,8)快淬条带磁性能的影响
- 刘光娟;杜晓波;荣传兵;陈仁杰;张绍英;张宏伟;沈保根
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用快淬方法制备了Pr<,10>Fe<,74-x>Co<,10+x>C<,4>B<,4>(x=0,2,4,6,8)条带,研究了成分和工艺对条带磁性能的影响,实验发现,当x=2,带速是20m/s,条带的磁性能最佳,其剩磁J<,r>=0.94T,矫顽力μ<,oi>H<,c>=0.96T,最大磁能积(BH)<,max>=127.32kJ/m<'3>.通过Henkel-plot分析,发现x=2,带速为20m/s的样品中的晶间交换作用最强,因而能获得最佳的磁性能.
56.La<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,3>磁性的Preisach模拟
- 席力;葛世慧;杨啸林;李成贤;R.M.Roshko
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用溶胶-凝胶法制备了多晶La<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,3>块状样品.利用SQUID测量了样品在不同状态下的场冷却、零场冷却、等温剩磁、热剩磁曲线以及磁滞回线.得到了样品系列的技术磁化参数.用相同的一套参数,利用基于双势阱的Preisach模型再现了样品所有的磁测量曲线,得到了耗散场的大小和其分布.
57.(Fe<,3>O<,4>)<,60>(TiO<,2>)<,40>薄膜的输运性能研究
- 刘晖;郑荣坤;杜军;张西祥
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用磁控溅射法制备了Fe-Ti-O薄膜样品.XPS分析显示,样品的主要成份是Fe<,3>O<,4>和TiO<,2>,XRF给出的体积比为(Fe<,3>O<,4>)<,60>(TiO<,2>)<,40>.MPMS的测量结果表明,在低温区域样品的电阻率温度关系满足隧穿输运机制,其室温磁电阻数值为-3.8﹪,并随着温度的下降逐渐增加,2K时达到-15.2﹪.样品的正常和反常Hall系数均为负值,表明以电子为主的输运机制,室温下的载流子浓度为3.7×10<'26>m<'-3>.
58.(MnCr)12-ac单晶的宏观量子效应研究
- 何伦华;王芳卫;严启伟
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文介绍了采用水浴法制备了Mn12-ac和(Mn<,0.96>C<,r0.04>)12-ac单晶,首次获得了大体积的单晶样品,并且成功的利用过渡族金属的替代实现了对Mn12-ac分子磁体宏观量子效应的调控.经PPMS对其磁滞回线的测量,证明Cr的掺杂对磁的宏观量子效应造成了极大的影响,而且与Mn12-ac分子磁体相比(Mn<,0.96>C<,r0.04>)12-ac单晶在低场下的隧穿几率有很大的增强.
59.FePt/AlN<,n>多层膜的结构和磁学性能
- 李小丽;许小红
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用磁控溅射制备了FePt(50nm)和[FePt(2,3,5nm)/AlN(1nm)]<,n>膜,之后在550℃退火30min,研究了周期数(n)和AlN含量对[FePt/AlN]<,n>系列多层膜结构及磁学性能的影响.结果表明,多层膜的矫顽力在n=8时出现较大值;周期数的增大会引起晶粒的长大;AIN的加入不但可以抑制FePt粒子的长大,而且还能有效地降低了晶粒间交换耦合作用,并且AlN含量越大,晶粒间交换耦合作用的程度越弱.
60.CoCr/FeMn双层膜的交换偏置和矫顽力
- 单荣;林唯唯;殷立峰;田传山;桑海;周仕明
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：对于CoCr/FeMn双层膜,交换偏置场与铁磁层的厚度t<,FM>成反比例关系.与CoCr单层膜的变化趋势相同,双层膜的矫顽力随t<,FM>的增加而增加.尤其,在一定厚度范围内,CoCr/FeMn双层膜的矫顽力小于CoCr单层膜的矫顽力.上述矫顽力的变化规律与传统铁磁/反铁磁双层膜的变化规律明显不同,是由于CoCr层中两相结构造成的.
61.Co-C颗粒膜的形貌和微结构
- 米文博;李志青;吴萍;姜恩永;白海力
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用双对向靶直流磁控溅射法制备了Co<,x>C<,1-x>颗粒膜.X射线光电子能谱确定了薄膜中的Co的原子百分比x分别为30﹪,34﹪和38﹪,而且没有发现钴的碳化物.原子力显微镜的分析结果表明不同成分的制备颗粒膜的表面粗糙度均小于硅基底的表面粗糙度.从透射电镜明场像可以看出不同成分的制备态样品的形貌基本一样,而随着退火温度的升高Co颗粒长大.电子衍射图样结果表明制备态样品中Co和C均为非晶态,而退火温度增加到400℃和450℃时,薄膜由FCC的Co和石墨状的C组成.
62.Co-Pt合金纳米线阵列的制备及磁性研究
- 高铁仁;殷立峰;田传山;鹿牧;桑海;周仕明
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用阳极氧化铝模板和电化学沉积法制备了CoPt和CoPt<,3>合金纳米线阵列.利用振动样品磁强计测量了样品室温下的磁滞回线.发现CoPt<,3>纳米线阵列的矫顽力随其半径的减小而增加,CoPt纳米线阵列的矫顽力随其半径的减小而减小.
63.Co层厚度对C/Co/C纳米颗粒膜微结构和磁特性的影响
- 封顺珍;孙会元;贾连芝;于红云;高凤菊;潘成福
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文在室温下应用对靶磁控溅射法在玻璃基底上制备C/Co/C颗粒膜.C靶和Co靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式.我们用X射线衍射仪(XRD)、扫描探针显微镜(SPM)、超导量子干涉仪(SQUID)和振动样品磁强计(VSM)分析了Co层厚度的变化对沉积未退火样品的磁特性和微结构的影响.结果表明沉积的未退火样品有较弱的Co(002),(101)峰出现,磁畴粒子之间相互贯通,没有明确的边界.且随着磁性层厚度的增加,磁畴团族增大.在磁性层厚度为20nm时,矫顽力(H<,c>)达到最大值约171Oe,剩磁矩形比S为0.88.
64.Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru磁记录结构性质的研究
- 张爱国;王荫君;韩秀峰;詹文山
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文讨论了Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru结构的矫顽力与交换场随Ru底层与反铁磁耦合Ru层厚度变化的规律.其矫顽力(Hc)与交换场(H<,ex>)随Ru底层厚度增加而增大,这是由Ru层hcp结构引起的.矫顽力与交换场在0.8nm处有峰值.就我们所知,H<,ex>随Ru底层厚度显著变化,还未见报导.
65.Cu含量对FePt薄膜退火温度的影响
- 王芳;许小红
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用共溅射方法在玻璃基片上制备了(FePt)<,1-x>Cu<,x>合金薄膜,FePt合金中添加Cu可以有效降低退火温度,(FePt)<,1-x>Cu<,x>(x=19.5﹪)在350℃退火后可以使Hc″达到2.5kOe,Hc⊥达到3.5kOe左右,而纯FePt仅有几百Oe.XRD结果表明退火后形成FePtCu三元合金,FePtCu三元合金的形成可能是降低退火温度的主要原因.剩磁曲线分析表明Cu的加入不能明显降低晶粒间交换耦合作用.(FePt)<,1-x>Cu<,x>在400℃退火可以得到10<'-18>cm<'3>的磁激活体积,满足超高密度磁记录介质的要求.
66.Cu扩散对超坡塻合金软磁性能的影响
- 季勇;周丽萍;郑鹉;王艾玲;姜宏伟
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用直流磁控溅射法制备了超坡莫合金NiFeSiMoMn(20nm~200nm)单层膜、NiFeSiMoMn(20nm)/Cu(50nm)双层膜,发现NiFeSiMoMn和NiFeSiMoMn/Cu中后者的软磁性能好于前者,我们认为Cu扩散对NiFeSiMoMn的软磁性能有一定的改善.这一结果对于研究巨磁阻抗(GMI)效应具有积极的意义.
67.FeGaAsFe隧道结的磁电阻研究
- 任俊;徐鹏翔;夏钶
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文用第一性原理的方法研究了Fe|GaAs|Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与试验值吻合得很好(~2﹪).研究表明:界面无序造成很低的TMR实验值的主要原因,而不是通常人们所认为的是界面处的自旋翻转的作用.
68.Fe<,3>O<,4>薄膜的制备、磁性和电子输运特性
- 白海力;刘晖;郑荣坤;张西祥;申俊杰
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：非均匀纳米磁性体系,如反铁磁耦合的磁性多层膜<'[1]>,磁性金属—非磁金属<'[2]>、磁性金属—绝缘体颗粒薄膜<'[3-4]>和磁性隧道结<'[5]>中的巨磁电阻效应(giant magnetoresistance,GMR)的研究已经形成了一个新兴的交叉学科—磁电子学<'[6]>.
69.Fe<,3>O<,4>纳米线阵列的Verwey相变研究
- 张丽英;桂安标;许雪飞;薛德胜
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用电沉积方法结合热处理过程在阳极氧化铝模板中制备了Fe<,3>O<,4>纳米线阵列.纳米线的平均长度约为8μm,直径为120nm左右.通过用x射线和透射电镜观测发现纳米线具有多晶尖晶石结构,而且由Fe<,3>O<,4>纳米颗粒组成.在室温下,纳米线阵列表现出明显的垂直磁各向异性.测量M-T曲线以及不同温度下的磁滞回线发现,纳米线阵列的Verwey相变发生在50K,远远低于块体的相变温度(约120K).M-T曲线的变化行为可以用磁电模型来解释.
70.La<,0.7>Ce<,0.3>3、4、5MnO<,3>薄膜中的霍尔效应
- 王登京;刘光娟;熊昌民;孙继荣;沈保根
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用脉冲激光沉淀法制备了La<,0.7>Ce<,0.3>MnO<,3>薄膜,测量了霍尔效应.发现正常霍尔效应具有正的霍尔系数,说明在该体系中的载流子是空穴.
71.La<,0.8-x>Nd<,x>Na<,0.2>MnO<,3>系列样品的磁卡效应
- 白云;徐静;杜国强;侯登录
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用溶胶-凝胶法制备了La<,0.8-x>Nd<,x>Na<,0.2>MnO<,3>系列样品(x=0.00,0.05,0.10,0.15,0.20),用扫描电镜(SEM)观察了样品的形态和颗粒大小,X射线衍射显示样品为单相钙钛矿结构,利用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁化强度随温度变化的M-T曲线和起始磁化M-H曲线,分析了少量Nd离子的替代La离子,对样品的居里温度Tc和最大磁熵变△Sm的影响.其中对于La<,0.6>Nd<,0.2>Na<,0.2>MnO<,3>样品(x=0.20),在居里温度Tc~295K附近,外磁场1T下,最大磁熵变为1.68J/kg·K.这表明La<,0.8-x>Nd<,x>Na<,0.2>MnO<,3>系列样品有望作为室温区域的磁致冷工质.
72.La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>/Eu<,2>CuO<,4>/La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>磁性隧道结的制备与表怔
- 唐为华;李培刚;L.H.Li;J.Gao
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>/Eu<,2>CuO<,4>/La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的I-V特性测量,本文发现非线性的I-V特性,显示结样品的隧穿特性.有趣的是,本文发现在电极材料La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>的金属-绝缘体转变温度(T<,p>)以下,I-V曲线出现一个跳变.随着温度降低,开始出现跳动变的临界电流增大,但是跳变都发生在同样的电压下~209mV.当电流增大或减小在跳变点附近出现回滞.这一跳变只发生在铁磁金属态,表明这是一个磁性相关联的效应,可能对应一种新的磁性开关过程.虽然,目前对这一现象背后的物理机理还不清楚,但是,这一现象有可能在未来自旋电子学器件方面具有潜在的应用价值.
73.Ti<,1-x>Co<,x>O<,2>薄膜与块材的溶胶—凝胶法制备
- 胡秀坤;崔旭高;张世远
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：以钛酸丁酯(TPOT)为有机醇盐前驱体,采用溶胶—凝胶技术制备了不同成分的Ti<,1-x>Co<,x>O<,2>溶胶,并分别制备了薄膜和溶胶块材,在485℃温度下进行热处理.X射线衍射(XRD)和紫外一可见光谱(UV-vis)的测量表明:在485℃进行热处理得到锐钛矿相(Anatase);薄膜的透射率在400nm左右急速下降,吸收边缘随着钴的含量和薄膜层数的增加向长波方向移动.用振动样品磁强计(VSM)对x=0.04块材样品进行了磁性测量,结果表明溶胶-凝胶法制备的Ti<,1-x>Co<,x>O<,2>具有微弱的铁磁性,比饱和磁化强度约为0.0786emu/g.
74.TiCoO<,2>薄膜的制备与铁磁性研究
- 宋红强;陈延学;季刚;张云鹏;颜世申;刘宜华;梅良模
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：使用一种新的途径制备TiCoO<,2>薄膜.首先利用射频磁控反应溅射制备TiCoN薄膜样品.然后通过低真空氧化制得TiCoO<,2>薄膜样品.利用振动样品磁强计(VSM)测量了样品在常温下的磁特性.结果显示样品在常温下具有明显的铁磁性.其矫顽力300Oe,饱和磁化强度350emu/cm<'3>,饱和场1500Oe.利用X射线光电子能谱(XPS)分析样品的元素成分及Co元素的化合状态.确定有50﹪以上的Co原子掺入到TiO<,2>晶格中.
75.W衬底层结构对NdFeB薄膜性能的影响
- 崔艺涛;马云贵;杨正;朱明刚;郭朝晖;李卫
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文用磁控溅射的方法制备具有垂直各向异性的Nd22Fe7<,2>B<,6>/W薄膜,并研究W衬底层生成温度及衬底层厚度对NdFeB薄膜性能的影响.实验发现W衬底层有利于控制四方晶系Nd<,2>Fe<,14>B晶粒C轴沿垂直膜面方向生长,并制得具有垂直各向异性的Nd<,22>Fe<,72>B<,6>/W薄膜.最后利用Nd<,22>Fe<,72>B<,6>/W薄膜的H<,c>(θ)/H<,c>(O)随外加磁场与垂直膜面方向间夹角的变化关系,研究了薄膜的反磁化机制.实验表明Nd<,22>Fe<,72>B<,6>/W薄膜的反磁化机制是由一致转动控制的.
76.Y和Sr共掺杂La<,2/3-x>Y<,x>Ca<,1/3-y>Sr<,y>MnO<,3>的结构和输运性质研究
- 蔡宏灵;吴小山;汪风中;胡安;蒋树声
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用X射线衍射结合Rietveld精修的方法研究了La<,2/3-x>Y<,x>Ca<,1/3-y>Sr<,y>MnO<,3>(LYCSMO)的晶体结构随掺杂量的变化.结果表明,Y和Sr掺杂含量在x≤0.20范围内时只有单一正交相.a,b和c方向的晶格参数几乎保持不变,而Mn-O-Mn的键角从x=0时151.9°增加到x=0.20时的172.7°表明随着x的增加MnO<,6>八面体的对称性也增加.输运测量表明,随着掺杂浓度的增加,当x<0.10时,随着x的增加金属-绝缘体转变温度Tc减小,但随着x的进一步增加,Tc开始慢慢的增加.磁电阻与温度的依赖关系呈抛物线形,最大的磁电阻出现在x=0.08~0.10附近.我们用渗流模型得到了有关输运的物理参数随掺杂含量的变化趋势.
77.ZnO/Co纳米复合多层膜的磁特性
- 任妙娟;颜世申;季刚;陈延学;宋红强;刘宜华;张林;梅良模
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文研究了不同ZnO厚度的(ZnO/Co)<,60>纳米多层膜的磁特性和结构.发现室温下的比饱和磁化强度随ZnO厚度的增加而单调下降,矫顽力在ZnO为0.5nm附近有一极值.低温下,小的颗粒表现出铁磁性,随着温度的升高到50k,小颗粒变成超顺磁性,只有那些较大的颗粒才表现出磁性.
78.γ′(Fe<,1-x>Ni<,x>)<,4>N粉末的制备及其结构与磁性研究
- 杜洪明;吴萍;彭东阳
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用化学共沉淀和在NH<,3>/H<,2>气氛下氮化处理得到了一系列不同Ni含量的Fe-Ni-N多晶粉末.分别用X射线衍射(X-ray Diffraction XRD)和振动样品磁强计(Vibrating Sample Magentometer VSM)做了结构和磁性的测量.结果表明:要制备出单相γ′-(Fe<,1-x>Ni<,x>)<,4>N粉末与NH<,3>/H<,2>气流比、热处理温度以及时间有关.随着Ni含量的增加,材料的晶格常数逐渐减小;饱和磁化强度(Ms)随着Ni含量的增加而下降,矫顽力(Hc)的变化比较复杂.Ni含量在0.20-0.26之间较容易得到单相的γ′-(Fe<,1-x>Ni<,x>)<,4>N粉末,并且有较高的磁性.计算了Fe<,0.99>Ni<,0.01>N多晶粉末的饱和磁化强度,计算结果与实验值很接近.
79.不连续Fe<,25>Ni<,75>/SiO<,2>多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 刘春明;葛世慧;姜丽仙;寇晓明;李斌生;池俊红;王新伟;李成贤
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用射频磁控溅射技术制备了[SiO<,2>(t<,1>)/Fe<,25>Ni<,75>(t<,2>)]<,N>多层膜系列(其中t<,1>和t<,2>分别代表SiO<,2>层和Fe<,25>Ni<,75>层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO<,2>(3.3nm)/Fe<,25>Ni<,75>(t<,2>)]<,10>系统,当Fe<,25>Ni<,75>层厚度小于2.4nm时,Fe<,25>Ni<,75>层从连续变为不连续;在t<,2>=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64﹪,当温度高于180K时,1nR正比于T<'-1/2>,表明导电机制为热激发的隧穿导电;对[SiO<,2>(1.8nm)/Fe<,25>Ni<,75>(1.6nm)]<,N>系统,发现磁电阻和电导率先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.
80.不同晶体结构钴纳米线阵列的制备和磁性研究
- 王涛;任立元;孙建荣;李发伸
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：通过改变沉积液的pH值,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中用交流电化学沉积的方法制备出了不同晶体结构的钴纳米线阵列.当沉积溶液的pH值为2.5时,XRD图像表明钴纳米线阵列材料为面心立方结构(fcc);当pH值为3.0和3.5时,为面心立方(fcc)与六角密堆积(hcp)共存的结构;而当pH值为5.0时,则为六角密堆积(hcp)结构.磁测量结果表明这两种晶体结构的钴纳米线阵列具有不同的宏观磁性.在沿着纳米线长轴方向,而心立方(fcc)结构钴纳米线阵列的矫顽力比六角密堆积(hcp)结构的矫顽力高出约900×10<'3>/4πA·m<'-1>,并且具有更高的矩形比.
81.超磁致伸缩薄膜材料磁-机械强耦合特性的数值模拟
- 陈海燕;杨庆新;刘素贞;杨文荣;颜威利
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：超磁致伸缩材料的研究已有几十年的历史,其制备工艺已比较成熟,并已实现了工业化生产及应用,但超磁致伸缩薄膜器件的计算机模拟研究却鲜见报道,因此有必要开展磁致伸缩薄膜的计算机模拟工作.建立物理机制清晰、可应用于工程实际的数学模型,从而为薄膜材料的应用提供理论指导.本文以悬臂梁式薄膜为例,采用强耦合的方式建立磁场-机械场耦合问题的数值模型,并应用无网格Galerkin方法进行数值计算,并与实验值进行比较,对模型的正确性进行了验证.
82.磁性金属纳米颗粒阵列的制备与性质研究
- 闫中杰;马明;龚育;薛德胜
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：通过采用阳极氧化铝模板和电化学沉积法制备出磁性纳米颗粒阵列,对纳米颗粒的形貌和结构进行了观察和分析,得到了有效控制颗粒尺寸的实验方法.对纳米颗粒阵列的磁性进行了测量,分析了颗粒尺寸对阵列磁性的影响.
83.磁性纳米晶生长激活能的实验测定
- 李伟;李晓红;李养贤;张湘义
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用X射线衍射分析(XRD)研究了Fe-Co-Nd-Dy-B非晶合金晶化过程中α-Fe、Fe<,3>B磁性纳米晶的生长动力学.根据纳米晶生长达到饱和状态所需的时间常数t<,E>与退火温度T<,a>的关系,分别获得了软磁相α-Fe和Fe<,3>B的生长激活能:E<,8><'α-Fe>=95±2kJ/mol和E<,8><'Fe<,3>B>=133±13kJ/mol.该值远小于α-Fe和Fe<,3>B两相的表观晶化激活能:E<,c><'α-Fe>=555kJ/mol和E<,c><'Fe<,3>B>=481kJ/mol.这表明Fe-Co-Nd-Dy-B非晶合金晶化过程中α-Fe和Fe<,3>B纳米晶的形成主要由成核所控制.
84.大矫顽力FePt(Cu)-C颗粒膜的微观结构和磁性
- 米文博;刘晖;王晓姹;李志青;姜恩永;白海力
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：采用对向靶直流磁控溅法制备了FePt(Cu)-C颗粒膜.X射线光电子能谱分析结果表明制备态薄膜中的各元素均以单质形式存在,透射电子显微镜分析表明制备态样品为非晶的金属颗粒镶嵌在非晶态的碳母体中,650℃退火的样品由有序的L1<,0>结构的FePt或FePtCu颗粒镶嵌在石墨状的碳母体中.磁性测量结果表明制备态样品为超顺磁性,退火样品为铁磁性,并且退火FePtCu-C颗粒膜的面内矫顽力高达~7170Oe.
85.多孔氧化铝模板制备Co-Pb纳米线有序阵列
- 姬广斌;唐少龙;顾本喜;都有为
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用二次阳极氧化和氧化铝膜为模板,用交流电沉积的方法成功地合成了Co-Pb纳米线有序阵列.分别用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线衍射仪(XRD),差热分析仪(DTA),振动样品磁强计(VSM)对样品的结构及磁性能进行了表征测试.TEM结果表明纳米线表面光滑,高长径比;DTA测量表明在650℃样品发生相分离;VSM测量表明矫顽力和矩殂度随退火温度的升高而升高,在700℃左右达到最大值.关于这一现象的机理,本文进行了初步的探讨.
86.非晶和纳米晶丝中巨磁阻抗效应的计算模拟
- 安康;胡季帆;秦宏伟;张玲;宋鹏
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文对丝状材料中的巨磁阻抗效应进行了数值分析,计算了丝材料半径、饱和磁化强度和电阻率对磁导率和GMI效应的影响.计算结果显示,磁导率随频率的变化趋势基本与实验相符,实部单调下降,而虚部出现峰值,且两者交于峰值附近.饱和磁化强度M<,s>的增加使得磁导率增加,从而导致GMI效应的增强.而丝半径的增大和电阻率的降低则通过增强材料的趋肤效应而使得GMI增加.
87.复合型铁磁隧道结中TMR的变号行为
- 李飞飞;李正中;肖明文;胡安
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文研究了复合型磁性隧道结中隧穿磁阻(TMR)的偏压依赖理论.在数值上给出了Al<,2>O<,3>/ZrO<,2>复合型隧道结中的TMR偏压依赖的不对称特征.并对该隧道结中转变电压V<,c>的厚度依赖曲线中存在极小值的现象提出了一种可能的物理解释.
88.复相粘结磁体各成分相互作用的研究
- 常颖;马诺;李卫;喻晓军;刘长生
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文研究了双相纳米磁粉Nd<,2>Fe<,14>B/Fe<,3>B分别与RE<,2>Fe<,14>B和铁氧体磁粉复合成磁体的性能变化.磁粉复合压制成粘结磁体.通过对复合磁体剩磁Br变化的理论分析而得出磁分间的相互作用关系.实验表明在磁体中各成分磁粉间并未发生化学变化.利用这种关系,深入研究了磁体中Nd<,2>Fe<,14>B/Fe<,3>B与铁氧体磁粉间的相互作用,并得到了磁性能参数与铁氧体含量的二次函数.另外,就铁氧体对Nd<,2>Fe<,14>B/Fe<,3>B-Ferrite复合磁体jHc的温度系数β<,jHc>的影响进行了解释.随着铁氧体含量的增加,β<,jHc>和磁不可逆损失h<,irr>都相应的降低了.
89.核壳结构复合丝中的巨磁阻抗效应研究
- 安康;胡季帆;秦宏伟;张玲;宋鹏
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文对非磁导体核-磁性壳结构复合比的巨磁阻抗效应进行了模拟计算,推导了外场小于各向异性场时阻抗的表达式,计算了厚度和电导率对复合丝GMI效应的影响.计算结果表明,对一确定的导体层厚度,存在一个最佳铁磁层厚度,此时GMI效应达到最大.同时,最佳铁磁层厚度受导体层变化的影响很小,但GMI效应随着导体层厚度的变化而变化.另外,当导体层和铁磁层的电导率相差越多时,GMI效应越显著.
90.纳米Co阵列的磁化过程
- 赵素芬;韩秀峰
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：利用数值计算研究了纳米Co阵列(array)的磁反转过程.由微磁光模拟结果得知,由于相邻磁性单元之间的静磁耦合,使得纳米Co阵列的磁化行为不同于一个孤立的纳米Co单元,阵列内的每个纳米Co单元磁化行为也不尽相同.此外计算了不同尺寸的孤立的纳米Co图形(pattern)的磁化过程,反转场的计算值与实验值非常接近.
91.纳米Zn铁氧体颗粒的磁性研究
- 王丽;王建波;孙建荣;田庚方;李发伸
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用高能球磨和聚乙烯醇(PVA)溶胶-凝胶法制备出20nm的ZnFe<,2>O<,4>纳米微粉,用X射线衍射研究了Zn铁氧体纳米颗粒的结构.从4.2K到300K的变温穆斯堡尔谱发现不同方法制备得到的纳米晶的磁有序转变温度(T<,N>)不同,变温的穆斯堡尔谱研究了Fe离子在A,B位不同的分布,样品的磁性利用Quantum Design PPMS测量系统进行了测量.
92.纳米晶NiFe<,2>O<,4>铁离子占位的穆斯堡尔谱研究
- 刘锦宏;王丽;薛萍萍;王海波;孙建荣;李发伸
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：用溶胶凝胶法制备了NiFe<,2>O<,4>纳米晶粉末样品,用XRD确定了样品的晶体结构,分别在室温、80K、9K采集了样品的穆斯堡尔谱,对样品中Fe<'+3>离子在A、B两个晶位的占位情况进行了研究,结果发现随着晶粒尺寸的减小,Fe<'+3>占据A位的比例增大,出现了Fe<'+3>在A、B位的占位数比大于1:1的反常现象.
93.纳米晶永磁材料晶间交换耦合作用的模拟计算研究
- 荣传兵;张宏伟;陈仁杰;贺淑莉;张绍英;沈保根
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：利用微磁学的有限元法,模拟计算了单相和复相各向同性纳米晶磁体的起始磁化曲线、退磁曲线及其回复曲线.计算结果表明,单相和复相纳米晶磁体内部的晶间交换耦合作用强度都随晶粒尺寸的增加而降低,当晶粒尺寸过大时,复相磁体表现出两相行为.晶粒尺寸为20nm复相样品的δm(H)曲线出现了两个正峰值,分析表明,外场较小的正峰值是软磁相与硬磁相晶粒之间交换耦合作用的结果,而外场较大的正峰值是由于硬磁相与硬磁相晶粒之间的交换耦合作用造成的.
94.热处理条件对纳米复合材料Nd<,8>Fe<,87.5>B<,4.5>磁性能的影响
- 刘丽妹;王雪峰;聂丽莹;陈伟
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：单辊急冷法制备了Nd<,8>Fe<,87.5>B<,4.5>非晶薄带,经不同晶化温度、退火时间、升温速率进行晶化处理,研究了热处理条件对纳米复合材料磁性能的影响.实验结果表明,以420℃/min的升温速率当晶化温度为720℃,结晶时间为3分钟时Nd<,8>Fe<,87.5>B<,4.5>的磁性能达到Mr=797.86Gs,Hci=4238.71Oe,(BH)max=8.94MGOe.
95.溶胶凝胶法制备的纳米Ni-Zn铁氧体的磁性
- 王丽;田庚方;王海波;孙建荣;李发伸
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：利用溶胶-凝胶法制备了Ni<,0.5>Zn<,0.5>Fe<,2>O<,4>纳米颗粒.测量了它们的矫顽力随温度的变化,发现纳米颗粒的矫顽力随温度的增加而减小.我们还得到不同磁场下Ni<,0.5>Zn<,0.5>Fe<,2>O<,4>纳米颗粒的ZFC-FC曲线.穆斯堡尔谱测量证实了Ni<,0.5>Zn<,0.5>Fe<,2>O<,4>中超顺磁性的存在.
96.微波吸收用纳米铁氧体制备过程影响因素分析
- 商勇;王毓鹏;黄云霞;曹全喜;马格林
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文首先对吸波材料(RAM)的吸波机理进行了简单介绍,然后对制备纳米尖晶石型铁氧体过程中影响吸波性能的因素如温度、掺杂元素进行了实验结果讨论.得出还原温度500℃,氧化温度240℃是较佳条件;掺杂元素Ni可以大大提高材料的吸波性能,吸收率超过90﹪,Cu对提高吸波性能有一定的作用;并对它们的作用机理进行了探讨.
97.用磁控溅射法制备具有GMR效应的自旋阀多层膜
- 杨芝茵;李伟;刘华瑞;库万军
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文简单介绍了巨磁电阻(GMR)效应.在玻璃和4英寸Si片上用磁控溅射法,在高真空条件下,制备了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta的项目旋阀(spin valve)多层膜,在室温下测得的磁电阻变化率达9.42﹪,矫顽力为0.87×(10 <'3>4π)A/m.用CoFe/Ru /CoFe的SAF(sythetic antiferromagnetic)结构大大提高了自旋阀材料的交换偏置场.介绍了目前我们已研究和开发的GMR传感器.
98.用高精度天平称重法实时监测真空镀膜
- 朱洪;姜恩永;李建新;王东;李自卫;范立男
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：本文提出了利用微量天平称重的方法实时测量真空镀膜的膜厚.用天平实时测量悬挂在蒸发源上方的取样片的增重情况,就可以得到成膜厚度的信息.同时还可以得到镀膜过程中原子蒸汽密度和原子平均速度 .该方法尤其适用于蒸镀金属薄膜的测量.
99.用于制备MRAM的高磁电阻磁性隧道结
- 韩秀峰;李飞飞;王伟宁;彭子龙;赵素芬;詹文山
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：利用金属掩膜法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩膜的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co<,75>Fe<,25>为铁磁电极和1nm或0.8nm厚的铝氧化物为势垒膜,可直接制备出室温磁电阻比值为30~48的磁性隧道结.例如,一个结晶面积为100μm×100μm的磁性隧道结,其室温磁电阻达到41.5﹪,而结电阻为1.87Ω,结电阻和结面积的积矢为18.7kΩμm<'2>,自由层的偏转场为6.2Oe,并且在外加磁场4.6和6.2Oe之间时室温磁电阻比值从0.5﹪跳跃增加到33.5﹪,磁场灵敏度达到20.6﹪/Oe.
100.准二维锰氧化物(La<,0.4>Pr<,0.6>)<,1.2>Sr<,1.8>Mn<,2>O<,7>场诱导相变及电子相分离的中子散射研究
- 王芳卫;曹慧波;罗万居;A.Gukasov;F.Moussa;M.Hennion
- 《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议》 | 2004年
摘要：利用中子散射技术从微观上系统地研究了单晶(La<,0.4>Pr<,0.6>)<,1.2>Sr<,1.8>Mn<,2>O<,7>中顺磁绝缘态到外磁场诱导的铁磁金属态的一级相变.实验结果表明,顺磁绝缘态时,化合物中同时存在电荷有序团簇和自由电子团族.磁电性质由占主导地位的电荷有序态(有序极化子)控制.电荷有序团簇的尺度约为20A,团族内锰离子沿[110]方向可能形成Mn<'3+>-Mn<'4+>-Mn<'3+>-Mn<'4+>-Mn<'3+>的大周期结构.中等强度的外磁场使该电荷有序纳米团族体积缩小并消失,从而诱导出稳定的双交换铁磁金属态.