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制造用于磁记录介质的硅基底的方法、用于磁记录介质的硅基底、磁记录介质以及磁记录装置

摘要

一种用于磁记录介质的硅基底的制造方法具有以下步骤:形成通过其间的隔离物层叠的许多硅基底的层叠体,其中各硅基底具有在所述基底的中心处的圆孔;将所述硅基底的所述层叠体浸入其中颗粒悬浮的抛光液中;以及抛光所述硅基底的所述圆孔的内周端面,其中在抛光时,抛光刷接触所述端面,同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对旋转,以及在抛光期间倒转所述硅基底的所述层叠体。所述抛光所述内周端面的步骤可以在对所述硅基底的内和外周进行倒棱之后进行。优选地,所述抛光刷由聚酰胺树脂制成。

著录项

  • 公开/公告号CN101068655A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-11-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭和电工株式会社;

    申请/专利号CN200580027648.7

  • 发明设计人 会田克昭;

    申请日2005-08-16

  • 分类号B24B29/00(20060101);B24B5/06(20060101);B24B9/00(20060101);G11B5/84(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人杨晓光;于静

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 19:20:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B24B29/00 授权公告日:20090701 终止日期:20100816 申请日:20050816

    专利权的终止

  • 2009-07-01

    授权

    授权

  • 2008-01-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-11-07

    公开

    公开

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