真空蒸镀

摘要： 基础核物理、核能开发、超重元素研制等领域对精确、值得信赖的核参数的需求日益增大,锕系核靶作为核数据测量实验的核心部件,其产品种类及关键质量参数的优劣直接制约核数据测量的发展水平。系统介绍了国内外锕系核靶制备及检测方法以及国内外核靶研究团队技术储备及发展方向。

摘要： 首饰表面在佩戴使用中常易黏附指纹、油污等,影响其外观效果。本文采用18K金合金首饰材料为基底,采用反应磁控溅射工艺在其表面沉积二氧化硅底膜,再用真空蒸镀法沉积有机氟化物防指纹膜。采用X射线荧光光谱分析仪检测基材的成色,采用接触角测试仪、橡皮摩擦试验仪、激光共聚焦显微镜、原子力显微镜、测色仪、耐变黄老化试验箱、人工汗液浸泡试验槽等分别检测了膜层的疏水(油)性能、表面形貌及耐摩擦性能、颜色及耐蚀性等。结果表明,在合适的工艺参数下,防指纹膜层的平均水接触角可达115°,油接触角可达110°,有优良的抗脏污效果和顺滑触感。经摩擦、腐蚀、老化等试验后,膜层的疏水自洁性能依然良好。防指纹膜不会改变首饰贵金属成色,但会对XRF检测成色的精度以及首饰外观颜色产生影响,且影响程度与镀膜工艺参数相关。因此,生产中需要从防指纹性能、成色检测保证和外观效果等方面综合权衡来优化镀膜工艺。

摘要： 随着能源和环境问题的日益严重,不需要额外消耗能量的辐射冷却技术引起了广泛关注。基于地球和宇宙的巨大温差,辐射冷却技术能够直接将热量以辐射的形式传递到外太空,不仅能够产生净冷却效果,而且避免了废热排放带来的诸多环保问题。早期研究利用涂敷法将具有辐射冷却能力的涂料刷涂在物体表面,该方法仅能实现材料的夜间降温。为了实现材料的日间辐射冷却则需要在其中引入特定结构,如多层膜结构、二维光子晶体结构、超结构等以提高它的可见近红外波段的反射率和大气窗口的发射率。然而,相关制备技术存在工艺复杂、制备成本高、难以宏量制备等局限性,严重阻碍了辐射冷却材料工程应用的推进。随着辐射冷却理论研究的深入以及更多先进制备技术的发展,制备方法和手段也越来越多样化,如真空蒸镀、微纳米加工技术、直接涂敷法、挤出成型技术、静电纺丝法等相继被报道,通过这些方法能够低成本地制备出较大面积的辐射冷却材料,进一步推动了辐射冷却材料及技术的应用。本文归纳了辐射冷却材料制备方法的研究现状,对不同制备技术的优缺点进行了对比分析。首先概述了辐射冷却常用材料及其成型方式;然后介绍了辐射冷却材料常用制备方法及各自优缺点,简述了适用于特殊材料或应用场景的制备方法;最后总结了目前辐射冷却材料制备存在的问题并展望了未来的发展方向。

摘要： 黄铜仿金饰品耐蚀性较差,且在日常佩戴中容易脏污,影响装饰效果。采用反应磁控溅射工艺在饰用黄铜表面沉积SiO;底膜,再用真空蒸镀法沉积有机氟化物防指纹膜。采用测色仪、接触角测试仪、橡皮耐磨试验机、摩擦系数仪、腐蚀试验箱等手段检测膜层颜色、疏水(油)性、耐磨性和耐蚀性。结果表明:分别控制SiO_(2)底膜镀覆时间和AF膜蒸镀时间在150 s和600 s内,初始真空度不超过4.5×10^(-3)Pa,有利于减小黄铜与纯金的色差,提高表面膜层的水(油)接触角,并改善其耐磨性和耐蚀性。在合适工艺参数下,黄铜饰品表面镀覆防指纹膜可同时获得优良的仿金效果和抗脏污效果。

摘要： 先在18KW金、黄铜或玻璃基材表面镀SiO_(2)底膜,再真空蒸镀防指纹(AF)膜。研究了SiO_(2)底膜镀覆时间和基材表面粗糙度对AF膜疏水性、疏油性、耐蚀性和耐摩擦性能的影响。结果表明,首饰金属基材不宜直接镀覆防指纹膜。随着SiO_(2)底膜镀覆时间的延长,首饰表面亮度逐渐下降,色度逐渐增大,防指纹膜的水(油)接触角先增大后减小,耐人工汗液腐蚀性能、耐酸性盐雾腐蚀性能、耐工业橡皮摩擦性能以及耐酒精绒布摩擦性能均先改善后变差,较佳的SiO_(2)底膜镀覆时间为150 s。基材表面粗糙度也会影响防指纹膜的疏水(油)性,采用240#砂纸打磨基材时所得防指纹膜的接触角显著高于采用布轮抛光时。

摘要： 以S950银、18K金等贵金属材料及钻石、黄晶、紫晶、碧玺、红宝石、合成立方氧化锆等宝石为基材,先磁控溅射SiO底膜,再真空蒸镀有机氟化物防指纹(AF)膜。考察了镀AF膜对珠宝首饰多项性能检测的干扰作用。结果表明,AF膜对首饰基材和宝石的颜色以及贵金属成色的X射线荧光(XRF)检测结果有轻微影响,对热导率、折射率、紫外荧光反应、红外光谱、拉曼光谱等宝石学性能检测无明显干扰。

摘要： 真空蒸镀设备作为有机发光二极管(OLED)面板制程的“心脏”,目前完全依赖进口。该文简述真空蒸镀工艺原理及蒸镀设备中钽蒸发源的国内现状,分析制约我国真空蒸镀设备中钽蒸发源发展的关键因素,如钽材纯度、钽蒸发源加工及钽材焊接等,指出,目前高纯度钽材的生产、复杂形状的钽蒸发源成形及有效的焊接方法成为国内制造真空蒸镀设备用钽蒸发源急需突破的技术壁垒。

摘要： 先采用反应磁控溅射工艺在无色的合成立方氧化锆(SCZ)表面沉积SiO_(2)底膜,再采用真空蒸镀法镀覆有机氟化物防指纹表面膜,检测对比了SCZ镀膜前后的宝石学性质。结果表明,在优化工艺条件下,SCZ镀膜后的水接触角可达110°以上,显示了优良的抗脏污性能。经颜色、折射率、热导率、紫外荧光、红外光谱、拉曼光谱等检测,除SCZ颜色受到轻微影响外,未发现镀膜对其他宝石学性质的检测结果有干扰作用。

摘要： 各种真空蒸镀膜所需要的加工工艺不同,得到的各种真空蒸镀膜从外观到性能都各不相同。本文介绍了蒸镀氧化铝、氧化硅及同时蒸镀氧化铝和氧化硅两种物质的蒸镀膜生产工艺及产品性能特点。

摘要： 为提升聚丙烯薄膜击穿场强,将氧化铝蒸镀在聚丙烯薄膜表面,形成复合介质薄膜.将蒸镀氧化铝的薄膜进行金属化蒸镀,制成电容器,并对其性能进行测试,结果表明虽然复合薄膜的相对介电常数无明显变化,但电容器的击穿场强上升.复合薄膜电容器具有良好的自愈性能,可实现"隔离自愈",可有效地防止由于出现超限自愈而导致的电容器短路击穿.

摘要： 利用真空镀膜机先在高密度聚乙烯（HDPE）基材上真空蒸镀上一层SiOx薄膜，然后在其上蒸镀上抗菌剂-金属银，从而制备得到具有复合镀层的HDPE基抗菌复合膜（Ag/HDPE），并考察了过渡镀层SiOx对Ag/HDPE复合膜的力学性能、阻隔性能及抗菌性能的影响。结果发现，复合膜中Ag的含量为2.886ug/cm2，复合镀层中的过渡镀层（SiOx）在不影响复合膜的力学和阻隔性能的条件下，对无机Ag镀层与HDPE基材间附着力的提高非常有效。此外抗菌结果表明，Ag/HDPE复合膜对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌均具有非常优异的抗菌性，且过渡镀层SiOx对复合膜的抗菌性有一定的增益作用。

摘要： 采用DMD-450真空镀膜仪将Al65Cu20Fe15准晶粉末沉积在Q235钢表面制备薄膜。研究了二氧化铈对薄膜的组织和结构的影响。采用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析了薄膜的组织结构和表面形貌.利用纳米压痕仪(MTS)测试了薄膜的显微硬度和弹性模量。结果表明：通过准晶粉末真空蒸镀可以形成准晶薄膜。其组成相有CuAl2,AlCu3and I(Al65Cu20Fe15)相等。薄膜的成分取决于制备工艺.二氧化铈对薄膜的结构没有产生明显的影响。但是薄膜的显微硬度和弹性模量随二氧化铈添加量的增加而提高。当二氧化铈添加量为5％(质量分数)时,薄膜的显微硬度达到9.0GPa,弹性模量最高达到190 GPa.此外,二氧化铈的添加明显增加了薄膜的耐蚀性能。

摘要： 利用聚苯乙烯(PS)微米球模板技术来制备表面增强红外基底,首先在氟化钙窗片表面自组装一层PS小球,并真空蒸镀银金属.接着除掉PS小球及其顶端的银膜之后,即可在氟化钙表面制备有序的银三角阵列结构.用光学显微镜和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对制备的银三角阵列基底进行了表征.结果表明,其表面等离子激元吸收在中红外波段.

摘要： 采用真空蒸镀方法制各金属Zn膜，在不同磁场强度(0 T-8 T)条件下高温氧化金属Zn膜生长了ZnO纳米线，用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌，用x射线衍射方法(XRD)研究了样品的晶体结构，分析表明磁场对ZnO纳米线的形貌有影响。用室温光致发光谱(PL)研究了ZnO纳米线的光谱性质，结果表明ZnO纳米线的绿光发射与制各样品时磁场强度相关。论文研究表明在磁场条件下制备的ZnO纳米线，其形貌和发光性质都受到制备条件的影响。

摘要： 设计了一种具有一维光子晶体结构的倒装型白光发光二极管(LED)，此结构适用于荧光转换类(PC)白光LED。利用真空蒸镀和离子辅助成膜(IAD)方式，将高折射率材料和低折射率材料交替的一维光子晶体(1-D PhC)结构镀在LED芯片出光面上，通过提高界面封装介质或荧光粉的反射，极大地提高外量子效率。给出了膜系结构和透射光谱。模拟分析证明，此结构可以改善LED的出光效率、色坐标和色温。

摘要： 常用的磁记录介质是稀土(RE)与过渡族金属(TM)形成的非晶薄膜,其代表性材料为Sm-Co、Tb-Fe-Co合金.目前,RE-TM合金薄膜主要是采用真空蒸镀和磁控溅射等物理方法制备,这些方法存在成本高、效率低、沉积层组成不易控制等缺点.相对来说,电沉积方法沉积合金镀层有明显优势.但是,由于RE3+/RE的标准电极电势较负,致使其从水溶液中电沉积极其困难.为此,本文提出采用离子液体为电解液来电沉积RE-TM合金薄膜，研究了不同添加剂对RE-TM合金镀层外观的影响，并通过对电解液进行循环伏安曲线、极化曲线等测试，确定了Co、Fe-Co、Sm-Co、Tb-Fe-Co合金在离子液体[BMIM]BF4中的电沉积过程的控制步骤。

摘要： 不同的成膜方式、成膜条件对有机半导体材料薄膜特性有很大的影响。比较了真空蒸镀和采用熔融猝冷制备的N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphcnyl)bcnzidine(TPD)薄膜,熔融猝冷所得的TPD薄膜具有更好的热稳定性和更高的迁移率,而且熔融猝冷TPD迁移率随电场变化很小。讨论了真空沉积的并五对真空沉积的并五苯薄膜,在惰性氛围中将其退火,也观察到晶粒结合更紧密,提高场效应晶体管的性能。

摘要： 减反膜在现代光学薄膜生产中占有十分重要的地位，其研究依赖于制备工艺。本文结合近几年来国内外的研究现状，叙述了几种不同的减反膜制备方法，分析了各种制备方法的工艺特点以及各自的优缺点，如真空蒸镀、溅射镀和溶胶-凝胶等，提出了相应的改进方法，并分析了这些工艺在减反膜制备中的应用前景。

摘要： 采用DMD-450真空镀膜仪将Al65Cu20Fe15准晶粉末通过在A3钢表面制备薄膜.通过改变工艺参数,获得了不同特性的薄膜.用透射电镜、扫描电镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)等对薄膜的组织结构和性能进行了分析.试验结果表明:薄膜呈现分层结构,由CuAl2等相组成.另外,薄膜的相组织中含有Al65Cu20Fe15准晶相.延长蒸镀时间,薄膜厚度会相应地增大,硬度提高;提高电流,薄膜厚度会相应地增大,硬度提高.

摘要： 本文采用激光烧蚀技术在真空蒸镀的TPDC单体薄膜上沉积金属纳米粒子,并且研究了金属纳米粒子的尺寸、种类等对TPDC开环聚合反应的影响.

摘要： 本发明提供一种通用性好，维护性佳的蒸镀单元。本发明的蒸镀单元(VU)，其具有：收纳蒸镀物质(Vm)的收纳箱(3)；以及加热收纳箱内的蒸镀物质的加热装置(4)；在收纳箱的一面上形成释放因加热而升华或气化了的蒸镀物质的释放开口(34c)，蒸镀单元还具有移动装置(5)，其设置在一面开口的容置室(30)内，以朝容置室的开口的方向为上，以使释放开口的位相与该开口相一致的姿态将蒸镀单元设置在容置室内，所述移动装置使蒸镀单元在上下方向上进退。

摘要： 本发明提供一种通用性好，维护性佳的蒸镀单元。本发明的蒸镀单元(VU)，其具有：收纳蒸镀物质(Vm)的收纳箱(3)；以及加热收纳箱内的蒸镀物质的加热装置(4)；在收纳箱的一面上形成释放因加热而升华或气化了的蒸镀物质的释放开口(34c)，蒸镀单元还具有移动装置(5)，其设置在一面开口的容置室(30)内，以朝容置室的开口的方向为上，以使释放开口的位相与该开口相一致的姿态将蒸镀单元设置在容置室内，所述移动装置使蒸镀单元在上下方向上进退。

摘要： 用于真空蒸发镀膜的掩膜板、利用掩膜板进行蒸镀的方法、有机发光显示装置以及利用掩膜板进行蒸镀的设备。该掩膜板包括：衬底(100)；反射层(200)，反射层(200)设置在衬底(100)上，反射层(200)上具有镂空区域；吸热层(300)，吸热层(300)设置在衬底(100)具有反射层(200)的一侧且覆盖镂空区域。

摘要： 本发明提供一种真空蒸镀源，包括内部盛放有蒸镀材料的坩埚，所述坩埚包括具有第一开口的坩埚主体和具有第二开口的坩埚上部，所述第二开口的直径小于第一开口；对所述蒸镀材料的表面通过热辐射的方式进行加热的上方加热器，所述上方加热器设置在所述坩埚上部的外侧并避开所述第二开口位置；用于反射所述上方加热器所产生的辐射热能的反射物，所述反射物设置在所述上方加热器的外侧并避开所述第二开口位置。本发明还提供使用该真空蒸镀源的真空蒸镀方法。本发明的真空蒸镀源和蒸镀方法可以提高真空镀膜过程中的镀膜稳定性。

摘要： 本发明提供一种真空蒸镀机台的蒸镀源装置及其蒸镀方法，该真空蒸镀机台包括有复数蒸镀源装置。每一蒸镀源装置包括有主要蒸镀源、至少一备用蒸镀源以及控制电路，控制电路分别与该主要蒸镀源以及备用蒸镀源电性连接，所述主要蒸镀源包括有一主要蒸镀材料，而所述备用蒸镀源包括有一备用蒸镀材料，当所述主要蒸镀源的所述主要蒸镀材料耗尽时，所述控制电路会激活所述备用蒸镀源进行蒸镀。本发明可以提高蒸镀制造工艺的生产效率。

摘要： 本申请公开一种真空蒸镀系统及真空蒸镀方法，涉及蒸镀领域，包括：移动载台，移动载台上设置有M个蒸发源和M个角度限制单元，角度限制单元包括第一开口，蒸镀材料的蒸镀范围由第一开口限定；信号发射单元向蒸镀范围内发射第一红外信号，第一红外信号经过蒸镀材料后形成第二红外信号；信号探测单元接收第二红外信号，通过第二红外信号分析蒸镀范围内所包含的蒸镀材料；当蒸镀范围内包含N种蒸镀材料时，第一驱动单元驱动角度限制单元运动，调节蒸镀范围，其中N为小于M的整数。本申请通过第一驱动单元驱动角度限制单元运动，调节各种蒸镀材料的蒸镀范围，使得多种蒸镀材料在蒸镀面上完全重合，避免出现超薄层，从而提高器件性能和产品良率。

摘要： 本发明提供一种真空蒸镀源，包括内部盛放有蒸镀材料的坩埚，所述坩埚包括具有第一开口的坩埚主体和具有第二开口的坩埚上部，所述第二开口的直径小于第一开口；对所述蒸镀材料的表面通过热辐射的方式进行加热的上方加热器，所述上方加热器设置在所述坩埚上部的外侧并避开所述第二开口位置；用于反射所述上方加热器所产生的辐射热能的反射物，所述反射物设置在所述上方加热器的外侧并避开所述第二开口位置。本发明还提供使用该真空蒸镀源的真空蒸镀方法。本发明的真空蒸镀源和蒸镀方法可以提高真空镀膜过程中的镀膜稳定性。

摘要： 本发明提供一种镀材舟和真空蒸镀系统，所述的镀材舟包含：一镀材容器，用以容纳镀材，并具有一开口；一盖板，设置于该镀材容器的开口上方并与该镀材容器保持一预定间隙，且该盖板的垂直投影面覆盖该镀材容器的该开口，使该镀材汽化后所产生的镀材蒸气经由该预定间隙发散至该镀材舟外部时，通过该盖板控制该镀材蒸气的发散范围；以及一支撑构件，连接该镀材容器及该盖板，以维持其二者间的预定间隙。

摘要： 本发明提供一种真空蒸镀机台的蒸镀源装置及其蒸镀方法，该真空蒸镀机台包括有复数蒸镀源装置。每一蒸镀源装置包括有主要蒸镀源、至少一备用蒸镀源以及控制电路，控制电路分别与该主要蒸镀源以及备用蒸镀源电性连接，由控制电路使主要蒸镀源以及备用蒸镀源在不同的时域中作动。本发明可以提高蒸镀制造工艺的生产效率。

摘要： 本申请提供了一种真空蒸镀异常排除装置及真空蒸镀装置，蒸镀异常排除装置，应用于真空蒸镀装置，所述蒸镀异常排除装置包括本体；所述本体包括第一表面，所述第一表面设有粘性部，所述本体通过所述粘性部吸附异常基板，从而将所述异常基板输送到所述真空蒸镀室外。本申请可以快速排除真空蒸镀装置内的异常基板，降低生产成本。